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World File Search System块体
类似于无定形 SiO2 表面，用于重金属吸附
图 1：非晶态 SiO 2 块体模型结构的对分布函数 (PDF)。图中用颜色对不同的对进行编码，Si-O 对用蓝线表示，Si-Si 用绿线表示，OO 用红线表示。y 轴表示归一化的对数，x 轴表示相应的距离（单位为 Å）。对于块体非晶态 SiO 2 模型结构和后续图中，Si 原子用黄色球体表示，O 原子用红色表示。
c 面 GaN 模板和蓝宝石衬底上 -Ga2O3 薄膜的晶体各向异性
β -氧化镓（β -Ga 2 O 3 ）的带隙约为4.9 eV [ 1 ]，作为一种新兴的超宽带隙半导体，近年来得到了广泛的研究。由于其具有成熟的块体材料制备、优异的Baliga 品质因数和高电子迁移率等优点[ 2 ]，β -Ga 2 O 3 被认为是一种很有前途的日盲紫外（UV）光电探测器、气体传感器、紫外透明导体和大功率电子器件的候选材料[ 3 ，4 ]。虽然块体β -Ga 2 O 3 是外延生长高质量β -Ga 2 O 3 薄膜的理想衬底，但其昂贵的成本和较差的热导率仍然阻碍了同质外延的商业化。因此，在低成本、大尺寸衬底上异质外延β -Ga 2 O 3 薄膜仍然具有重要意义。
集成 E2S 电力热能存储解决方案。......
混合间隙合金 (MGA) 利用相变提供卓越的能量密度： 存储介质是由铝和石墨制成的块体，储量丰富且安全的材料 铝熔化并储存潜热 石墨保持固态并充当固体块中的基质 E2S Power 与澳大利亚公司 MGA Thermal 签订了公用事业应用的独家协议 MGA 是澳大利亚纽卡斯尔大学经过 10 多年研究的成果 最初在太阳能热应用上进行测试 块体已经经过数千次测试循环 MGA Thermal 建立大规模制造能力
非局部计算和全息术中的复杂性和纠缠
重力会限制计算吗？我们使用 AdS/CFT 对应关系研究这个问题，其中重力存在下的计算可以与边界理论中的非重力物理相关联。在 AdS/CFT 中，在块体中局部发生的计算以边界中的特定非局部形式实现，这通常需要分布式纠缠。更详细地说，我们回想一下，对于一大类块体子区域，称为脊的表面面积等于边界中可用于非局部执行计算的互信息。然后我们认为局部操作的复杂性控制着非局部实现它所需的纠缠量，特别是复杂性和纠缠成本由多项式关联。如果这种关系成立，重力会将这些区域内操作的复杂性限制为脊面积的多项式。
非局部计算和全息术中的复杂性和纠缠
重力会限制计算吗？我们使用 AdS/CFT 对应关系研究这个问题，其中重力存在下的计算可以与边界理论中的非重力物理相关联。在 AdS/CFT 中，在块体中局部发生的计算以边界中的特定非局部形式实现，这通常需要分布式纠缠。更详细地说，我们回想一下，对于一大类块体子区域，称为脊的表面面积等于边界中可用于非局部执行计算的互信息。然后我们认为局部操作的复杂性控制着非局部实现它所需的纠缠量，特别是复杂性和纠缠成本由多项式关联。如果这种关系成立，重力会将这些区域内操作的复杂性限制为脊面积的多项式。
高性能微固体氧化物燃料电池的途径......
就降低电解质的 ASR 而言，通过控制织构化 YSZ 膜中的晶界和孔隙率，可在 500°C 时分别获得 1.04 eV 和 0.02 S/m 的活化能和离子电导率。这些值低于块体材料，据报道块体材料的活化能和离子电导率分别为 1.18 eV 和 0.1 S/m [19]。此外，Si 上的外延 YSZ 膜在 500°C 时显示出 0.79 eV 的活化能和 ~0.003 S/m 的离子电导率，与织构化膜相比，性能进一步提高[20]。使用垂直排列纳米复合材料 (VAN) 系统也实现了电解质性能的显著改善。几种薄膜 VAN 体系 (YSZ、SrZO 3 和 Sm 掺杂的 CeO 2 ) 显示出超过一个数量级的离子电导率 [21-23]，这指向了近期的室温电解质概念 [24]。然而，到目前为止，VAN 薄膜的优异性能仅在单晶基底上得到证实。
