我们的学校................................................................................................................................................................................................................ 4 学生人口统计................................................................................................................................................................................... 4 入学人数................................................................................................................................................................................................... 4 教职员工人口统计...................................................................................................................................................................................... 4 我们的校长...................................................................................................................................................................................... 5 亮点...................................................................................................................................................................................................... 5 战略规划流程概述.................................................................................................................................................................................... 9 我们的计划一览................................................................................................................................................................................ 10 我们的目标................................................................................................................................................................................................ 11
摘要:iii-v半导体发光二极管(LED)是证明电致发冷却的有前途的候选人。但是,异常高的内部量子效率设计对于实现这一目标至关重要。可以防止基于GAAS的设备中统一内部量子效率的重要损失机制是周长侧壁的非辐射表面重组。为了解决此问题,提出了非常规的LED设计,其中从中央电流注入区到设备周边的距离延长了,同时保持恒定的前触点网格大小。这种方法有效地将周长移动到电流密度10 1-10 2 A/cm 2的电流密度以外的横向扩散。在P - I-N GAAS/INGAP双重杂结LED中,用不同尺寸和周长扩展制造的LED,通过将外周向接触距离从250μm扩展到250μm的前触点尺寸,可实现19%的外部量子效率。利用内部开发的光子动力学模型,估计内部量子效率的相对相对增加为5%。这些结果归因于由于较低的周边面积(p/a)比,周长重组的重组显着降低。但是,与通过增加LED的前触点网格大小来降低P/A比相反,目前的方法可以改进这些改进,而不会影响前触点网格下显微镜活性LED所需的最大电流密度。这些发现有助于在LED中进行电致发冷却的进步,并可能在其他专用的半导体设备中有用,在这些专用的半导体设备中,在外围重组是限制的。关键字:电致发冷却(ELC),微型LED(发光二极管),III-V半导体,电流扩散,周边重组,表面钝化
- 血细胞计数、分类血细胞计数 - 血型、抗体筛查测试 - 电解质(钠、钾、钙)、肌酐(包括计算的 GFR)、尿素、尿酸、LDH、GPT、GOT、铁状态(铁蛋白、转铁蛋白饱和度)、糖化血红蛋白 - proBNP 或 BNP、肌钙蛋白 T 或 I - 25-羟基胆钙化醇(检测维生素 D 缺乏症) - 肾功能不全或高钙血症时:1,25-二羟基胆钙化醇(维生素 D 代谢) - 总蛋白和白蛋白、免疫球蛋白定量(IgG、IgA、IgM)、β2-微球蛋白 - 血清蛋白电泳(SPEP)和 M 蛋白定量、免疫固定 - 游离 κ 和 λ 轻链、轻链比率 - 冷球蛋白 - 冷凝集素 - 疫苗接种状况、HIV 和肝炎血清学 - 维生素 B12、叶酸、促红细胞生成素(肾功能不全的情况下) - 通过 FACS 分析进行表面标志物检测(仅适用于白血病病程) - 出血倾向的情况下:vWF Ag 和活性 + 因子 VIII 测定(继发性 VW 综合征?)
注意:• 现役人员:要报名参加 Space A 旅行,您必须处于休假状态:旅行时,您需要提供休假文件的副本 • 现役人员无人陪伴的家属:要参加 Space A 计划,您需要提供相应的已签名的 4 类或 5 类信函
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