的确,与上述标准有关,未冷却的重测技术是THZ 2D成像的有前途的候选人。它在室温下运行,阵列在硅微电子铸造厂的高级CMOS应用特定集成电路(ASIC)上方生产,紧凑的单层大型2D阵列 - 现在以连续降低价格在工业上生产Mpixel格式。作者组[3]用Leti-Ulis专有的非定形 - 硅螺旋体传感器测试了此成像设置配置[4]。用量子级联激光器(QCL)在3 THz下的测量显示出小于0.5%的光吸收效率。即使这种敏感性足以进行测试过的活动THZ成像设置,这些结果也促使研究了BOLOMETER PISERETURTER的研究,专门调整了对THZ辐射的感觉,以便遵守现实生活中的用户库。
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