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增强型州灾害缓解计划州...
根据 2000 年《灾害缓解法案》（DMA2K）颁布的《罗伯特·T·斯塔福德灾难救济和紧急援助法案》（斯塔福德法案）第 322 条，佛罗里达州必须拥有联邦紧急事务管理局 (FEMA) 批准的灾害缓解计划，才有资格获得联邦灾害缓解资金。州灾害缓解计划 (SHMP) 的目的是减少佛罗里达州自然灾害造成的死亡、伤害和财产损失。2018 年计划根据州内灾害的历史确定灾害，并列出减少未来损失的目标、目的、策略和行动。实施计划的、预先确定的和具有成本效益的缓解措施不仅有助于减少生命、财产和环境损失，而且还简化了灾难恢复过程。灾害缓解措施只有在灾难发生前制定全面的、长期的计划，才能发挥最大作用。
BL200P03T-5DL8 P 沟道增强型 MOSFET
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BL1012 N 沟道增强型 MOSFET
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BL20P03-3DL8 P 沟道增强型 MOSFET
注：1. 数据是在 1 英寸 2 FR-4 板上贴片测试的，铜厚 2OZ 2. 数据是在脉冲下测试的，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2% 3. 由设计保证，不受生产影响
BSS127 N 沟道增强型 MOSFET
注：1. 数据是通过安装在 1 英寸 2 FR-4 板上（2OZ 铜厚）进行测试的 2. 数据是通过安装在建议的最小 FR-4 板上进行测试的 3. 数据是通过脉冲测试的，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2% 4. 由设计保证，不受生产影响
TBL035N04HB N 沟道增强型 MOSFET
注：1. tp=10us，占空比 = 1%。2. 数据通过建议封装上的表面贴装测试获得。3. 数据通过脉冲测试获得，脉冲宽度 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%。4. E AS 数据显示最大额定值。测试条件为 V DD = 30V，V GS = 10V，L = 1mH，I AS = 35A。5. 理论上数据与 ID 和 I DM 相同，实际应用中应受总功率耗散限制。6. 器件安装在 FR-4 基板 PC 板上，2oz 铜，对底层 1 英寸见方铜板进行热偏置
BL4435-S8 P 沟道增强型 MOSFET
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Neuralink 及其他：创造增强型人类的挑战
本文对 Neuralink、脑机接口 (BMI) 及其应用进行了文献综述，并介绍了 BMI 未来的可能性及其潜在影响。目前，BMI 主要用于治疗，例如帮助脊髓损伤患者直接用大脑控制计算机。然而，BMI 还可以改善学习能力、检测情绪和控制基本行为。未来，它们可以提供许多强大的可能性，例如控制人类并将我们的智能与人工智能 (AI) 融合，这可能是减轻通用人工智能 (AGI) 生存威胁所必需的。同时，它们可能会对人类产生严重影响，例如失去自我意识、技能退化和隐私问题，造成心理伤害和困惑。本文表明，BMI 研究可能会产生无法挽回的巨大变化，从而强调了迫切需要解决这些关键问题。
增强型门控二极管触发可控硅整流器...
随着集成电路规模的不断缩小，静电放电 (ESD) 已成为影响集成电路可靠性的关键因素。[1] 目前，超过三分之一的芯片损坏与 ESD 有关，迫切需要可靠有效的 ESD 防护设计。ESD 防护设计存在许多难点，例如在期望高稳健性和小尺寸的同时满足设计窗口。传统的 ESD 防护器件例如 GGNMOS、二极管、NPN 和 RC 电源钳位通常占用大量的芯片面积。[2] 为了减轻集成电路中每个 I/O 引脚的 ESD 防护对硅片的消耗，可控硅 (SCR) 因其最高的稳健性和最小的尺寸成为各种 ESD 防护器件中最具吸引力的选择。[3] 然而，SCR 固有的再生反馈机制会导致深度回跳和相对较小的保持电压，造成闩锁效应。 [4] 另外，随着保持电压的提高，ESD器件的瞬态功耗必然增大，导致ESD故障电流（It2）急剧下降。因此，在保持足够高的故障电流的同时提高保持电压是极其困难的。人们致力于提高SCR的保持电压。[5-8] 最简单的方案是扩大SCR阳极和阴极之间的距离，[5] 但这种方法效率低，不足以实现闩锁效应。
BL02N06C N 沟道增强型 MOSFET
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