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World File Search System开路电压
通过沉浸式虚拟现实（Virtual-HF）提高对心力衰竭患者康复的依从性：一种随机对照试验的方案
由于锂离子电池已经变得越来越普遍，因此由于其对系统的可用性和安全性的影响，估计其剩余使用寿命（RUL）已成为必要。rul对于建立预后价值而建立预测维护策略特别有用。电池降解模型还应结合不同用法和环境条件对电池性能的影响，以对RUL进行可靠的预测。电池降解行为必须通过加速降解测试来表征，该测试是根据最佳设计理论计划的，以预测统治并区分竞争模型。可以通过使用基于良好降解模型的增强学习方法来选择最佳的维护策略。本文介绍了所有这些方法的简要概述。单独地，它们在文献中得到了很好的代表，但是考虑它们是一种新颖的维护方法。由于电池经常在不受控制的环境中使用，因此这种方法的综合政策和模型学习方面似乎尤其有希望。锂离子电池的健康状况（SOH）在降低过程中呈指数衰减。可以使用各种方法来估计SOH参数，包括从放电能力或开路电压（OCV），传感器融合算法或间接处理等效串联电阻（ESR）的直接估计。几个因素导致电池降解，包括电池化学，尺寸和操作条件。重要的是要注意，总体趋势始终是特征的
can-p3s and-c3s-monolayers-as-as-as-Anode-Materials ...
迫切需要有效的储能设备，对金属离子电池的研究和开发有希望的阳极材料非常关注。通过密度功能研究，我们首次成功地预测了P 3 S和C 3 S单层的电化学性能，可以在碱金属（LI，LI，NA和K）电池中使用。我们的研究研究了原始的单层能量，动力和热稳定性。原始纳米片的电子结构表现出宽间隙的半导体。单层上的单个金属化后，复合系统变为金属。电荷密度差（CDD）分析表明，电荷转移是从碱金属原子到P 3 S和C 3 S单层的，而Bader电荷分析量化了电荷转移量。我们已经分析了2D结构中单个Adatom扩散的容易分散。一个例子是k上k的扩散，c 3 s的较低屏障值为0.06 eV，并且似乎无障碍物。此外，我们预测的复合系统报告了相当大的理论存储能力（C）；例如，六边形K adsorbed C 3 s显示存储容量为1182.79 mA h g -1。估计的开路电压（OCV）值表明C 3 S单层有望用于LI-，Na-和K-ION电池的阳极材料，而P 3 S单层单层适合作为LI-，Na-和K-ion电池的阴极材料。
在 ...上生长的 0.6 eV 以下倒置变质 GaInAs 电池
介绍了在 InP 和 GaAs 上生长的带隙低于 0.60 eV 的倒置变质 Ga 0.3 In 0.7 As 光伏转换器。InP 和 GaAs 上的穿线位错密度分别为 1.3 ± 0.6 × 10 6 和 8.9 ± 1.7 × 10 6 cm − 2。在辐照下，器件分别产生 0.386 和 0.383 V 的开路电压，产生 ≈ 10 A cm − 2 的短路电流密度，产生 0.20 和 0.21 V 的带隙电压偏移。功率和宽带反射率测量用于估计热光伏 (TPV) 效率。估计 InP 基电池在 1100°C 时可产生 1.09 W cm − 2，而 GaAs 基电池可产生 0.92 W cm − 2，效率分别为 16.8% 和 9.2%。两种器件的效率都受到亚带隙吸收的限制，功率加权亚带隙反射率分别为 81% 和 58%，其中大部分假定发生在分级缓冲器中。如果先前证明的反射率已达到，则估计 1100°C TPV 效率在移除分级缓冲器的结构中将增加到 24.0% 和 20.7%。这些器件也适用于 2.0–2.3 μ m 大气窗口内的激光功率转换。在 2.0 μ m 辐照度 1.86 和 2.81 W cm −2 下，峰值激光功率转换效率分别估计为 36.8％ 和 32.5％。
研究文章电池电压预测技术使用机器学习模型具有较高的外推精度
基于机器学习（ML）型号和现实世界中收集的锂离子电池（LIB）数据的电池性能预测技术最近受到了很多关注。但是，对于使用现实世界数据的ML模型来说，较差的外推精度是一个主要挑战，因为数据频率分布可能不均匀。在这里，我们使用电化学模拟模型生成的人工数据研究了ML模型的外推精度。特别是，我们为训练数据设置了较低的开路电压（OCV）限制，并生成数据限于较高的充电状态（SOC）区域，以训练电压预测模型。我们已经验证了在几个较低的OCV限制设置下测试数据的电压的均方根误差（RMSE），并将其平均 + 3标准偏差定义为评估度量。评估了八种代表性的ML模型，发现多层感知器（MLP）的精度为92.7 mV，这是最佳的外推精度。我们还评估了具有已发布的实验数据的模型，发现MLP的精度为102.4 mV，重新确定其具有最佳的外推精度。我们还发现，MLP对感兴趣数据的变化具有鲁棒性，因为从模拟到实验数据变化时的准确性降解为1.1。此结果表明，即使为全面的SOC条件收集数据很困难，MLP也可以实现更高的电压预测准确性。
poly（苯甲酸氢化氢植物）涂层的丝纱，用于热电纺织品
热电纺织设备代表了为可穿戴电子设备供电的有趣的途径。到目前为止，缺乏空气稳定的N型聚合物阻止了纺织制造所需的N型多弹性纱的发展。在这里，探索了最近报道的N型聚合物聚（苯甲酸氢酮）（PBFDO）的热机械性能，并评估了其作为纱线涂层材料的适用性。聚合物的出色鲁棒性促进了丝纱的涂层，因此，在环境条件下，预计半衰期为3.2±0.7年，其有效的体积电导率为13 s cm-1。此外，n型PBFDO涂层丝纱，具有E = 0.6 GPa的幼体模量，并且可以机洗14％的折断时的菌株，而在七个洗涤周期后，电导率仅降低了三倍。PBFDO和Poly（3,4-乙二醇二苯乙烯）：Poly（styenesulfonate）（PEDOT：PSS）涂层的丝绸纱线用于制造两个平面外热纺织设备：一个热电纽扣和16张腿的较大的热电器。出色的空气稳定性与17 mV的开路电压配对，最大输出功率为0.67μW，温度差为70 k。显然，PBFDO涂层的多膜片丝纱是实现空气稳定热电动纺织品的有希望的组件。
在空间选择性p型掺杂掺杂，用于通过低能量氮离子植入
摘要在二维（2D）半导体制造过程中，侧向P-N连接的构建非常重要，而且具有挑战性。先前的研究表明，垂直P-N连接可以通过垂直堆叠2D材料来制备。但是，界面污染和较大面积的可扩展性是垂直堆叠技术难以克服的挑战。构建2D横向P-N同型结是解决这些问题的有效策略。在空间选择性p型掺杂2D半导体的掺杂有望构建侧面P-N均匀结构。在这项工作中，我们开发了一种低能离子植入系统，将植入能量降低至300 eV。低能植入可以形成浅植入深度，这更适合调节2D材料的电气和光学特性。因此，我们利用低能量离子植入将氮离子直接涂成几层WS 2，并成功实现了WS 2的精确调节，其电导率类型从N型转换为双极性甚至P型传导。此外，通过将其扩展到其他2D半导体（包括WSE 2，SNS 2和MOS 2）来证明该方法的普遍性。基于这种方法，横向WS 2 p-n同型被制造出来，具有显着的直径特征。还准备了基于P-N结的光电探测器，并准备了光伏效应，开路电压可以达到0.39V。这项工作为可控掺杂2D半导体提供了有效的方法。
阻止来自 ETL 的离子迁移可提高基于 III-V 胶体量子点的红外光探测器的稳定性
III-V 胶体量子点 (CQD) 在红外光电探测中备受关注，CQD 合成和表面工程的最新发展提高了性能。本文研究了光电探测器的稳定性，发现锌离子从电荷传输层 (CTL) 扩散到 CQD 活性层会增加其中的陷阱密度，导致操作过程中性能快速且不可逆地下降。为了防止这种情况发生，本文在 CQD 和 ZnO 层之间引入了有机阻挡层；但这会对设备性能产生负面影响。然后，该设备允许使用 C60:BCP 作为顶部电子传输层 (ETL) 以获得良好的形态和工艺兼容性，并选择 NiO X 作为底部空穴传输层 (HTL)。第一轮基于 NiO X 的设备表现出高效的光响应，但由于针孔而存在高漏电流和低开路电压 (Voc)。本研究将聚[双（4-苯基）（2,4,6-三甲基苯基）胺] (PTAA) 与 NiO X NC 结合形成混合 HTL，这种添加可减少针孔形成、界面陷阱密度和双分子复合，从而增强载流子收集。光电探测器在施加 1 V 偏压时在 970 nm 处实现 53% 的外部量子效率 (EQE)，并且在连续照明操作 19 小时后仍保持 95% 的初始性能。光电探测器在货架储存 80 天后仍保持 80% 以上的性能。
mxene-doped-perovskite-solar-call-solar-sall-sall-for- ...
摘要近年来，将二维MXENE与钙钛矿太阳能电池掺入引起了很多关注。mxenes由于其表面终止功能组T X而显示出独特的电气功能。此外，将这种材料纳入钙钛矿太阳能电池已导致效率提高并提高了光电性能。在目前的工作中，使用comsol多物理学来模拟由电子传输层（ETL）组成的掺杂的钙钛矿太阳能电池，由钙钛矿（MAPBI 3）和MXENE（TI 3 C 2 T X）和带有配置ETL/ MAPBI 3 + MX的吸收层（MAPBI 3）和孔传输层（HTL）和孔传输层（HTL）。用于材料，将TIO 2（120 nm）用作ETL，并将螺旋形（140 nm）用作HTL。对吸收层（MAPBI 3 + MXENE）的厚度和浓度的影响进行了彻底研究以提高其效率。然后使用理想的厚度和掺杂浓度的理想变化来告知最佳太阳能电池结构的设计，该结构的最大效率为19.87％，填充系数为0.57，开路电压（V OC）为1.10V，短路电流电流密度（J SC）为31.97 mA/cm/cm 2。据我们所知，这是Comsol多物理学首次用于模拟用2D Ti 3 C 2 T X MXENE掺杂的钙钛矿太阳能电池。因此，结果给出了有意义的指导和洞察力，并深入研究了掺杂的钙岩太阳能电池的制造和进一步研究。关键字：Perovskite，mxene，comsol，仿真。
Origo™ Mig 402c/502c/652c - 快速焊接
Origo™Mig 402c Origo™Mig 502c Origo™Mig 652c 电源电压 V, Hz 400-415, 3~ 50/60 400-415, 3~ 50/60 400-415, 3~ 50/60 60% 占空比下的允许负载 A/V 400 / 34 500 / 39 650 / 41 100% 占空比下的允许负载 A/V 310 / 30 400 / 34 500 / 39 设定范围 (DC) A/V MIG/MAG 20 / 14 - 400 / 34 20 / 14 - 500 / 39 20 / 14 - 650 / 44 MMA 20 / 21- 400 / 36 20 / 21 - 500 / 40 20 / 21 - 650 / 44 开路电压 V 53-58 53-60 53-60 开路功率 W 500 550 670 带冷却装置 W 700 750 870 最大电流时的功率因数 0,88 0,90 0,90 最大电流时的效率 % 70 72 76 控制电压 V, Hz 42, 50/60 42, 50/60 42, 50/60 尺寸（长 x 宽 x 高） mm 830 x 640 x 835 830 x 640 x 835 830 x 640 x 835 重量 kg 158 194 228 带冷却装置 kg 172 208 242 工作温度 -10 至 +40°C -10 至 +40°C -10 至 +40°C 防护等级 IP 23 IP 23 IP 23 应用分类 S S S
Origo™ Mig 402c/502c/652c - 快速焊接
Origo™ Mig 402c Origo™ Mig 502c Origo™ Mig 652c 电源电压 V, Hz 400-415, 3~ 50/60 400-415, 3~ 50/60 400-415, 3~ 50/60 60% 占空比下的允许负载 A/V 400 / 34 500 / 39 650 / 41 100% 占空比下的允许负载 A/V 310 / 30 400 / 34 500 / 39 设定范围 (DC) A/V MIG/MAG 20 / 14 - 400 / 34 20 / 14 - 500 / 39 20 / 14 - 650 / 44 MMA 20 / 21- 400 / 36 20 / 21 - 500 / 40 20 / 21 - 650 / 44 开路电压 V 53-58 53-60 53-60 开路功率 W 500 550 670 带冷却装置 W 700 750 870 最大电流时的功率因数 0,88 0,90 0,90 最大电流时的效率 % 70 72 76 控制电压 V, Hz 42, 50/60 42, 50/60 42, 50/60 尺寸（长 x 宽 x 高） mm 830 x 640 x 835 830 x 640 x 835 830 x 640 x 835 重量 kg 158 194 228 带冷却装置 kg 172 208 242 工作温度 -10 至 +40°C -10 至 +40°C -10 至 +40°C 防护等级 IP 23 IP 23 IP 23 应用分类 S S S