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垂直腔体发射激光器具有改善的宽温度依赖性
垂直腔体发射激光器（VCSEL）是高性能计算系统，数据中心和其他短距离光学网络中高速和功率短得分光学互连（OIS）的首选光源。这样的OI通常在0至70°C的温度范围内运行。但是，基于VCSEL的OIS的某些新兴应用，例如在某些军事系统中的汽车光学网络和光网络中，需要在温度范围更大的温度范围内运行，例如从 - 40到125°C。VCSEL是OI温度最敏感的组件，并且成本和功率效率所需的未冷却/未加热的操作需要降低温度依赖性的VCSEL，在温度范围更大的情况下运行。VCSER性能的温度依赖性源于光谱和共振波长偏移之间的光学增益和不匹配的变化。减轻这些效果的方法包括使用具有适当增益式失调的VCSEL和增益工程，以扩大光学增益频谱。本文研究了在大温度范围内优化运行的850 nm VCSEL。关键研究包括阈值 - 旧电流与性能参数（纸张A）的相关性和chire QW VCSels的设计，以稳定跨温度（Pa-per）。洞察设计为极端环境设计强大的VCSEL。
朝着高性能完全垂直的硅硅销二极管
在过去的二十年中，Gan Hemts（高电子迁移率晶体管）已证明其超过硅电源器件限制的高潜力。然而，基于GAN的侧向下摆遭受了几个突出的问题，例如电子捕获和相关的设备可靠性，这是由于闸门边缘处的尖峰电场以及没有雪崩效应。此外，较高的击穿电压需要增加门才能排出距离，从而导致不需要的大设备尺寸。这就是为什么垂直GAN Power设备越来越引起人们的兴趣和社区的强烈努力的原因。的确，高击穿电压，雪崩能力，具有高电流扩展的电场管理和小型设备足迹是垂直电源设备的一些主要优势。如果在硅底物上生长，则可以大大降低整体成本。在这项工作中，我们演示了具有高性能和线性击穿电压缩放的准垂直gan-on-si销钉二极管，并具有漂移层的厚度。完全垂直销钉二极管也被制造出了相似的崩溃场，甚至可能降低了反抗性的罗恩。
垂直农业与氢经济之间的协同作用
1 Division of Paediatric Cardiac Plegery, Aphm La Timone, Marseille, France, 2 department of pediatrics, Division of Neurology, Timone Hospital, Marseille, France, 3 Department of Neuroradiology, Aphm La Timone, Marseille, France, 4 Cemerem, Aphm la Timone, Marseille, 5 Aix-Marseille Unit For Clinical Research and Economic Evaluation, AP - HM, Marseille, France, 6 Department of Paediatric Neurology, APHM La Timone, Marseille, France, 7 Department of Paediatric Cardiology, Aphm La Timone, Marseille, France, 8 Department of Paediatric Aneshesia and Intensive Care Unit, APHM Marseille, France, 9 Department of Neonatology, Aphm La Conception, Marseille, France, 10 Aix Marseille Univ, CNR，LPL，Aix-en-Provence，法国，11 Inserm U1106系统神经科学研究所，法国Marseille，法国
用于纳米级垂直自旋转移力矩磁隧道结作为磁传感器的调节电路
摘要 — 本文展示了一种使用垂直自旋转移力矩磁隧道结的新型磁传感器。传感元件呈圆柱形，直径为 50 纳米，据我们所知，是迄今为止报道的最小的磁传感器之一。本文介绍了传感元件和相关信号处理电子设备的工作原理，它们提供与外部磁场成比例的信号。详细介绍了实验结果，并将其与最先进的商用集成磁传感器以及基于磁隧道结的具有可比尺寸的已发布的磁阻传感器进行了比较。所开发的传感器的测量灵敏度为 1.28 V/T，动态范围达到 80 mT。测得的噪声水平为 21.8 µT/√Hz。描述并比较了所提出的传感器的两种不同工作原理，一种基于时间数字转换器，另一种基于脉冲宽度调制信号。这两种方法都只需要标准的微电子元件，适用于将传感元件与其调节电子设备单片集成。需要对传感元件以及调节电子器件进行后续改进，以进一步降低噪声水平。传感元件及其调节电子器件与磁性随机存取存储器制造中已经使用的制造工艺兼容。这为大规模生产开辟了道路，并满足了消费电子、汽车、工业传感、物理实验或医疗设备等各种市场的需求。
设计，模拟和优化硅基板上增强的垂直GAN纳米线晶体管用于电力电子应用
在高能量物理中使用的大探测器系统中相互作用点附近的像素阵列的发展需要像素及其读数的高辐射硬度。基于量子井的像素设备，称为dotpix使用带有控制门的传感N通道MOS设备。埋入的GE层充当当前的调制门，该栅极定位通过撞击颗粒而产生的孔。通过si上GE的低温外延生长获得了Dotpix埋入的GE门。我们已经开始研究实现这些先决条件的不同方法：需要低温预算来减少GE和SI相互混合，这可能对DotPix操作有害。使用Si热氧化物与沉积的氧化物（例如氧化物）一起研究，这与二氧化硅不同。在这项研究中，二氧化硅和沉积的氧化物结合的可能性为另一种可能性。
对多晶硅垂直薄膜晶体管的电特性的深入分析
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
垂直 GaN 的阴极发光和电学研究......
Thi Huong Ngo、Rémi Comyn、Eric Frayssinet、Hyonju Chauveau、Sébastien Chenot 等人。具有位错簇的垂直 GaN-on-GaN 肖特基二极管的阴极发光和电学研究。《晶体生长杂志》，Elsevier，2020 年，552，第 125911 页。�10.1016/j.jcrysgro.2020.125911�。�hal- 03418915�
针对Pan-Raf和垂直MAPK抑制作用BRAF激酶融合
BRAF激酶融合是基因组结构变异的一种形式，是驱动器阴性黑色素瘤中的复发事件。虽然BRAF融合可重复保存激酶结构域，但具有5'基因伴侣和特定BRAF断裂点的遗传变异性。我们研究了BRAF激酶融合的遗传多样性如何影响二聚体信号传导和ERK激活。我们与5'基因伙伴（包括AGK，ZKSCAN1，ARMC10，PPFIBP2和TRIM24）的BRAF融合过过表达，并发现依赖融合的信号传导和抑制剂敏感性。尽管有下一代RAF抑制剂的发展，但多种pan-Raf抑制剂仍存在矛盾的ERK磷酸化，在某些BRAF融合中，使用TrameTinib和Ly3009120改善了垂直RAF/MEK抑制的某些BRAF融合。共同观察到了一些融合依赖性作用，但肿瘤的生长抑制和垂直途径抑制的矛盾激活的分辨率。
高能岬角偏转激流的现场测量：潮汐调制、极低频脉动和垂直结构
摘要：岬角裂流，有时也称为边界裂流，是冲向从海滩向海延伸的天然或人工障碍物（如岬角或丁坝）的裂流。它们可能是由沿岸流对障碍物的偏转或由于障碍物背风处的波浪阴影导致的沿岸破碎波高变化所驱动的。因此，驱动机制主要取决于波浪相对于天然或人工障碍物的入射角。我们分析了 42 天的速度剖面测量值，这些测量值是在法国西南部安格雷高能中大潮海滩的天然岬角上进行的。在秋冬季节，随着潮位变化，在 6.5-10.5 米深处收集的，离岸显著波高和周期分别为 0.9-6 米和 8-16 秒，波浪入射角范围为 -20 ◦ 至 20 ◦。这里我们分析了对应于大约 24 天测量的偏转裂口配置，其中随着波浪和潮汐条件的变化，流速计交替位于裂口颈部、裂口头部或远离裂口的位置。偏转裂口与较大的离岸定向速度（高达 0.6 米/秒的深度平均速度）和低能至中等能波的潮汐调制有关。发现偏转裂口的垂直剖面从裂口颈部的深度均匀变化到裂口头部离岸深度变化剧烈的变化，最大速度位于表面附近。裂口的极低频运动非常剧烈，范围为 10-60 分钟，主要峰值周期约为 40 分钟，即周期比通常报告的要长。在冲浪区边缘以外测量到的强烈的离岸速度为偏转裂口提供了新的见解，它是海湾（或结构控制的）海滩与内架和/或相邻海湾之间水和沉积物交换的主要机制。
单片独立式大面积垂直III-N光源...
1 佐治亚理工学院，电气与计算机工程学院，美国佐治亚州亚特兰大 30332- 0250，2 CNRS，UMI 2958 佐治亚理工学院 - CNRS，2 rue Marconi，57070 梅斯，法国，3 佐治亚理工学院洛林分校，2 rue Marconi，57070 梅斯，法国，4 佐治亚理工学院，伍德拉夫机械工程学院，美国佐治亚州亚特兰大 30332- 0250，5 拉斐特研究所，2 rue Marconi，57070 梅斯，法国。 6 巴黎萨克雷大学纳米科学与纳米技术中心，C2N-Site de Marcoussis，Route de Nozay，91460 Marcoussis，法国。