安全优势 • ARC-100 池式设计确保主冷却剂、反应堆堆芯、主泵、反应堆组件和中间热交换器均包含在主反应堆容器内。 • 大量的主钠提供了更大的热容量(更大的热惯性),从而允许在温度超调期间有更长的缓冲期。 • 钠池中的自然循环将堆芯的残余衰变热转移出去,确保在温度超调期间的长期被动安全。 • 金属燃料快谱堆芯的固有安全特性使反应堆除了主、辅停机装置外,还能够可靠地实现自限反应性。 • 消除了反应堆容器顶部以下的管道穿透,避免了由于管道故障而导致的冷却剂流失事故。
在澳大利亚证券交易所上市的 BrainChip (ASX:BRN) 正在将一项革命性的神经形态技术商业化。这款名为 Akida 的处理器是添加到计算机芯片中的专有知识产权 (IP),使芯片能够以类似于生物大脑的方式进行 AI 推理。Akida 的独特之处在于它能够利用稀疏性高效处理数据,从而消除不必要的计算,提高能效和性能。因此,Akida 不需要持续的互联网连接,从而大大降低了延迟。换句话说,与当今基于软件、耗能且在云端运行的人工智能 (AI) 解决方案相比,Akida 的决策速度要快得多。而且由于 Akida 处理数据的方式与人脑相同,因此即使芯片已经“在现场”部署,它也可以自主学习,从而不断改善结果。
AP1313 需要适当的输入电容来在阶跃负载瞬变期间提供电流浪涌,以防止输入电压轨下降。因为从电压源或其他大容量电容到 VIN 引脚的寄生电感限制了浪涌电流的斜率,所以寄生电感越大,输入电容就越大。超低 ESR 电容(如陶瓷芯片电容)和低 ESR 大容量电容(如固体钽电容、POSCap 和铝电解电容)都可以用作 VIN 的输入电容。对于大多数应用,建议的 VIN 输入电容至少为 10µF。但是,如果不关心输入电压的下降,输入电容可以小于 10µF。输出电容 AP1313 专门设计用于与低 ESR 陶瓷输出电容配合使用,以节省空间。建议使用电容至少为 4.7µF 且 ESR 大于 1mΩ 的陶瓷电容。大输出电容可以降低噪音并改善负载瞬态响应。图 2 显示了允许的 ESR 范围与负载电流和输出电容的关系。
6.3 安装变型................................................................................................................................................ 27 6.3.1 安装................................................................................................................................... 27 6.3.2 安装防恐慌锁芯................................................................................................................ 31 6.3.3 安装 SKG/VdS 锁芯....................................................................................................... 34 6.3.4 半锁芯 DK/MR..................................................................................................................... 36 6.3.5 安装瑞士圆形锁芯.................................................................................................................... 43 6.3.6 DoorMonitoring 的磁板.................................................................................................... 43
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过温保护(OTP) VDD 欠压/过压保护(UVLO&OVP) 逐周期电流限制(OCP) Cs 短路/开路保护(CS O/SP) 反馈环路开路保护(OLP)
蓝牙 5.0 BR/EDR/BLE 专有双模 RF SOC 极低功耗 10nA 关机模式(外部中断) 800nA 睡眠模式(32kHz RC OSC,睡眠定时器和寄存器 ON) 2.1uA 保持模式(32kHz RC OSC,睡眠定时器,2k 保持存储器和寄存器 ON) Rx 峰值电流(不带 DCDC) BLE/2.4G 模式下 16mA EDR 模式下 17mA Tx 峰值电流(不带 DCDC)@ -2dBm BLE/2.4G 模式下 22mA EDR 模式下 23mA Rx 峰值电流(带 DCDC) BLE/2.4G 模式下 6.75mA EDR 模式下 7.25mA BLE/2.4G 模式 EDR 模式下 17mA <25uA 平均,500ms 嗅探保持连接 2.4GHz 收发器 单端 RFIO BLE 模式下 -95dBm 支持 250kbps、1/2/3Mbps 数据速率 Tx 功率高达 +9dBm 音频功能 麦克风 PGA 0-18dB,每步 3dB 16 位 ADC 2x16 位 DAC,立体声 音频 SNR:ADC 88dB;DAC 92dB
Atmel ® ATmega328P 具有以下功能:32K 字节系统内可编程闪存(具有读写功能)、1K 字节 EEPROM、2K 字节 SRAM、23 条通用 I/O 线、32 个通用工作寄存器、三个灵活的定时器/计数器(具有比较模式)、内部和外部中断、串行可编程 USART、面向字节的 2 线串行接口、SPI 串行端口、6 通道 10 位 ADC(TQFP 和 QFN/MLF 封装中有 8 个通道)、带内部振荡器的可编程看门狗定时器以及五种软件可选的省电模式。空闲模式会停止 CPU,同时允许 SRAM、定时器/计数器、USART、2 线串行接口、SPI 端口和中断系统继续运行。断电模式会保存寄存器内容但冻结振荡器,禁用所有其他芯片功能,直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下,异步定时器继续运行,允许用户在器件其余部分休眠时维持定时器基准。ADC 降噪模式会停止 CPU 和除异步定时器和 ADC 之外的所有 I/O 模块,以最大限度地减少 ADC 转换期间的开关噪声。在待机模式下,晶体/谐振器振荡器在器件其余部分休眠时运行。这可以实现非常快速的启动和低功耗。
标准性能 8200LN 提供 10 MHz 和 1PPS 输出以及 1PPS 输入,用于校准 GPS 接收器或其他主要标准。可选配置可以支持其他输出或自定义输出。配备可选低 g 灵敏度晶体时,8200LN 可以在各种振动曲线上保持低相位噪声性能。8200LN 是基于成熟的铷原子钟和 OCXO 技术设计的,该技术已在众多机载、舰载和地面战术平台中部署了三十多年。