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World File Search System如镓
用于瞬态航天器载荷的全金属相变热管理系统
摘要：在这项工作中，我们探索了镓作为一种有效的相变材料在热管理应用中的热性能。将镓制造的散热器的热存储和散热与传统的相变散热器进行了比较。比较结果显示，由于高密度、热导率和熔化潜热，相变过程中的温度可能降低 50 倍（80 K 对 1.5 K）。镓在瞬时加热时会产生浅热梯度，从而产生近乎等温的过程。使用集中总和参数的计算估计能够提供简单的模型来预测结果。基于镓的相变装置兼具体积小、整个装置温降小、制造和设计简单以及高能量存储应用等特点。DOI：10.1061/(ASCE)AS.1943-5525.0001150。本作品根据知识共享署名 4.0 国际许可证条款提供，https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ 。
代码 描述 费用 90281 免疫球蛋白 (Ig)，人类...
注射剂，钆基磁共振造影剂，未另行指定（编号），每毫升 1.48 美元 A9580 氟化钠 F-18，诊断用，每研究剂量，最高 30 毫居里 按报告定价 A9581 注射剂，钆塞酸二钠，1 毫升 14.70 美元 A9583 注射剂，钆磷维赛特三钠，1 毫升 按报告定价 A9584 碘 1-123 碘氟烷，诊断用，每研究剂量，最高 5 毫居里 2,756.29 美元 A9585 注射剂，钆布醇，0.1 毫升 0.28 美元 A9586 Florbetapir F18，诊断用，每研究剂量，最高 10 毫居里 2,931.70 美元 A9587 镓Ga-68，Dotatate，诊断，0.1 毫居里 $ 57.01 A9588 Fluciclovine F-18，诊断，1 毫居里 $ 507.08 A9589 滴注，六氨基乙酰丙酸盐盐酸盐，100 毫克 $ 1,378.71 A9590 碘 I-131，Iobenguane，1 毫居里 价格报告 A9591 氟雌二醇 F 18，诊断，1 毫居里 $ 752.40 A9592 铜 Cu-64，Dotatate，诊断，1 毫居里 $ 987.53 A9593 镓 Ga-68 Psma-11，诊断，（Ucsf），1 毫居里 价格报告 A9594 镓 Ga-68 Psma-11，诊断，（Ucla），1毫居里价格报告 A9595 Piflufolastat F-18，诊断，1 毫居里 $ 595.39 A9596 镓 Ga-68 Gozetotide，诊断，（Illuccix），1 毫居里 $ 1,009.58
对可再生能源系统中极端环境条件下弹性电力电子的严格审查
鉴于这些限制，电力电子器件多年来不断发展，体积小、功率密度高，在极端温度环境和大热循环中具有额外的运行优势。因此，研究人员正在努力开发有效的热系统以提高其可靠性。例如，随着以宽带隙半导体为中心的研究的发展，氧化镓 (Ga 2 O 3) 已发展成为半导体技术发展的前沿。这种材料具有良好的固有特性，即临界场强、广泛可调的电导率、迁移率和基于熔体的块体生长，被广泛用于高性能电力电子器件，有望成为硅基功率器件的替代品。这种材料具有一系列直到最近才在一个系统中观察到的特性。这些特性包括：低热导率。最后，β-Ga 2 O 3 具有近 5 eV 的超宽带隙（Green 等人，2022 年）。因此，在不久的将来，SiC 很有可能被 Ga2O3 取代。氧化镓（III），通常称为氧化镓，已成为电力电子设备的新型半导体材料。另一项新发现是氮化镓（GaN）。GaN 具有高电子迁移率的吸引人的特性，可实现高开关迁移率。此外，金刚石具有高开关性能、高温操作、辐射硬度、高输出功率，并且可以合成用于电子设备（Javier 等人，2021 年）。
用于碳化硅和氮化镓电子设备的高介电常数二元氧化物薄膜的结构和绝缘行为
摘要：高κ电介质是介电常数高于二氧化硅的绝缘材料。这些材料已经在微电子领域得到应用，主要用作硅 (Si) 技术的栅极绝缘体或钝化层。然而，自过去十年以来，随着宽带隙 (WBG) 半导体的广泛引入，如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，后硅时代开始了，这为高κ材料在这些新兴技术中的应用开辟了新的前景。在此背景下，铝和铪的氧化物（即 Al 2 O 3 、HfO 2 ）和一些稀土氧化物（例如 CeO 2 、Gd 2 O 3 、Sc 2 O 3 ）是有前途的高κ二元氧化物，可用作基于 SiC 和 GaN 的下一代大功率和高频晶体管的栅极介电层。本综述论文概述了用于后硅电子器件的高介电常数二元氧化物薄膜。特别地，重点关注通过原子层沉积在 WBG 半导体（碳化硅和氮化镓）上生长的高 κ 二元氧化物，无论是非晶态还是晶体膜。讨论了沉积模式和沉积前或沉积后处理的影响。此外，还介绍了这些薄膜的介电行为，并报告了一些应用于 SiC 和 GaN 晶体管的高 κ 二元氧化物的示例。强调了这些技术的潜在优势和当前的局限性。
自下而上设计可调铟镓锌氧化物薄膜原子层沉积的超循环配方
摘要：我们提出了一种自下而上的成功方法，设计了一种通用的等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 超循环配方，以在 150°C 的相对低温下生长具有可调成分的高质量铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜。原位实时椭圆偏振表征与非原位互补技术相结合，已用于优化薄膜的沉积工艺和质量，方法是识别和解决生长挑战，例如氧化程度、成核延迟或元素组成。开发的超循环方法通过调整超循环过程中的子循环比，可以轻松控制目标成分。与其他产生非晶态薄膜的低温沉积技术相比，我们在 150°C 下的 PEALD-IGZO 工艺可产生近乎非晶态的纳米晶态薄膜。通过超循环 PEALD 方法在低温下制备 IGZO 薄膜可以控制厚度、成分和电性能，同时防止热诱导偏析。关键词：IGZO、PEALD、超循环、XPS 深度剖析、电流密度
绘制中国出口管制图表
2024 年 12 月，中华人民共和国宣布全面禁止向美国出口镓、锗和锑。1 这项禁令是继美国为阻止中国发展先进半导体而实施管制之后颁布的，这两项行动都代表着中美贸易紧张局势的显著升级。过去几年，中国对出口管制法规和法律机制进行了稳步调整，使该国与美国进行战略竞争的工具多样化。2024 年 12 月的禁令是继 2023 年 7 月首次宣布对镓和锗实施管制之后的又一个升级阶段。尽管近年来，美国限制中国获取半导体的出口管制措施得到了广泛报道，但这一单方面控制几种相对不为人知的材料的行动最初并没有引起太多关注。然而，中国对这些关键材料的管制（从风力涡轮机磁铁到半导体等各种产品）随后在今年晚些时候又对高端石墨和稀土元素永磁体制造技术实施了额外的管制。值得注意的是，根据 2024 年 9 月可用的贸易数据，自 2023 年 7 月宣布对镓实施出口管制以来，没有记录到任何中国向美国或荷兰公司出口过任何产品。
用于高性能深紫外光电探测的微米厚氧化镓薄膜中的定向载流子传输 张文瑞, 1,2 * 魏瓦
微米级氧化镓薄膜中的定向载流子传输用于高性能深紫外光电探测 张文瑞 1,2 * 王伟 1 张金福 1 张谭 1 陈莉 1 王刘 1 张宇 3 曹彦伟 1 季莉 3 叶吉春 1,2 * 1 中国科学院宁波材料技术与工程研究所，浙江省能源光电子材料与器件工程研究中心，浙江 宁波 315201 2 甬江实验室，浙江 宁波 315201 3 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室，上海 200433 关键词：紫外光电探测器，宽禁带半导体，氧化镓，载流子传输，缺陷
特刊——宽带隙半导体材料...
宽带隙 (WBG) 半导体材料，例如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 或氧化镓 (Ga2O3)，使电力电子元件比硅基 (Si) 元件更小、更快、更可靠、更高效。目前，全球约有一半的总能源消耗是电力，预计到 2030 年，80% 的电力将通过电力电子设备流动。然而，基础科学和材料科学还有很大的发展空间；宽带隙材料确实无处不在；几乎整个地壳都是由宽带隙氧化物形成的，还有许多硫族化合物、卤化物、有机和生物材料也是宽带隙材料，还有许多其他可能性。本期特刊是一系列文章的集合，报告了最近获得的结果的简要评论以及在这一广泛研究领域产生的新发现。