基波

具有 1.7 dBm 输出功率和 45 dB 基波抑制的 E 波段 CMOS 频率四倍频器

摘要：本文介绍了一种采用40nm CMOS工艺的E波段四倍频器。该电路采用两个推推式倍频器和两个单级中和放大器。倍频器采用伪差分B类偏置共源共栅拓扑结构，提高了反向隔离度和转换增益。采用中和技术可同时提高放大器的稳定性和功率增益。堆叠变压器用于单端到差分转换以及输出带通滤波。输出带通滤波器可提高四次谐波的输出功率，同时抑制不需要的谐波，特别是二次谐波。核心芯片尺寸为0.23mm2，功耗为34mW。测得的四次谐波在76GHz时实现了1.7dBm的最大输出功率，峰值转换增益为3.4dB。对于 74 至 82 GHz 的频谱，基波和二次谐波抑制分别超过 45 dB 和 20 dB。