* 通讯作者:Tobias Heindel,柏林工业大学固体物理研究所,Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin, Germany,电子邮件:tobias.heindel@tu-berlin.de。https://orcid.org/0000-0003-1148-404X Lucas Rickert、Daniel A. Vajner、Martin von Helversen、Sven Rodt 和 Stephan Reitzenstein,柏林工业大学固体物理研究所,Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin, Germany,电子邮件:lucas.rickert@tu-berlin.de(L. Rickert)。https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L. Rickert)。https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(DA Vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838 (S. Reitzenstein) Kinga Żołnacz,弗罗茨瓦夫科技大学光学与光子学系,Wybrzeże Stanisława Wyspiańskiego 27, 50-370 Wroclaw, 波兰。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 刘汉清,李树伦,倪海桥,牛志川,中国科学院半导体研究所光电材料与器件重点实验室,北京 100083;中国科学院大学材料科学与光电工程中心,北京 100049,E-mail: zcniu@semi.ac.cn (Z. Niu)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H.刘)。 https://orcid.org/0000-0002-9566-6635 (Z. Niu) Paweł Wyborski,弗罗茨瓦夫科技大学实验物理系,Wybrzeże Stanisława Wyspiańskiego 27, 50-370 Wroclaw, 波兰;丹麦技术大学电气与光子工程系,2800,Kgs.,Lyngby,丹麦 Grzegorz Sęk 和 Anna Musiał,弗罗茨瓦夫科技大学实验物理系,Wybrzeże Stanisława Wyspiańskiego 27, 50-370 Wroclaw, 波兰。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G. Sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)
*通讯作者:托比亚斯·海因德尔(Tobias Heindel),柏林技术大学固态物理研究所,Hardenbergstraße36,10623柏林,德国,电子邮件:tobias.heindel@tu-berlin.de。https://orcid.org/0000-0003-1148-404x Lucas Rickert,Daniel A. Vajner,Martin von Helversen,Sven Rodt和Stephan Reitzenstein,固态物理学研究所lucas.rickert@tu-berlin.de(L。Rickert)。https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L.Rickert)。 https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A. vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L.Rickert)。https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A. vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A.vajner)。https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0002-9566-6635(Z.Niu)PawełWyborski,弗罗克瓦夫(Wroclaw)的实验物理学系,斯坦尼斯·威斯皮亚斯基(StanisławWyspiański)27,50-370-Poloclaw,poloclaw,poland,wroclaw Unive Science of Science of Science of Science of Science and Inive Science of Science and Inive Science of Science and Technology of Science of Science and Technoic丹麦技术大学电气和光子学工程系,2800,KGS,Lyngby,Denmark Grzegorzsęk和AnnaMusiał,AnnaMusiał,弗罗克瓦夫科学与技术大学实验物理系,StanisławWyspiański海岸,Poland,50-370 Wroclaw。
门控量子点是实现可扩展耦合量子比特系统和作为量子计算机基本构件的有前途的候选系统。然而,当今的量子点设备存在必须考虑的缺陷,这阻碍了表征、调整和操作过程。此外,随着量子点量子比特数量的增加,相关参数空间增长到足以使启发式控制变得不可行。因此,开发可靠且可扩展的自主调整方法势在必行。本会议报告概述了当前在自动化量子点设备调整和操作方面面临的挑战,特别关注数据集、基准测试和标准化。我们还介绍了量子点社区提出的关于如何克服这些挑战的见解和想法。我们的目标是为致力于自动化工作的研究人员提供指导和启发。
该团队取得了哪些成功?除了证明商用晶体管在低温下表现为量子点外,该团队还展示了使用商用半导体代工技术创建大型量子比特阵列的可行性。研究生 Suyash Pati Tripathi 设计了该团队的第一个 2 × 4 量子点阵列,实现了一个重要的里程碑。“这一突破使我们能够展示可以相互耦合的最小量子点(15 纳米 × 18 纳米)——这是量子技术领域向前迈出的重要一步,”他说。“然而,这只是一个开始!下一个目标是将这种量子点阵列与电子电路结合起来,创建一个完全集成的量子处理器。这种集成将使我们更接近开发实用、可扩展的量子计算机。”
这些材料在激光中被广泛应用,包括作为激光器中的活性介质[3-5]、作为量子信息技术的纯单光子和纠缠光子对源[6]、以及作为新型纳米存储器件的构建块。[7-9] 特别是 InAs/InP 量子点,由于其与 1.55 μ m 的低损耗电信 C 波段兼容,目前作为单光子发射器非常有吸引力。[10,11] 金属有机气相外延 (MOVPE) 中的液滴外延 (DE) 是一种新近且非常有前途的 QD 制造方法,因为它结合了大规模外延技术和多功能外延方法。[12-15] 这是一种相对较新的工艺,其生长动力学尚未完全了解,特别是对于与电信波长兼容的 III-V 材料系统,例如 InAs/InP。因此,它在制造用于广泛应用的电信 QD 方面具有巨大的发展潜力。此外,使用 InP 作为基质材料可以实现 InAs 量子发射体的生长,而无需任何额外的变质缓冲剂(例如 AlInAs/GaAs)。[16 – 18]
摘要:二维(2D)半导体最近由于其独特的光学和电子特性而引起了光传递的极大兴趣。然而,对于单层光晶体管,可检测到的光谱范围和光吸收效率通常非常有限。在这里,我们演示了基于零差(0D)硅量子点(SIQDS)和二硫化钼(MOS 2)形成的范德华异质结构(VDWH)(VDWH)(VDWH)(VDWH),尤其是在Ultraviolet(UV)的光谱范围内,该光谱(MOS 2)表现出很高的检测和响应率。与单独基于单层MOS 2的光晶体管相比,SIQD/MONOLAYER MOS 2 VDWH光晶体管的探测率提高了100倍(从1.0×10 12到1.0×10 12到1.0×10 14 cm×Hz 1/2/w),响应率提高了89倍,响应率提高了66.7秒66.7至66.7 s/f。对于SIQD/几层MOS 2 VDWH,还观察到增强的检测和响应性。分析和对照实验表明,跨SIQD/MOS 2 VDWH的电荷转移导致光子效应和光量。高性能SIQD/MOS 2 VDWH光晶体管对超敏化光检测,基于紫外线的光学通信,神经形态视觉传感和发射速度计算应用具有巨大的希望。关键字:0d/2d van der waals异质结构,Si Quantum Dot,MOS 2,光晶体管,高检测性,高响应率■简介
硅量子点器件由于其延长的相干时间、紧凑的尺寸以及最近在实验中演示的相当大的量子比特阵列,成为大规模量子计算的有希望的候选者。尽管潜力巨大,但控制这些阵列仍然是一项重大挑战。本文介绍了一种新的虚拟门提取方法,以快速建立对单个量子点电位的正交控制。利用对器件物理学的深入了解,所提出的方法通过关注电荷态转变周围的关键区域,显著降低了实验开销。此外,通过采用高效的电压扫描方法,我们可以有效地精确定位这些电荷态转变线并滤除错误点。使用真实量子点芯片数据集进行的实验评估表明,与传统方法相比,速度提高了 5.84 倍到 19.34 倍,从而展示了加速硅自旋量子比特器件扩展的良好前景。
摘要 - 使用BRUS方程研究了限制方程中PBSE,PBS和PBTE半导体的光学性质。结果表明QD表现出尺寸依赖性的光学行为,因此,由于量子限制,QDS表现出可调的带隙和发射波长。随着QD尺寸的减小,所有三种材料的吸收边缘和发射峰均为蓝色。发现PBSE QD即使在较大尺寸的情况下也会显示出明显的量子限制。由于其相对较大的激子BOHR半径(〜46 nm),随着尺寸从10 nm降低到2 nm,频带gap从0.27 eV增加到1 eV,将吸收和排放转移到近红外(NIR)中,导致应用于NIR PhotodeTectors,太阳能电池,太阳能电池,太阳能电池,杂音,并将其应用于。此外,与PBSE相比,PBS QDS在较小的激子BOHR半径(〜20 nm)上显示出较小的量子限制效应。随着尺寸从10 nm降低到2 nm,带隙从0.41 eV增加到1.5 eV,将吸收和发射从NIR转移到可见范围。这是在太阳能电池中使用的,NIR光电探测器和LED可见。此外,PBTE QD还显示出明显的量子限制效应,因为它们相对较大的激子BOHR半径(〜46 nm)。随着尺寸从10 nm降低到2 nm,带隙从0.32 eV增加到约1 eV,将吸收和发射转移到NIR和中红外(miR)区域,使其成为红外探测器,热电和miR应用的出色材料。在研究的半导体材料中,PBS QD通常显示出带隙的最大增加,尺寸降低,使其适合需要更大的带隙可调性的应用,其次是PBSE和PBTE。这些不同的光学特性是由于其独特的电子特性和激子BOHR半径所致。
1 Institute of Solid State Physics, Technical University Berlin, Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin, Germany 2 Department of Optics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeże Stanisława Wyspiańskiego 27, 50-730 Wroclaw, Poland 3 State Key Laboratory for Superlattice and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy中国北京100083科学,北京4材料科学与光电工程中心,中国科学院,北京大学100049,中国100049,中国5个实验物理学系,弗罗克劳夫科学技术系,Wybrze问StaniSławaWyspiańskiego27丹麦,2800,公斤。Lyngby,丹麦 *通讯作者:lucas.rickert@tu-berlin.de,zcniu@semi.ac.cn,tobias.heindel@tu-berlin.deLyngby,丹麦 *通讯作者:lucas.rickert@tu-berlin.de,zcniu@semi.ac.cn,tobias.heindel@tu-berlin.de
摘要目的:在这项研究中,研究了eNOS表达在犬科动物疾病神经病理学中的作用。材料和方法:在研究中,使用了20只狗的小脑组织,用于尸检,并通过组织病理学和免疫组织化学方法诊断为衰减。脑组织中的7只狗死于其他疾病,其中未影响中枢神经系统的其他疾病。所有组织在10%缓冲的福尔马林溶液中固定48小时,然后在自来水中彻底洗涤过夜。在分级醇中脱水后,在二甲苯中清除并嵌入石蜡中。小脑的石蜡块以5μM切割,并用苏木精和曙红(HE)染色,并根据制造商的方案进行免疫组织化学(IHC)。结果:与对照组织相比,eNOS和细胞在感染组织中的表达增加。这种差异在统计上是显着的。结论:结果,eNOS表达增加可能是引发犬科动物疾病神经病理学凋亡的因素之一。然而,需要进一步的研究来导致疾病神经病理学的其他作用。关键字:凋亡,蒸发,狗,eNOS。