本文对不同入射角下 28 纳米块状商用现货 (COTS) Xilinx Artix-7 FPGA 的单粒子翻转 (SEU) 抗热中子辐射敏感性进行了实验研究。实验结果表明,配置 RAM (CRAM) 单元、触发器 (FF) 和块 RAM (BRAM) 上存在 SEU。还分析了多重事件 (范围从 2 位到 12 位) 的形状,以及它们对粒子束对设备表面的入射角的依赖性。还研究了 128 位和 384 位多重事件的可能形状,揭示了遵循字线的趋势。将前入射角的结果与 14.2 MeV 中子进行比较,表明该装置对两种辐照源的灵敏度存在相当大的差异。最后,使用名为 MUSCA-SEP3 的建模工具来预测该装置在相同环境条件下的灵敏度。获得的实验结果将以非常准确的方式与预测结果显示出良好的一致性。
原子探针断层扫描通常用于以原子分辨率表征固体中的元素分布。本文回顾并讨论了该技术局部探测化学键的潜力。两个过程表征了激光辅助场发射中的键断裂,分子离子概率 (PMI),即分子离子蒸发而不是单个(原子)离子的概率,以及多重事件概率 (PME),即在激光或电压脉冲激发下相关场蒸发多个碎片。本文证明了可以根据键断裂(即 PME 和 PMI 值)清楚地区分具有金属键、共价键和亚价键的固体。这些发现为理解和设计先进材料开辟了新途径,因为它们允许在纳米尺度上量化固体中的键,正如将在几个示例中展示的那样。这些可能性甚至可以证明将当前方法称为键合探针断层扫描 (BPT)。