modulei:VLSI(10小时)VLSI设计概述的概述:历史透视,VLSI设计方法的概述,VLSI设计流,VLSI设计流,设计层次结构,规则性,模块化和局部性概念,局部性,VLSI设计样式,设计质量,包装技术,包装技术,CAD技术。MOS晶体管理论:金属氧化物半导体(MOS)结构的简介,长通道I-V特征,C-V特性,非线性I-V效应,直流传递特性。moduleii:ASIC(10小时)ASIC设计流:ASIC和SOC概论,ASIC流程概述,功能验证,RTL-GATE水平合成,合成优化技术,前时间验证,静态定时验证,静态定时分析,地板计划,平面图,放置和路线,提取,提取,外布置后,布局后验证,验证,验证。CMOS流程技术:制造过程流程 - 基本步骤,CMOS N-WELL过程,布局设计规则,贴纸图,全custom面膜布局设计。模块:MOS及其类型(10小时)MOS逆变器(静态特征):电阻载荷逆变器,N型16 MOSFET负载的逆变器,CMOS逆变器。MOS逆变器(开关特性和互连效应):延迟时间定义,延迟时间的计算,逻辑努力,具有延迟限制的逆变器设计,互连寄生虫的估计,互连延迟的计算,总线与网络连接(NOC)(NOC),CMOS INVERTERS CMOS INVERTERS的开关电源耗散。模块:CMOS(10小时)组合CMOS逻辑电路:MOS逻辑电路NMOS负载,CMOS逻辑电路,复杂的逻辑回路,CMOS传输门(PASS门),比率,比率,比率,动态和通过透视逻辑。顺序MOS逻辑电路:双稳定元素,SR闩锁电路,时钟闩锁和触发器电路的行为,CMOS D-LATCH和EDGE触发的触发器。正时路径,设置时间并保持时间静态,设置的示例并保持时间静态,设置和保持Slack,时钟偏斜和抖动,时钟,重置和电源分布。内存设计,SRAM,DRAM结构和实现。
墨尔本(澳大利亚)——2024 年 10 月 24 日。Telix Pharmaceuticals Limited (ASX: TLX, Telix, 公司) 今天宣布,美国食品药品监督管理局 (FDA) 已接受 TLX101-CDx (Pixclara® 1 ) 的新药申请 (NDA),该药物是一种用于胶质瘤成像的药物。该申请已获得优先审查,并指定 PDUFA 2 目标日期为 2025 年 4 月 26 日,为 2025 年在美国商业化上市铺平了道路 3 。Pixclara(18 F-floretyrosine 或 18 F-FET)是一种 PET 药物,用于根据成人和儿童患者的治疗相关变化来表征进行性或复发性胶质瘤。 FET PET 已纳入神经胶质瘤成像的国际临床实践指南 4 ,但目前美国尚无 FDA 批准的用于成人和儿童脑癌成像的靶向氨基酸 PET 药物。鉴于 Pixclara 具有满足重大未满足医疗需求的潜力,已被 FDA 指定为孤儿药 5 并授予快速通道资格 6 。神经胶质瘤是最常见的中枢神经系统原发性脑肿瘤,其诊断和治疗亟待改善,特别是在治疗后。传统 MRI 7 成像技术有几个局限性,包括缺乏生物特异性、依赖于血脑屏障破坏,以及无法区分肿瘤进展或治疗相关原因。这可能会导致不确定的结果并延迟时间敏感的治疗决策 8 。由于生存率低且需要快速做出决策,精准成像至关重要。经监管部门批准后,Pixclara 有望满足这一需求,使美国患者在诊断和治疗决策方面获得更清晰的认识。Telix 还在研究将 Pixclara 作为 TLX101-Tx 的“配套”诊断剂的潜在用途,TLX101-Tx 是目前正在开发的神经肿瘤药物,其靶向相同的氨基酸转运蛋白机制和治疗靶向放射治疗。Telix Precision Medicine 首席执行官 Kevin Richardson 表示:“Telix 相信 FDA 批准 Pixclara 将推动美国脑癌成像的重大变革,并使其与其他市场目前使用的更先进的护理标准保持一致。目前,脑癌急需更好的成像,Telix 致力于提供精准医疗解决方案,以满足患者需求并增强癌症成像和治疗效果。”
• High-accuracy voltage detection circuit Overcharge detection voltage 3.500 V to 4.800 V (5 mV step) Accuracy ±15 mV Overcharge release voltage 3.100 V to 4.800 V *1 Accuracy ±50 mV Overdischarge detection voltage 2.000 V to 3.000 V (10 mV step) Accuracy ±50 mV Overdischarge release voltage 2.000 V to 3.400 V *2准确性±75 mV放电过电流1检测电压5 mV至100 mV(0.5 mV步)精度±1.5 mV排放过电流2检测电压10 mV至100 mV至100 mV(1 mV步骤)精度±3 mV载荷量±3 mV载荷载荷量短,可检测20 mV至100 mV(1 mV)的精度3毫米1 mv 1 mv 1 mv 1 mv 1 mv 5 5 mv 5 5 mv 5 5 mv;步骤)准确性±10 mV电荷过电流检测电压-100 mV至-5 mV(0.5 mV步)精度±1.5 mV•仅通过内部电路(不必要外部电容器)生成检测延迟时间。•放电过电流控制功能释放出排出过电流状态的条件:负载断开释放电压过电流状态的电压:放电过电流释放电压(v riov)= v dd×0.8(typ。)•0 V电池充电:启用,抑制•功率功能:可用,不可用•高功能电压:VM PIN和CO PIN:绝对最大额定值28 V•宽操作温度范围:TA = -40°C至 +125°C•操作过程中低电流消耗量:2.0 µA typ,4.0 µA typ.4.0 µ µA typ。(ta = +25°C)在降压期间:最大50 Na。(TA = +25°C)过度过度:最大0.5 µA。(TA = +25°C)•无铅(SN 100%),无卤素•AEC-Q100的过程 *3 *1。过度充电释放电压=过度充电检测电压 - 过度充电磁滞电压(可以在50 mV步骤中选择为0 V或从0.1 V至0.4 V范围选择。*2。过度释放释放电压=过度放电检测电压 +过度放电磁滞电压(过度放电磁滞电压可以作为0 V或从100 mV步骤中的0.1 V至0.7 V范围选择。)*3。请联系我们的销售代表以获取详细信息。应用程序
本 IC 是锂离子 / 锂聚合物充电电池的高端保护 IC,包含高精度电压检测电路、延迟电路和三重升压充电泵,用于驱动外部充电 / 放电 FET。适用于保护 1 节锂离子 / 锂聚合物充电电池组免受过充电、过放电和过电流的影响。通过使用外部过电流检测电阻,本 IC 实现了高精度过电流保护,且受温度变化的影响较小。 特点 ● 高精度电压检测电路 过充电检测电压 3.500 V ~ 4.800 V (5 mV 进阶) 精度±15 mV 过充电解除电压 3.100 V ~ 4.800 V *1 精度±50 mV 过放电检测电压 2.000 V ~ 3.000 V (10 mV 进阶) 精度±50 mV 过放电解除电压 2.000 V ~ 3.400 V *2 精度±75 mV 放电过电流 1 检测电压 -3 mV ~ -100 mV (0.25 mV 进阶) 精度±1 mV 放电过电流 2 检测电压 -6 mV ~ -100 mV (0.5 mV 进阶) 精度±3 mV 负载短路检测电压 -20 mV ~ -100 mV (1 mV 进阶) 精度±5 mV 充电过电流检测电压3 mV ~ 100 mV(0.25 mV 进阶) 精度±1 mV 0 V 电池充电禁止电池电压 1.45 V ~ 2.00 V *3(50 mV 进阶) 精度±50 mV ● 过热检测功能:有、无 ● 带外置 NTC 热敏电阻的高精度温度检测电路(阻值:25°C 时 100 kΩ±1% 或 470 kΩ±1%,B 常数:±1%) 过热检测温度 +65°C ~ +85°C(5°C 进阶) 精度±3°C 过热释放温度 +55°C ~ +80°C(5°C 进阶)*4 精度±5°C ● 内置电荷泵:三重升压(调节电压 = V DD + 4.2 V) ● 检测延迟时间仅由内部电路产生(不需要外置电容器)。 ● 放电过电流控制功能 放电过电流状态的解除条件 : 断开负载、连接充电器 ● 0 V 电池充电 : 允许、禁止 ● 休眠功能 : 有、无 ● 省电功能 : 有、无 ● PS 端子内部电阻连接 通常状态下 : 上拉、下拉 省电状态下 : 上拉、下拉 ● PS 端子内部电阻值 : 1 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩ 进阶单位) ● PS 端子控制逻辑 : 动态 "H"、动态 "L" ● 高耐压 : VM 端子、CO 端子和 DO 端子 : 绝对最大额定值 28V ● 宽工作温度范围 : Ta = -40°C ~ +85°C ● 低消耗电流 工作时 : 6.0 µA 典型值、10 µA 最大值 (Ta = +25°C) 休眠时 : 50 nA 最大值 (Ta = +25°C) 过放电时 : 1.0 µA 最大值(Ta = +25°C) 省电时:50 nA(最大值) (Ta = +25°C) ● 无铅、Sn100%、无卤素 *5
Vertex Standard 编程软件允许用户通过设置频率、功能和参数来定制他们的 Vertex 无线电。该软件与 Windows 操作系统兼容,并允许用户:* 设置频道频率和隐私代码* 为无线电上的可编程键分配功能* 配置超时计时器和其他功能的延迟时间* 保存设置并使用相同配置对多个无线电进行编程注意:FIF-10 电缆已停产并由 FIF-12 取代。在线指南可帮助用户确定其特定无线电型号所需的 Vertex Standard 编程软件和必要的编程电缆。用户还可以获得所有 Vertex Land Mobile 无线电的可下载软件副本。必须注意的是,操作某些频率需要 FCC 许可证,如果发生未经许可的传输,可能会受到严厉处罚。YAESU 提供在订购无线电时免费获得许可证的帮助。如果只有 12 至 16 伏直流电源可用,则可选的 E-DC-5B 或 E-DC-6 直流适配器可用于为电池充电。 FNB-V57 高容量电池不能使用 NC-72 充电;相反,请使用 CD-16。为了抵抗互调型干扰,请在通向基站的同轴线上安装合适的 144-148 MHz 带通滤波器。如果您使用的是“B”版本(在欧洲),请按 T-CALL 开关以发送 1750 Hz 音调,以访问需要它的中继器。必要时,按 [VFO (PRI)] 按钮选择 VFO 模式。VX-150 有两个 VFO,分别标记为“A”和“B”,可用于本手册中描述的所有程序。ARS 功能可在调谐到标准中继器子带时提供中继器发射频率的偏移。启用后,将显示一个小的“-”或“+”,表示中继器偏移处于活动状态,关闭即按即说开关会将显示更改为(偏移的)发射频率。可以锁定 VX-150 的各个按键和开关,以防止意外更改频率或无意传输。接收省电模式使无线电设备在一段时间内处于休眠状态,然后定期将其唤醒以检查活动。如果有人在该频道上讲话,VX-150 将保持“活动”模式,然后恢复其“休眠”(正常)省电模式操作。当上次收到的信号非常强时,发射省电模式会自动降低功率输出水平。使用发射省电模式,自动选择低功率操作可显著节省电池消耗。VX-150 能够测量当前电池电压。按 [F] 键,然后按 [0 (SET)] 键进入设置模式。旋转 DIAL 选择菜单项 #37(“电池电量”)。按 [VFO (PRI)] 按钮可随时更改 VFO。只要调谐到标准中继器子带,ARS 就会提供中继器偏移发射频率。启用后,将显示一个小的“-”或“+”,表示中继器偏移处于活动状态。可能的锁定组合为: - 仅锁定前面板按键... - 参见第 18 页。VX-150 的一个重要功能是其接收省电模式,该模式可“使无线电设备休眠”一段时间,并定期“唤醒”以检查活动。如果有人在频道上讲话,VX-150 将保持“活动”模式,然后恢复其“休眠”...(正常)省电操作。VX-150 还包括一个有用的发射省电模式,当最后收到的信号非常强时,它将自动降低功率输出水平。使用发射省电模式,自动选择低功耗操作可显著节省电池消耗。VX-150 能够测量当前电池电压。按[F]键,然后按[0 (SET)]键进入设置模式。旋转 DIAL 选择菜单项 #37(“... 编程默认 VX-150 设置模式已在工厂分配给 [7 (P1)] 和 [8 (P2)] 键。如果要为键定义另一种设置模式,用户可以更改这些设置。完成选择后,按 PTT 键保存新设置并退出正常操作。 VX-150 有两个 VFO,分别标记为“A”和“B”,其中任何一个都可以用于本手册中描述的所有程序。您可以随时使用 [VFO (PRI)] 按钮更改 VFO。 基本操作 VX-150 中的 ARS(自动中继器异频)功能可在您调谐到标准中继器子带时提供中继器异频发射频率(见下图)。启用后,显示屏左上角将显示一个小的“-”或“+”,表示中继器异频处于活动状态,并关闭即按即说开关将显示更改为(移位的)发射频率。为了防止意外的频率更改或无意的发射,VX-150 的各个按键和开关可能被锁定。可能的锁定组合是:仅前面板按键被锁定... 请参阅第 18 页。VX-150 无线电允许各种存储信道设置,包括主信道和五组频带边缘存储器。要调用特定的存储信道,请在选择它后短暂按下 MR(跳过)键。在 CTCSS 解码或 DCS 操作期间,可以通过设置 VX-150 以在来电时用铃声提醒您来激活“铃声”。无线电的扫描功能使您能够扫描存储信道、整个操作频带或该频带的一部分。它会在遇到信号时停止,允许您与该频率上的电台通话。在扫描之前,选择扫描仪在信号上停止后应如何恢复扫描。此外,VX-150 还具有在扫描仪在信号上停止时自动点亮 LCD 灯的功能。可以按 [F] 键,然后按 [0 (SET)] 键进入设置模式,然后选择所需设置,以禁用扫描灯。该电台的扫描功能还包括双通道扫描功能,让您可以在 VFO 或记忆信道上操作,同时定期检查用户可选择的优先信道是否活动。要激活此功能,请按 [F] 键,然后按住 [VFO (PRI)] 键。此外,VX-150 的 16 键键盘提供 DTMF 操作,可轻松拨号以进行自动补丁或中继器控制。键盘包括数字,以及常用于中继器控制的音调。最后,无线电的 CW IDENTIFIER SETUP 允许您设置 CW ID 功能,方法是按 [F] 键启用此菜单项的更改,然后旋转 DIAL 选择所需的设置。操作年度 VX-150 分组 TNC 操作说明和重置 VX-150 无线电可用于分组操作,配有可选的 CT-44 麦克风适配器,可通过常用连接器或构建自定义电缆轻松连接到 TNC。便捷的“克隆”功能允许将内存和配置数据从一个收发器传输到另一个收发器,这在公共服务操作中很有用。要激活设置模式:按 [F] 键,然后按 [0 (SET)] 键,使用 DIAL 选择菜单项编号,然后根据需要进行调整。设置: * 设置模式选项:5/10/12.5/15/20/25/50 kHz * 默认值取决于对讲机版本 * 恢复功能:+ 可用值:5 秒/忙碌/保持 + 默认值:5 秒 * ARTS 轮询间隔:15 秒/25 秒(默认值:15 秒) * 键盘蜂鸣器:开/关(默认值:开) * 繁忙信道锁定:开/关(默认值:关) 其他设置: * 超时计时器:关/1 分钟/2.5 分钟/5 分钟/10 分钟(默认值:关) * CW 标识符:编程并激活以用于 ARTS 操作 * 智能搜索:按照第 23 页的详细说明激活该功能 * 电源电压指示器:按 [F] 键,然后按 PTT 键退出正常操作 注意: * 未经 Yaesu Musen 批准的更改或修改可能会使操作此设备的授权失效。 * 本设备符合 FCC 规则第 15 部分。要进行调整或设置特定音频频率:按住 F 键并将主拨盘转到所需设置。按 PTT 按钮保存。如果您需要设置 PL 音频,请在按下 F 键后快速按下 1/SQ TYP 键,然后旋转直到出现 TN ENC。接下来,按住 F 键,然后按下 2/CODE 键,并将拨盘调整到您喜欢的音频频率。要将其存储在内存信道中:按照设置频率及其设置的步骤操作,然后按住 F 键一秒钟,然后旋转拨盘以选择内存插槽号并保存。要访问存储的频率或扫描这些频率,请按 MR/SKIP 键进入 MR 模式。选择所需的存储频道或在 MR 模式下短暂按住其中一个 MHz 键以开始扫描已保存的频道。按 PTT 停止扫描,然后使用 F 键,然后按 MR/SKIP 键暂时跳过不需要的频道。要取消跳过频道,请重复此过程。