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能源与地球科学研究所2023 EGI年度技术...
•办公室，实验室和制造设施（24,000英尺2）•NASA，DOE，DOD和商业合同•胶带铸造，牢房和堆栈生产以及测试•Synfuels Pilot Pilter工厂的端到端功率•1个美国4个美国固体氧化物堆栈技术制造商中的1个
GaN 高电子迁移率晶体管外延堆栈中穿线位错引起的垂直场不均匀性
数据可用性声明：支持本研究结果的数据可根据合理要求从通讯作者处获取。1 H. Amano、Y. Baines、E. Beam 等人，2018 年 GaN 电力电子路线图，Journal of Physics D: Applied Physics。51，(2018)。2 K. Husna Hamza 和 D. Nirmal，GaN HEMT 宽带功率放大器综述，AEU - 国际电子和通信杂志。116，153040 (2020)。3 G. Meneghesso、M. Meneghini、I. Rossetto、D. Bisi、S. Stoffels、M. Van Hove、S. Decoutere 和 E. Zanoni，GaN 基功率 HEMT 的可靠性和寄生问题：综述，半导体科学与技术。31，(2016)。 4 JA del Alamo 和 J. Joh，GaN HEMT 可靠性，微电子可靠性。49，1200-1206 页 (2009)。5 M. Meneghini、A. Tajalli、P. Moens、A. Banerjee、E. Zanoni 和 G. Meneghesso，基于 GaN 的功率 HEMT 中的捕获现象和退化机制，半导体加工材料科学。78，118-126 页 (2018)。6 B. Kim、D. Moon、K. Joo、S. Oh、YK Lee、Y. Park、Y. Nanishi 和 E. Yoon，通过导电原子力显微镜研究 n-GaN 中的漏电流路径，应用物理快报。104，(2014)。 7 M. Knetzger、E. Meissner、J. Derluyn、M. Germain 和 J. Friedrich，《用于电力电子的碳掺杂变化与硅基氮化镓垂直击穿之间的关系》，《微电子可靠性》。66，16-21 (2016)。 8 A. Lesnik、MP Hoffmann、A. Fariza、J. Bläsing、H. Witte、P. Veit、F. Hörich、C. Berger、J. Hennig、A. Dadgar 和 A. Strittmatter，《碳掺杂氮化镓的性质，固体物理状态 (b)》。254，(2017)。 9 B. Heying、EJ Tarsa、CR Elsass、P. Fini、SP DenBaars 和 JS Speck，《位错介导的氮化镓表面形貌》，《应用物理学杂志》。 85,6470-6476 (1999)。
Eclipse：Galaxy Rulebook的第二黎明 frostpunk：董事会方案
将银河中心扇区设置为表格中间。将面对的发现瓷砖放在银河系中心扇区的发现瓷砖外部扇区”：SST符号，然后在2个玩家：5上。通过戒指进行复选。注意：如果您不想玩可选的翘曲门户4播放器：第7页上描述的14个模块，删除第5场玩家中的扇区281，381-382：16在整理扇区堆栈之前。将改组的部门放入面对的6个玩家：堆栈[J带外扇区堆栈的JWA扇区指示您的播放器数量。将起跑者的瓷砖交给了在SOL系统中花在Planet Terra上的Guardian Player。Symbal
流动分流当前调查的进展
分流电流是在流动电池堆栈中产生的难以捉摸的效果，尽管这是内部损失的主要原因，但仍受到部分关注，直接影响效率和可操作性。现有研究用电阻器网络对其进行建模。首次，由于同源电极之间的电势差，本文对在流体电解质中移动的电荷载体进行了基础分析。将钒化学作为研究案例，用Navier-Stokes，Nernst-Planck and Cancervertice方程分析了离子V 2+，V 2+，V 3+，VO 2+，H+，HSO 4 - ，SO 4 2的导电性，扩散和对流运动。3D和2D数值实现允许分析稳态和瞬态条件。分流电流的贡献是在不同尺寸和不同负载下的堆栈中计算出来的，这表明功率损耗范围从5细胞堆栈中的0.17％到40细胞堆栈中的6.9％不等，在较低的负载电流下较高。该方法允许识别影响分流电流的主要因素，例如膜的渗透率，电极孔隙率和流通道设计。这些结果阐明了减轻分流电流的策略，以提高效率。
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
EUV 掩模吸收层的优化
极紫外光刻 (EUVL) 是最有前途的技术之一，它可将半导体器件制造的极限扩展到 50 纳米及以下的临界尺寸 [1]。EUVL 需要制造反射掩模，它不同于紫外可见光光刻技术所用的传统透射掩模。极紫外 (EUV) 掩模由一个 EUV 波长的反射镜组成，反射镜上沉积了吸收图案堆栈。干涉镜由高折射率和低折射率材料的交替堆栈制成，通常是沉积在基板顶部的 40 个 Mo/Si 双层。通过调整 Mo 和 Si 层的厚度，可以针对 13.5 纳米的波长优化反射率。对于“双层工艺” [2]，吸收图案堆栈由缓冲层顶部的导电吸收层制成，缓冲层用作蚀刻停止层以及吸收层修复步骤中的保护层。过去几年，人们评估了多种材料（Ti、TiN、Al-Cu、TaSi、Ta、TaN、Cr）[2–4] 作为 EUV 掩模的导电吸收材料的可能性。图 1 描述了这种基本的减法 EUV 掩模工艺流程，其中采用了“双层”吸收堆栈。
计算机网络 - Quantum Internet
古典互联网在过去的五十年中出现了异常发展，从早期的一些静态节点组成的网络到Leviathan互连数十亿个设备的网络。这是通过关注原则的分离而来的，该原理将网络功能作为一组层组织，每种都通过特定的网络协议提供了一些通信功能。在本调查中，由于量子力学的奇迹，我们旨在强调将经典的互联网协议堆栈改编为量子互联网的不可能。的确，量子互联网的设计需要整个协议堆栈的重大范式转移，以利用量子纠缠和量子信息的特殊性。在这种情况下，我们首先概述了有关量子Internet协议堆栈的相关文献。然后，从此驱动的是，我们阐明了开放问题，并需要为设计有效且完整的量子互联网协议堆栈设计而做出努力。据《最好的作者所知》，对这种类型的调查是其第一个调查。从此分析中出现的是，量子互联网虽然仍处于起步阶段，但它是一种破坏性的技术，其设计需要在量子物理，计算机和电信工程之间的边界上进行跨学科的努力。
材料处理设备前景的电池
作为Kalmar的一个例子，对于带有326 kWh电池的电动触及堆栈器，电池生产的增加的制造排放量为39吨Co 2 E，与柴油触及堆栈相比，它增加了21％。但是，在电动汽车使用阶段，产品在整个生命周期中的排放降低潜力是如此重要，以至于它弥补了电池制造的排放量的增加。使用100％可再生能源为电动盖堆充电，将意味着与柴油及距离堆栈器相比，寿命2降低约为80％。，但是用棕色或主要是棕色的电力（来自化石，煤炭和石油等化石燃料）充电可能意味着设备一生中的总CO 2影响实际上比具有能源有效的驱动线（例如Kalmar Eco Reachstacker）的柴油机高。
知道您的AI和机器人曝光|方舟投资欧洲
我们相信，了解AI基金在AI堆栈中进行投资的位置对于评估其增长潜力和风险状况至关重要。许多以AI为中心的资金大量分配给计算和IAAS层，从而导致过度接触大型CAP技术。尽管这些公司可能会提供一致，稳定的增长，但他们通常缺乏我们（以及其他许多人）今天在AI堆栈的PIS和SAAS层中看到的不对称上升空间。随着公司越来越寻求利用未充分利用的数据并通过AI提高运营效率，软件应用程序将成为采用的重要推动因素。我们认为，在整个AI堆栈中多元化的基金经理，更加重视PI，将最好地利用下一波AI机会。