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World File Search System均匀性
基于高性能神经形态计算的低变差阈值开关设备振荡神经元
摘要：高功率和低变异性人工神经元设备非常需要高性能神经形态综合。在本文中，基于低可变性Ag纳米（NDS）阈值开关（TS）设备的振荡神经元具有低操作电压，较大的ON/OFF/OFF比率和高均匀性。测量结果表明，该神经元的示范在低至1 V的施加电压下表现出自振荡行为。振荡频率随施加的电压脉冲振幅而增加，并且随着载荷电阻而降低。然后，当振荡神经元连接到用于神经形态计算的RRAM Crossbar AR-Ray的输出时，可以准确地评估电阻随机记忆（RRAM）突触权重。同时，模拟结果表明，由于AG NDS TS设备的高开/OFF比（> 10 8），我们的振荡神经元可以通过我们的振荡神经元来支持大的RRAM横杆阵列（> 128×128）。此外，AG NDS TS设备的高均匀性有助于提高输出频率的分布并抑制神经网络识别精度的降解（<1％）。因此，基于AG NDS设备的开发的振荡神经元显示出对未来神经形态计算应用的巨大潜力。
药房冰箱 - Kasalab
高效专业压缩机，具有现场可靠性。永久润滑的冷却风扇，确保安全性和使用寿命。强制风冷，设计了优化的空气分配系统。实现最大的温度均匀性和稳定性。优化的制冷系统设计，可实现更有效的冷却和快速恢复。温度变化在±3℃以内 可调温度范围2-8℃ 微处理器控制，数字显示，温度调节增量为0.1℃ 大型数字显示屏。
质量和质量值 - NIST 技术系列出版物
或多或少已被传统所接受的程序和仪器，其设计旨在对特定属性或现象做出最佳响应。响应可能与所需信息有关，也可能无关。例如，可以确定物体的密度；但是，推断获得材料密度取决于物体的特性。用水确定“包含”或“输送”的体积将确定特定类型玻璃器皿的产品均匀性，但结果可能不适用于其他类型的流体。
质量和质量值 - NIST 技术系列出版物
程序和仪器或多或少已被传统所接受，并且旨在对特定属性或现象做出最佳响应。响应可能与所需信息有关，也可能无关。例如，可以确定物体的密度；但是，推断以获得材料密度取决于物体的特性。确定水的“容纳”或“输送”体积将确定特定类型玻璃器皿的产品均匀性，但结果可能不适用于其他类型的流体。
是可恢复能源的源源 - 分布 -
能量过渡文献假设可再生能源比化石燃料更均匀地分布。这个假设意味着从化石燃料到可再生能源的转变将使更多国家能够追求能源自给自足并结束对进口能源的依赖。但是，如果假设是错误的，那么能源转变将取决于跨界电或氢贸易，从而为合作和冲突创造了新的国家关系和机会。这项研究的贡献是测试以定量经验的基础来测试可再生能源资源均匀分布的假设。洛伦兹曲线，并在161个国家 /地区对三种类型的化石燃料和三种可再生能源计算的GINI系数。该研究得出结论，可再生能源确实比化石燃料更均匀地分布。这一发现为声称能源过渡将带来一个更加分散的全球能源体系的支持提供了支持，该体系以很少的长距离能源关系为中心。但是，可再生能源资源的分布的均匀性与化石燃料储量的均匀性之间的差异并不像文献所假设的那么大。国际能源贸易以及扩展国际能源政治将不会完全消失。
光罩
使用 EUV 光刻技术不断缩小尺寸的需求为图案化材料和工艺带来了挑战和机遇。缩小 BEOL 互连结构是提高功能设备性能的关键要素。在本文中，我们研究了各种因素对 EUV 单次曝光通孔图案化的影响，以找到缩小临界尺寸 (CD) 的有效策略，从而提高临界尺寸均匀性 (CDU) 和局部临界尺寸均匀性 (LCDU) 并降低缺陷率。这项工作基于在最小水平互连线间距为 28nm 时图案化片上系统 (SoC) 随机逻辑通孔层，这是使用 0.33 NA EUV 工具进行单次曝光互连的极限。该设计使用激进的 3/2 CPP/Mx 齿轮比，相当于 38nm 到 34nm 间距的正交通孔阵列，从而检查主要图案化参数和照明源与矩形通孔的 OPC 处理共同优化的影响。将通孔图案转移到底部电介质，以研究 LCDU 的演变和蚀刻过程中的缺陷率。
远距离静止系统的多部分量子纠缠创建
摘要：我们提出了创建远程静止量子比特的多体格林伯格-霍恩-泽林格 (GHZ) 态和 W 态的有效协议。系统的非均匀性和/或非理想单光子散射通常会限制纠缠创建的性能，并导致实际量子信息处理中保真度和效率的下降。通过使用线性光学元件，由系统非均匀性和非理想光子散射引起的误差可以转化为协议中的预示损失。因此，生成的多体纠缠态的保真度保持不变，只有效率降低。远程静止量子比特的 GHZ 态以并行方式创建，其生成效率显着提高。在创建 N 个远程静止量子比特的 W 态的协议中，输入单光子以叠加态准备并并行发送到 N 条路径。我们利用双空间模式干涉消除了“哪条路径”单光子散射的“知识”，使得创建 N 量子比特 W 态的效率与静止量子比特的数量无关，而不是呈指数下降。
林德先进材料技术公司
我们长期以来一直致力于提供高品质产品，并精确控制纯度和微观结构，这是溅射靶材最有价值的两个特性。通过我们的研发努力，我们做出了多项创新改进，为我们的客户带来了诸多好处。这些好处包括减少膜内颗粒的产生、延长溅射寿命、提高 Rs 的均匀性以及在靶材的整个使用寿命期间保持一致的溅射性能。
通过van der waals Integration
二维（2D）半导体在高性能电子中的实际应用需要与大规模和高质量的电介质进行整合 - 然而，由于它们的悬空无键，这是迄今为止的挑战。在这里，我们报告了一种干介电整合策略，该策略使晶圆尺度和高κ电介质在2D半导体之上转移。通过使用超薄缓冲层，可以预处理下沉积，然后在MOS 2单层的顶部进行机械干燥转移。转移的超薄电介质纤维可以保留晶圆尺度的晶格和均匀性，而无需任何裂缝，表明高达2.8μf/cm 2的电容，等效的氧化物厚度降至1.2 nm，泄漏率降至1.2 nm，泄漏的电源量〜10-7 A/cm 2。Fab的顶栅MOS 2晶体管显示出固有的特性，而没有掺杂效应，启示率为〜10 7，子阈值向下旋转至68 mV/ dec，最低的界面状态为7.6×10 9 cm-2 ev-1。我们还表明，可扩展的顶门阵列可用于构建功能逻辑门。我们的研究为使用具有良好控制厚度，均匀性和可扩展性的行业兼容的ALD工艺提供了可行的途径。
DELNET™ 孔径薄膜
Delnet™ 开孔薄膜由于其均匀性和清洁度，可为多种空气和液体过滤应用（包括微电子应用）提供支撑。它们通常有助于支撑和分离精细介质，同时提供受控的孔隙率，从而增强紧密褶皱包中的均匀湍流，同时提高过滤效率。因此，它也可用作筒式过滤器的褶皱支撑。也用作筒式过滤器的褶皱支撑。