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World File Search System器件模型
电可擦除EEPROM存储单元的结构设计
EEPROM是一种电可擦写可编程存储器，技术成熟稳定，成本低廉，是日常生活中电子产品应用中的主流，人们使用它的场合非常多，在个人身份证、银行卡、医保卡、交通卡等与个人财产密切相关的智能卡领域，以及在通讯系统和PDA、数码相机等消费电子产品领域，都使用到EEPROM。在仪器仪表和其他嵌入式系统中，如智能流量计，通常需要保存设置参数、现场数据等信息，这就要求系统掉电时不丢失，以便下次能恢复原来设置的数据，因此需要一定容量的EEPROM。通过存储单元的浮栅管上电子的存储或释放，读出浮栅管时，存储器呈现导通或截止状态，因此会判断其逻辑值为“0”或“1”。逻辑“0”或“1”的定义根据产品的逻辑设计而有所不同。本工作设计了一个由两个晶体管组成的存储单元，NMOS管作为选择管，由字线控制，可以承受一部分高压，降低浮栅晶体管超薄氧化层被击穿的概率。本文设计的EEPROM器件模型作为存储管，可以很好地通过隧道氧化层来存储数据，实现更好的存储功能、更高的工作效率和更低的功耗。
钻石场效应晶体管的热性能
在本报告中，使用拉曼光谱和电热设备建模研究了氢（H）末期钻石场效应晶体管（FET）的热性能。首先，通过使用纳米粒子辅助的拉曼温度计测量传输线测量结构的温度上升来确定活性钻石通道的热导率（J Diamond）。使用这种方法，J钻石估计为1860 W/m k，95％的置信间隔范围从1610到2120 w/m k。与测量的电输出特性相结合，该J用作H-末端钻石Fet的电动机模型的输入参数。模拟的热响应与使用纳米粒子辅助的拉曼热度法获得的表面温度调查显示出良好的一致性。这些基于钻石的结构在从活跃的装置通道中耗散热量的设备热电阻低至1 mm k/w时会高度有效。使用校准的电热器件模型，钻石FET能够以40 W/mm的高功率密度运行，模拟温度升高为33K。最后，将这些钻石FET的热电阻与基于侧面晶体管结构的热电阻与基于侧面晶体管结构与基于其他Ultrawide Bandgap材料（Al 0.70 GA 0.70 GA的0.70 GA 30 N，B -GA -GA -GA -GA -GA -GA -b -ga 2 o 3）和宽3）和gan and and and by 3 and and and and thef。这些结果表明，基于钻石的横向晶体管的热电阻可能比基于GAN的设备低10，比其他UWBG设备低50。
EOS/ESD 研讨会最佳演讲奖
EOS/ESD 研讨会杰出论文奖（最佳演讲） EOS/ESD 研讨会杰出论文奖颁发给个人或团体，以鼓励他们在论文撰写和演讲中付出巨大努力，力求达到技术卓越。该奖项由 EOS/ESD 研讨会与会者投票选出，评选标准包括原创性、与实践或进一步研究的相关性、对概念、理论和发现的批判性分析以及演讲的清晰度。奖项分为制造和设备类别。 1983 年“室内空气电离系统，比 40% 相对湿度更好的替代方案” CF Mykkanen 和 DR Blinde 1984 年“防静电袋在筛选半导体元件免受 ESD 瞬变影响方面的有效性” TIE GC Holmes 1984 年“现实而系统的 ESD 控制计划” GT Dangelmayer 1985 年“一种实时检查集成电路中表面下 EOS/ESD 损伤的技术” CT Amos 和 CE Stephens 1986 年“厚氧化物器件在工艺变化下的 ESD 性能” RA Mc Phee、C. Duvvury、RN Rountree、H. Domingos 1987 年“可抵御带电器件模型 (CDM) 的 ESD 保护结构” LR Avery TIE 1988 年“适用于先进 CMOS 工艺的工艺容错输入保护电路” Robert Rountree、Charvaka Duvvury、Tatsuro Maki、Harvey Stiegler 1988 “摩擦电和表面电阻率不相关” Steven L. Fowler 1989 “理解粉红聚合物” Marvin R. Havens 1990 “4 Mbit DRAM 的静电放电保护” Mark D. Jaffe 1991 “实施基于计算机的 ESD 培训：比较计算机方法与传统课堂技术的案例研究” Joanne Woodward-Jack
适用于2.5V纳米集成电路的超低压触发可控硅ESD保护装置
可控硅整流器 (SCR) 因其对 ESD 应力的高稳定性而成为最具吸引力的 ESD 防护元件 [1]。然而，传统 SCR 器件具有较高的触发电压 (Vt1) 和较低的维持电压 (Vh) [2,3]。因此，它无法在大多数电路中提供有效的 ESD 防护。为了解决这些问题，许多基于局部的改进 ESD 防护方案被提出，例如改进型横向 SCR (MLSCR)、低触发 SCR (LVTSCR) 和二极管串触发 SCR (DTSCR) [4,5]。其中，DTSCR 能够实现非常低且灵活的触发电压，近年来许多基于 DTSCR 的改进结构被提出。例如，Chen、Du 等人提出了一种称为 LTC-DTSCR 的新型 DTSCR [6]。 LTC-DTSCR通过抑制DTSCR寄生SCR的触发，进一步降低了触发电压。但DTSCR结构相对较高的过冲电压和较慢的导通速度限制了其在充电器件模型（CDM）保护中的应用[7]。此外，DTSCR不适用于2.5 V及以上电路的ESD防护，因为触发二极管数量的增加会因达林顿效应而导致较大的漏电和闩锁风险。LVTSCR与传统SCR存在同样的问题：触发电压过高，难以调整以适应先进CMOS工艺的ESD设计窗口。目前，[8，9]中已提出了几种改进的LVTSCR结构，但它们均侧重于提高保持电压，这些器件的触发电压仍然较高（~8 V）。此外，还有许多新型SCR结构被提出。 Lin 等通过在 SCR 中引入两个栅极，实现了低触发电压、低漏电、低寄生电容的新型 SCR 器件 [10]，但需要外部 RC 电路辅助触发，会造成巨大的额外面积消耗。P. Galy 等将 SCR 嵌入 BIMOS 中 [11]，实现了超紧凑布局、低触发电压、低导通电阻，但其保持电压较低，如果施加的电压域较高，会增加闩锁风险。
射频集成电路 1 - UF ECE
第一周：RFIC 和通信电子简介，（RF 微电子学书籍和高频集成电路书籍的第 2 章） 第二周：器件建模（MOS 和 BJT RF 器件模型、晶体管操作、晶体管截止频率），（高频集成电路书籍的第 4 章） 第三周：器件建模、无源元件（电感器、电容、电阻性能和 RF 模型，（高频集成电路书籍的第 4 章和 RF 微电子学书籍的第 7 章） 其他一些参考文献： “MOS 晶体管的操作和建模”Yannis Tsividis、Mc-Graw Hill “用于 RFIC 设计的 MOS 晶体管建模”，Enz 等，IEEE Transaction on Solid- State Circuits，第 35 卷，2000 年 第 4 周：匹配网络的阻抗匹配和品质因数， 第五周：放大器的匹配网络、L 匹配、Pi 匹配、分布式放大器、反馈网络第六周 低噪声放大器（LNA）设计，（《射频微电子学》一书的第 5 章和《高频集成电路》一书的第 7 章） 第 7 周：带 CS、CG 级、具有电感衰减的 LNA，（《射频微电子学》一书的第 5 章和《高频集成电路》一书的第 7 章） 第 8 周：电路噪声分析（热噪声/闪烁噪声）噪声系数 第 9 周：线性和非线性（IM3- IM2）1dB 压缩、互调失真、截取点、交叉调制。期中考试 I 第 10 周：混频器和频率转换（混频器噪声）、无源转换、有源转换、I/Q 调制 PPF，（《高频集成电路》一书的第 9 章、《射频微电子学》一书的第 6 章） 第 11 周：不同的发射器/接收器架构。外差、同差、镜像抑制比 第 12 周：VCO 和振荡器：VCO 基础和基本原理、振荡器的反馈视图、交叉耦合振荡器（《高频集成电路》一书第 10 章、《射频微电子学》一书第 8 章）。 第 13 周：具有宽调谐范围和变容二极管 Q 值限制的压控振荡器、相位噪声概念和分析、低噪声 VCO 拓扑（《高频集成电路》一书第 10 章、《射频微电子学》一书第 8 章） 期中考试 II 第 14 周：用于 SNR、BER、EVM 和不同调制的收发器架构（《高频集成电路》一书第 10 章、《射频微电子学》一书第 8 章） 第 15 周：具有不同通信调制/解调的收发器架构和设计示例、注意事项/讲座 29 30 /发射机和接收机的一般考虑