摘要:随着微电子封装与集成化的快速发展,封装结构中微焊点在冲击载荷作用下的失效风险日益受到关注。然而,由于尺寸减小和接头结构的演变,基于铜柱的微凸块接头的失效机理和可靠性性能很少能借鉴现有的板级焊点研究成果。本研究针对芯片上芯片 (CoC) 堆叠互连的微凸块接头的开裂行为,对 CoC 测试样品进行反复跌落试验以揭示裂纹形貌。研究发现,导致微凸块失效的裂纹首先在金属间化合物 (IMC) 层与焊料的界面处萌生,沿界面扩展一定长度,然后偏转到焊料基体中。为进一步探究裂纹扩展机理,采用围线积分法计算了IMC与焊料界面处裂纹尖端的应力强度因子(SIF),定量分析了焊料厚度和裂纹长度的影响,并与裂纹偏转准则相结合。将SIF与焊料-Ni界面和焊料基体的断裂韧性相结合,建立了裂纹偏离原始扩展路径的准则,可用于预测裂纹偏转的临界裂纹长度和偏转角。最后,通过板级跌落试验验证了焊料厚度与主裂纹临界偏转长度和偏转角之间的关系,并简要讨论了焊料基体中晶粒结构对实际失效寿命的影响。
增材制造 (AM) 可以制造出传统制造方法无法实现或不经济的复杂结构。其独特的功能推动了多种打印技术的出现,并引发了对材料采用的广泛研究,特别是铁基、钛基和镍基合金。同时,铝作为一种轻质结构材料,其凝固范围大、反射率高,大大降低了铝与 AM 的兼容性。不兼容性的根源在于铝在 AM 的快速循环热条件下的不稳定行为及其与激光的相互作用较差。这阻碍了基于激光的铝 AM 的发展,并加剧了目前中温范围内轻质结构材料的缺乏。铝基复合材料 (AMC) 具有作为热稳定轻质结构材料的巨大潜力,结合了铝基体的轻质特性和增强相的强度。然而,AMC 的制造主要采用传统方法,仅实现中等体积分数的增强,同时与 AM 相比零件复杂性有限。为了应对这些挑战,原位反应打印 (IRP) 作为一种新型 AM 方法被采用,利用不同元素粉末混合物的反应产物来制造具有超高体积分数金属间增强体的 AMC。在本研究中,系统地研究了钛添加到元素铝原料粉末中对材料加工性、微观结构特征和力学性能等不同方面的影响。结果表明,与现有的 AM 铝合金和其他 AMC 相比,IRP 可以克服 AM 与铝之间的不兼容性,并生产出具有特殊体积分数增强体和出色刚度增强的 AMC。
胞嘧啶DNA甲基化参与了转座元件(TE)沉默,烙印和X染色体灭活。植物DNA甲基化由Met1(Mammalian DNMT1),DRM2(哺乳动物DNMT3)和两个植物特异性DNA甲基转移酶,CMT2和CMT3介导(Law and Jacobsen,2010年)。DRM2通过植物特异性RNA指导的DNA甲基化(RDDM)途径建立了植物中的从头DNA甲基化,依赖于两个DNA依赖性RNA聚合酶,POL IV和POL V(Gallego-Bartolome et al。木薯的DNA甲基团先前已根据其单倍体倒塌的基因组进行了记录(Wang等,2015)。由于木薯基因组是高度杂合的,因此单倍型折叠基因组的DNA甲基团错过了甲基体的许多特征。With the development of long-read sequencing and chromosomal conformation capture techniques, haplotype-resolved genomes are available for highly heterozygous genomes (Mansfeld et al., 2021 ; Qi et al., 2022 ; Sun et al., 2022 ; Zhou et al., 2020 ), which provides high-quality reference genomes facilitating studies of haplotype-resolved DNA甲基组。为了剖析木薯的单倍型分辨DNA甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基(TME7和TME204)在两个单倍型基因组分辨率(TME7和TME204)中进行了研究。 Al。,2021;测序读数分别映射到不同的单倍型,允许零不匹配和一个最佳命中,这允许分离属于不同单倍型的读数。总体而言,我们发现尽管使用了WGB和EM-SEQ方法,但两种单倍型具有相似的整体