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发动机分析仪系列宽带氧传感器安装...
简介 恭喜您购买新的 Accel DFI“发动机分析仪系列”宽带氧气传感器套件！该系统使用最新技术，提供无与伦比的准确性、可重复性和可靠性。耐用的防水外壳和线束组件使其成为安装在引擎盖下或底盘下的理想选择。所有发动机分析仪系列套件都包括集成的数据记录功能，并提供多种选项和配置，几乎可以满足任何应用的需求。以下是发动机分析仪系列中可用零件编号的列表，以及每个编号的相关零件和配置： � 77062 – 包括电子控制模块、线束和传感器。� 77062N - 包括电子控制模块和线束。该套件不包含传感器。可选传感器的零件编号为 77065（实验室级）O2 传感器或 77061（标准级）传感器。该装置可配置为两种类型。� 77062S - 包括上述电子控制模块、线束和传感器以及单个 2 1/16” 数字空燃比表。� 77063 - 包括电子控制模块、线束和 (2) 个传感器可同时连接，用于监测双排气应用中的空燃比信息。� 77063S – 包括一个 2 1/16” 数字空燃比表。该仪表具有易于阅读的数字显示屏和多色 LED 扫描仪表，一目了然。本手册包含上面列出的每个零件编号的说明和接线图。
宽带2×2硅氮化物平台上的多模式接口
基于自我成像效应[1]，多模式干涉仪（MMI）可以用作光束拆分器，这是光子积分电路的基本构建块。MMI与Y分支和方向耦合器相比，由于其定义明确的振幅，相位和出色的公差[2，3]，提供了卓越的性能。因此，MMI在Mach-Zehnder干涉仪（MZIS）[4]，分裂和组合器[5，6]，极化束分裂器[7]中找到应用。与MMIS尺寸降低或性能提高有关的研究已发表[8-11]。最近，在SOI上使用MMI设备的次波光栅在内的设计表现出了巨大的承诺[12，13]。次波长光栅（SWGS）是光栅结构，它利用小于波长的光向音高[14]，抑制衍射效应并表现出各向异性特征[12]。通过工程化各向异性折射率，SWG已在许多应用中使用，例如纤维芯片表面和边缘耦合器[15-17]，微功能波导[18]，镜片[19]，波导cross [20]，多路复用器[17，21，22]，相位移动器[23]和Optical Shifters [23]和Optical Sheifters [23] [23] [24] [24] [24] [24]。使用这种元物质，SWG MMI设备的带宽已在SOI平台上显着扩展[12，13]，这使包括波长二线二线器[25]，宽带偏振器梁拆分器[26] [26]和双模式束分配器有益于广泛的应用[27]。砖SWG结构以减轻制造分辨率的要求[28，29]。在SOI平台旁边，其他CMOS兼容材料，例如氮化硅，氮化铝和硝酸锂引起了很多关注。氮化硅（Si 3 N 4）由于其超低损失[30]，非线性特征[31]，从400 nm到中红外[32]脱颖而出[31]。像SOI平台一样，人们对在硅硅平台内实现高性能MMI设备也非常感兴趣。在本文中，我们将SWG MMI理论从SOI平台扩展到其他集成的光子平台，专门针对300 nm厚的氮化硅平台。我们的目标是设计和优化具有较小脚印和宽操作的SWG MMI设备
发动机分析仪系列宽带氧传感器安装...
简介 恭喜您购买新的 Accel DFI“发动机分析仪系列”宽带氧气传感器套件！该系统采用最新技术，提供无与伦比的精确度、重复性和可靠性。耐用的防水外壳和线束组件使其成为安装在引擎盖下或底盘下的理想选择。所有发动机分析仪系列套件都包含集成的数据记录功能，并提供各种选项和配置以适合几乎任何应用。以下是发动机分析仪系列中可用零件号的列表以及每个编号的相关零件和配置： ¾ 77062 – 包括电子控制模块、线束和传感器。 ¾ 77062N - 包括电子控制模块和线束。该套件不包含传感器。可选传感器包括零件号 77065（实验室级）O2 传感器或 77061（标准级）传感器。该装置可配置为这两种类型。 ¾ 77062S - 包括上述电子控制模块、线束和传感器以及单个 2 1/16” 数字空燃比表。¾ 77063 - 包括电子控制模块、线束和 (2) 个传感器，可同时连接以监测双排气应用中的空燃比信息。¾ 77063S - 包括一个 2 1/16” 数字空燃比表。该仪表具有易于阅读的数字显示屏和多色 LED 扫描仪表，一目了然。本手册包含上述每个零件号的说明和接线图。
8-40 GHz 宽带雪量测量仪的进展
• 第一年/第二年/第三年的地面实验 • 由博伊西州立大学的 HP Marshall 执行 • 目标是初步演示如何使用宽带天线进行 SWE 测量 • 使用 Harris IR&D 开发的 2-18 GHz CSA 天线和在此基础上开发的 Alpha Build 天线 • 利用博伊西州立大学现有的 FMCW 雷达成功测量积雪深度和分层 • 演示了使用更窄波束的 alpha build 天线改进的测量结果性能
路易斯安那州宽带、公平、接入和部署 (BEAD) 计划
宽带；宽带服务：“宽带”或“宽带服务”一词具有《联邦法规》第 47 条第 8.1(b) 节或任何后续法规中“宽带互联网接入服务”一词的含义，这意味着它是一种通过有线或无线方式提供的大众市场零售服务，能够从所有或几乎所有互联网端点以至少一百兆比特每秒或 Mbps 的速度传输数据，下载速度为 21，上传速度至少为 20 兆比特每秒的传输速度接收数据。这包括与通信服务运行相关的任何功能，但不包括拨号互联网接入服务。 宽带公平：当所有人和社区都能够访问和使用满足其长期需求的负担得起、高速、可靠的互联网时，即可实现
新冠肺炎疫情期间宽带和数字化的经济影响
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综述——宽带隙和超宽带隙半导体的辐射损伤
宽带隙半导体 SiC 和 GaN 已经作为功率器件商业化，用于汽车、无线和工业电源市场，但它们在太空和航空电子应用中的应用受到重离子暴露后易发生永久性性能退化和灾难性故障的阻碍。这些宽带隙功率器件的太空认证工作表明，它们易受无法屏蔽的高能重离子空间辐射环境（银河宇宙射线）的损坏。在太空模拟条件下，GaN 和 SiC 晶体管在其额定电压的约 50% 下表现出故障敏感性。同样，在重离子单粒子效应测试条件下，SiC 晶体管容易受到辐射损伤引起的性能退化或故障，从而降低了它们在太空银河宇宙射线环境中的实用性。在 SiC 基肖特基二极管中，在额定工作电压的 ∼ 40% 时观察到灾难性的单粒子烧毁 (SEB) 和其他单粒子效应 (SEE)，并且在额定工作电压的 ∼ 20% 时漏电流出现不可接受的下降。超宽带隙半导体 Ga 2 O 3 、金刚石和 BN 也因其在电力电子和日盲紫外探测器中的高功率和高工作温度能力而受到探索。从平均键强度来看，Ga 2 O 3 似乎比 GaN 和 SiC 更能抵抗位移损伤。金刚石是一种高度抗辐射的材料，被认为是辐射探测的理想材料，特别是在高能物理应用中。金刚石对辐射暴露的响应在很大程度上取决于生长的性质（自然生长与化学气相沉积），但总体而言，金刚石对高达几 MGy 的光子和电子、高达 10 15（中子和高能质子）cm − 2 和 > 10 15 介子cm − 2 的辐射具有抗辐射能力。BN 对高质子和中子剂量也具有抗辐射能力，但由于中子诱导损伤，h-BN 会从 sp 2 杂化转变为 sp 3 杂化，并形成 c-BN。宽带隙和超宽带隙半导体对辐射的响应，尤其是单粒子效应，还需要更多的基础研究。© 2021 电化学学会（“ ECS ” ）。由 IOP Publishing Limited 代表 ECS 出版。[DOI：10.1149/2162-8777/ abfc23 ]
RF-7850S-SPR™ 高级宽带安全个人无线电 (SPR)
RF-7850S SPR 专为应对当今数字战场的挑战而设计，其简单、强大的基于 Web 的用户界面可通过任何边缘设备上受支持的 Web 浏览器查看。由于它配备了易于使用的 L3Harris 地面部队跟踪器，因此无论使用何种设备，战斗管理系统功能都掌握在每个士兵手中。这允许士兵下载地图并查看网络上所有士兵的位置。
紧凑型五重奏带有高选择性和宽带宽度
在本文中，提出了具有高选择性和宽带宽带的紧凑型五重杆置带的超宽带带通滤波器。该过滤器采用近似闭环C形的踏板阻抗谐振器来生成三重置换频带，并使用Hilbert Fractal曲线缝隙和L形谐振器分别创建单个缺口频带。多个缺口带的中心为5.29、6.61、7.92、8.95和9.93 GHz，以消除来自WLAN，C-Band和X波段无线服务的不良干扰。此外，引入了两个传输零，以提高锋利的裙子的选择性高达0.944。该过滤器可以同时表现出高尖锐的选择性和更宽的带宽。该过滤器是在RT/Duroid 5880子策略上制造的（εr= 2.2，厚度= 0.787 mm），并测量以验证仿真结果。模拟和测量都非常一致，显示了过滤器的良好性能。