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宽带宽带完美吸收，用于一维开放式脱离问题
被动超材料是从波浪共振机理中受益的人造或自然结构。在声学中，它们已被广泛用于实现所需的波浪现象，例如声波衰减，[1-4]扩散，[5-9]单向传输，[10-12]，例如声学二极管，[13]可折线二极管，[13]可直接fractive-fractive-fractive-fractive-fractive-fractive-ractive-Index介质，[14]拓扑任务，[21-24]等。其中，空气中的声音的吸收[25-32]代表了最重要的应用之一。与传统的被动声处理相比，超材料可以显着提高处理低频声波的效率，并使亚波长宽带吸收成为可能。在这种类型的元用户的设计过程中，应精确控制所采用的超材料的分散性能。在被动设计策略中，已经进行了广泛研究的单极或偶极类型的耦合分辨率（例如，请参见[25,26,33]，[34]第3章，[34]第5章，[35]等第5章等）。在一维（1D）反射问题（具有刚性边界[36-38]或软边界[39]）中，可以使用单个谐振器以给定的频率实现。[40,43]请注意，通过使用相同类型的两个谐振器，应适当选择它们在波动方向上的距离以产生其他类型的共振。[40,44]另外，可以考虑退化的谐振器[26,40]，这是通过在波传播沿同一位置引入单极和偶极共振来实现的。在相反的情况下，在1D传输问题中，单极或偶极型谐振器可以实现的最大吸收系数为αmax= 1/2 [25,40–42]；为了产生完美的吸收，至少需要两个耦合的谐振器，因为两种类型的共振都需要相同频率以同时抑制反射和传输。使用退化的谐振器通常会以更加困难的设计过程的价格实现空间紧凑的设计，以使其完美地吸收，因为Evanes-Cont耦合通常很重要。请注意，前面提到的策略是基于产生的镜像对称性
具有超宽带自相位补偿的反射式光学涡旋发生器
摘要：信息的爆炸式增长迫切要求扩展光通信和信息处理的容量。基于轨道角动量的模分复用 (MDM) 被公认为提高单光纤带宽最有前途的技术。为了使其与主波分复用 (WDM) 兼容，宽带等高效相位编码受到高度追求。本文提出了一种基于扭曲液晶和后镜的超宽带反射平面光学设计。光在扭曲双折射介质内的回溯导致消色差相位调制。利用这种设计，展示了单扭曲反射 q 板将白光束转换为多色光学涡旋。进行了琼斯演算和矢量光束表征以分析宽带相位补偿。双扭曲配置将工作波段进一步扩展到 600 nm 以上。它为WDM/MDM兼容元件提供了超宽带和反射解决方案，并可能显著促进超宽带平面光学技术的进步。
用于深层微波热疗的超宽带头盔脑部治疗器中的天线布置
简单总结：尽管早期研究对胶质母细胞瘤的疗效令人鼓舞，但目前热疗尚未应用于脑癌的治疗。由于关键器官的存在及其对高温的额外敏感性，聚焦颅内加热是一项具有挑战性的任务。在本文中，我们引入了一个新概念来设计 UWB 施加器，以便在大型脑肿瘤中实现足够的温度，同时保护健康组织免于过热。我们引入了一种快速电场近似方案，可以快速探索大量阵列配置，以确定头部周围最优化的天线布置，以满足临床热疗的多个目标和要求。所提出的解决方案设法实现了成功治疗所必需的肿瘤覆盖和热点抑制水平。结果表明，该方法足够准确，可以为给定的肿瘤形状和位置提供有关最合适天线布置的定性指示，同时产生比环形天线阵列更高的目标温度。
RavenStar™一种适用于您的任务的超宽带技术
RavenStar™是一种创新的超宽带技术，可实现可扩展的RF性能，并具有高级功能，例如果酱阻力，多个极化，双链操作和横梁转向。这种开创性的技术可以取代消费珍贵互换的天线农场，并提供高级的多通道功能，通常仅由昂贵且复杂的多元素阵列提供。孔径：
CMOS 射频能量收集器 (RFEH) 带有全片上可调升压器，可提高宽带灵敏度
摘要：射频能量收集 (RFEH) 是目前广受欢迎的一种可再生能源收集形式，因为许多无线电子设备可以通过 RFEH 协调其通信，尤其是在 CMOS 技术中。对于 RFEH，检测低功率环境 RF 信号的灵敏度是重中之重。通常采用 RFEH 输入端的升压机制来增强其灵敏度。然而，保持其灵敏度的带宽非常差。这项工作在 3 级交叉耦合差分驱动整流器 (CCDD) 中完全在片上实现了可调升压 (TVB) 机制。TVB 采用交错变压器架构设计，其中初级绕组实现到整流器，而次级绕组连接到 MOSFET 开关，用于调节网络的电感。 TVB 使整流器的灵敏度保持在 1V 直流输出电压下，在 3 至 6 GHz 的 5G 新无线电频率 (5GNR) 频段的宽带宽内最小偏差为 − 2 dBm。在 − 23 dBm 输入功率下，直流输出电压为 1 V，峰值 PCE 在 3 GHz 下为 83%。借助 TVB，可以在 1 V 灵敏度点处保持 50% 以上的 PCE。提出的 CCDD-TVB 机制使 CMOS RFEH 能够以最佳灵敏度、直流输出电压和效率运行于宽带应用。
3C样蛋白酶抑制剂阻止体外冠状病毒复制，并改善了MERS-COV感染的小鼠的存活率 会议系列 内建立的超构成相互作用使高安全性实用 在全球电气化和限制资源下，用于钴和稀土元素的综合供应链分析 有效的状态矢量模拟器和量子算法... 定向能量沉积添加剂制造（... Cu2O/cus纳米复合材料通过二氧化碳的电化学还原 独立光震件：三维的多功能模板 的proceeigs 将振荡器编码为许多振荡器 1个超临界二氧化碳周期的质量优化... 1通过实验驱动的自动化机器学习... 宽带正交平方的真空和非经典光子数量相关性来自纳米光子设备
病原性冠状病毒是对全球公共卫生的主要威胁，例如严重的急性呼吸综合症冠状病毒（SARS-COV），中东呼吸综合症冠状病毒（MERS-COV）和新出现的SARS-COV-2，是冠心病2019（Covirus 2019）（Covirus nipery 2019）。我们在本文中描述了冠状病毒3C样蛋白酶（3CLPRO）的一系列抑制剂的结构引导优化，这是一种对病毒复制必不可少的酶。优化化合物在酶测定中使用HUH-7和VERO E6细胞系中的几种人冠状病毒和基于细胞的测定中的几种人冠状病毒有效。两种选定的化合物在培养的原代人气道上皮细胞中显示出对SARS-COV-2的抗病毒作用。在MERS-COV感染的小鼠模型中，病毒感染后1天的铅化合物从0增加到100％，并减少了肺病毒滴度和肺部组织病理学。这些结果表明，这一系列化合物有可能进一步发展为针对人冠状病毒的抗病毒药物。
混合有机中的可调谐宽带分子发射...
摘要：能够可控地增强或抑制层状二维 (2D) 杂化钙钛矿中不同物种的发光贡献，有利于开发颜色可调的宽带发射器。特别是对于表现出有机阳离子层间敏化三重态发射的 2D 钙钛矿，最终的分子发射曲线通常受相邻发色团之间分子间相互作用的影响。将这些发色团嵌入惰性宿主阳离子是一种新兴的策略，用于控制分子间耦合程度，从而影响孤立单体与多分子状态的形成。在这项工作中，我们展示了含有不同数量的萘发色团与己基铵阳离子混合的 2D 钙钛矿的可调宽带发射。在一系列钙钛矿中，自由或自陷激子和萘三重态单体或准分子的发射有助于从绿色到黄色再到橙色的广泛颜色可调性。这些结果表明，有机阳离子混合可能是一种通用方法，可用于修改二维杂化钙钛矿中的光物理结果。关键词：激子、钙钛矿、层状材料、能量转移、磷光、准分子、三重态敏化、杂化界面■ 简介
宽带顺序负载调制平衡...
摘要：介绍了顺序负载调制平衡放大器（SLMBA）的基本理论，分析了其有源负载调制的工作原理。为了进一步提高SLMBA的性能，提出了一种有别于传统耦合器设计的耦合器与功率放大器（PA）联合设计的方法。该耦合器-PA联合设计方法根据SLMBA的回退点和饱和点，可以使耦合器和三通PA的工作状态更接近实际情况，提高了SLMBA的整体性能。然后通过预设的输出功率回退（OBO）10 dB确定控制PA与平衡PA的最大输出功率比，通过平衡PA的负载调制阻抗走线确定相位补偿线。为了验证所提方法，设计了工作在1.5～2.7 GHz（57%相对带宽）的SLMBA。版图仿真结果表明该器件饱和输出功率达到40.7～43.7 dBm，小信号增益为9.7～12.4 dB，饱和点和10 dB OBO点的漏极效率分别为52.7%～73.7%和44.9%～59.2%。
超宽带双...的实验特性
硅光子集成电路通常需要 3 dB 光功率分配器，该分配器具有最小损耗、小尺寸、超宽带宽和宽松的制造公差，用于在芯片上分配光，并作为形成更复杂设备的关键构件。对称 Y 型结因其与波长无关的响应和简单的设计而在其他功率分配设备中脱颖而出。然而，当前制造方法的分辨率有限，导致两个 Y 型结臂之间的尖端出现最小特征尺寸 (MFS)，从而导致基模的严重损耗。在这里，我们建议通过在新型超宽带和制造公差 Y 型结中利用亚波长超材料来规避这一限制。对 260 nm 带宽（1420-1680 nm）进行的详尽实验研究表明，对于高分辨率光刻工艺（MFS ~ 50 nm），基本横电模式（TE 0 ）的额外损耗低于 0.3 dB，对于 100 nm 的制造分辨率，额外损耗低于 0.5 dB。亚波长 Y 结具有 ±10 nm 的确定性诱导误差，进一步证明了稳健的制造公差。此外，使用高分辨率光刻技术，分路器在 100 nm 带宽（1475-1575 nm）内表现出低于 1 dB 的一阶横电模式（TE 1 ）的额外损耗。
宽带隙器件及其在电力电子中的应用
摘要：电力电子系统对现代社会影响巨大。它们的应用旨在通过最大限度地减少工业化对环境的负面影响（如全球变暖效应和温室气体排放）来实现更可持续的未来。基于宽带隙 (WBG) 材料的功率器件有可能在能源效率和工作方面实现范式转变，而这些转变与基于成熟硅 (Si) 的器件相比毫无二致。氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 被视为最有前途的 WBG 材料之一，它们可以大大超越成熟 Si 开关器件的性能极限。基于 WBG 的功率器件可以在更高的开关频率下实现快速开关，同时降低功率损耗，因此可以开发高功率密度和高效率的功率转换器。本文回顾了流行的 SiC 和 GaN 功率器件，讨论了相关的优点和挑战，最后介绍了它们在电力电子中的应用。