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防毒面具实验室 (NIOSH) 微电子和纳米技术 Shamsuddin 研究中心 (UTHM)
微电子与纳米技术 Shamsuddin 研究中心 (MiNT-SRC) 是马来西亚敦胡先翁大学 (UTHM) 综合工程学院 (IIE) 下属的五个卓越中心 (CoE) 之一。该研究中心成立于 2006 年 11 月 27 日，前身为微电子与纳米技术中心 (MiNTEC)，2007 年 11 月 25 日升级为研究卓越中心。MiNT-SRC 以 UTHM 董事会主席 Y.Bhg. Tan Sri Dato' Seri Ir Shamsuddin bin Abdul Kadir 的名字命名，以纪念他对 UTHM (2007-2009) 的贡献。MiNT-SRC 的目标是成为马来西亚南部微电子和纳米技术领域的领先研究中心。该研究中心由副教授 Marlia Morsin 博士领导，她从事基于纳米材料的传感器、真菌治疗和媒介控制领域的研究。此外，还有6名来自不同领域的首席研究人员，分别是Nafarizal Nayan教授（纳米等离子体处理和诊断）、Mohd Khairul Ahmad教授（纳米结构材料）、Soon Chin Fhong副教授（生物纳米技术、生物工程和物联网）、Fariza Mohamad副教授（使用电沉积的同质和异质结薄膜）、Farhanahani Mahmud副教授（医疗电子、嵌入式系统和人工智能）和Nur Hanis Hayati Hairom副教授（纳米技术、膜技术和废水处理）。这七位核心研究人员构成了MiNT-SRC研究进步的骨干。
请引用原始版本：Zeiske，S.，Zarrabi，N.，Sandberg，O。J.，Gielen，S.，Maes，W.，Meredith，P。，＆Armin，A。（2024）。增强的Swir Ligh
短波式红外（SWIR）光电探测器对于许多科学和工业应用至关重要，包括监视，质量控制和检查。在近几十年中，基于有机半导体的光电检测器已经出现，证明了为宽带和窄带成像和感应场景增加实际价值的潜力，在这种情况下，诸如热预算敏感性，大面积孔径的必要性，成本考虑因素，轻量级和相结构的灵活性需求等因素优先考虑。现在已经认识到，有机光电探测器（OPD）的性能，尤其是它们的特定检测率，最终受到陷阱状态的限制，陷阱状态普遍存在于无序的半导体中。这项工作采用了一种利用这些中间隙状态来特定创建SWIR照片响应的方法。为此，这项工作引入了在批量异质结（BHJS）光电二极管中“陷阱掺杂”的一种反直觉方法，其中有意将少量的来宾有机分子故意纳入半强化供体中：受体宿主系统。遵循这种方法，这项工作证明了可见的至静宽宽带OPD的概念验证，在关键光电探测器指标中接近（并在某种程度上，甚至超过）最先进的性能。陷阱掺杂方法是，即使目前只有概念验证，它广泛适用于各种光谱窗口。使用将限制变成功能的非常规策略来进行工程光进行的新模式。
Moiré-type I型和II型频带对准的Moiré-tanble定位在Mose 2 /ws 2 Heterobilayer Jiaxuan Guo 1，Zachary H. Withers 2,3，< /div>
摘要：可以通过扭曲角度精确控制的空间变化带对齐和电子和孔定位的Moiré杂波，已经成为研究复杂量子现象的令人兴奋的平台。虽然大多数过渡金属二甲化元素（TMD）的异质分子具有II型带对齐，但引入I型带比对可以实现更强的轻度耦合和增强的辐射发射。在这里，我们通过第一原则GW和贝尔特萨蛋白方程（GW-BSE）的计算以及时间和角度解决的光发射光谱（TR-ARPES）测量的结合，与先前的理解相反，与先前的理解相反，MOSE 2 /WS 2杂波在大型型号和类型IS型构建型和同样的区域均与II的类型II型构建型和相似的区域相反。在不同的高对称区域中以小扭曲角度重建。在Tr-arpes中与我们的计算一致，仅在摩西2中观察到长寿命的电子种群，对于具有较大扭曲角的样品，而在具有小扭曲角的样品中，观察到来自两个不同长寿命的激子的信号。此外，尽管这两层的传导带几乎是堕落的，但仍未发生激发杂交，这表明先前观察到的这种材料中的吸收峰来自晶格的重建。我们的发现阐明了Mose 2 /ws 2异质结构中的复杂能量景观，其中I型和II型带对齐的共存为Moiré-Tonable可调光电设备打开了带有内在的侧面异质结的门。
迈向TOPCon的工业化制造
简介在过去的五年中，光伏行业见证了转换效率不断提高的发展势头。长期以来，该行业的主力一直是铝背面场 (BSF) 太阳能电池，但现在它正被钝化发射极和背面电池 (PERC) 所取代，PERC 可使生产中的转换效率超过 21%，在临近生产环境中的转换效率高达 23.6% [1]。对这些太阳能电池的详细损耗分析表明，金属/半导体触点处的少数电荷载流子复合是主要的损耗机制 [2]。通常采用两种策略来减轻复合损耗：(1) 通过扩散或合金化（例如选择性发射极或铝背面场）在金属触点下方形成重掺杂的 c-Si 区域，以减少界面处的少数电荷载流子；(2) 减少金属化面积分数。后一种策略的一个主要例子是 PERC 结构，其特点是具有局部 Al 接触的介电背面钝化，从而不仅增加了开路电压 (V oc )，而且还增加了短路电流密度 (J sc )（因为改善了红外光的背面反射）。然而，必须通过调整背面接触线（或点）的间距和基极电阻率来仔细平衡 V oc 增益和填充因子 (FF ) 损失。因此，克服这一限制的更好策略是钝化接触，它可以抑制少数电荷载流子复合并实现有效的多数电荷载流子传输。最著名的例子是 a-Si:H/c-Si 异质结（通常称为 HIT、HJT、SHJ）太阳能电池，
光伏 (PV) 模块技术：2020 年基准成本和技术演进框架结果
J-box 接线盒 J sc 短路电流 JV 电流密度-电压 KRICT 韩国化学技术研究院 LCOE 平准化电力成本 LID 光致衰减 MA 甲铵 MAI 甲基碘化铵 MOCVD 金属有机化学气相沉积 MOVPE 金属有机气相外延 MSP 最低可持续价格 MWT 金属包裹 NREL 国家可再生能源实验室 OpEx 运营费用 P3HT 聚（3-己基噻吩） PCBM 亚甲基富勒烯 苯基-C61-丁酸甲酯 PEAI 苯乙基碘化铵 PECVD 等离子体增强化学气相沉积 PERC 钝化发射极和背电池 PERL 钝化发射极后部局部扩散 PERT 钝化发射极后部全扩散 PET 聚对苯二甲酸乙二醇酯 POE 聚烯烃 PSG 磷硅酸盐玻璃 PTAA 聚（三芳胺） PV 光伏 PVCS 光伏组合开关设备 R&D 研究与开发 R2R卷对卷 RTP 快速热处理 S2S 片对片 SAS 硒化和硫化 SG&A 销售、一般及行政管理 SHJ 硅异质结 SJ 单结螺-OMeTAD 2,2',7,7'-四(N,N-二对甲氧基苯胺)-9,9'螺二芴 STC 标准测试条件 TCO 透明导电氧化物 TEF 技术演进框架 TJ 三结 TMAl 三甲基铝 TMGa 三甲基镓 TMIn 三甲基铟 USD 美元 V oc 开路电压 wph 每小时晶圆
纳米级 CMOS 中的模拟和混合信号电路 - 电子书
《模拟电路与信号处理》丛书，前身为《Kluwer 国际工程与计算机科学丛书》，是一套高水准的学术专业丛书，出版有关模拟集成电路和信号处理电路与系统的设计和应用的研究成果。通常每年我们会出版 5-15 本研究专著、专业书籍、手册和编辑本段，分发给世界各地的工程师、研究人员、教育工作者和图书馆。该丛书促进并加快了模拟领域新研究成果和教程观点的传播。全球范围内，该领域开展着大量令人兴奋的研究活动。研究人员正努力通过改进模拟功能来弥合传统模拟工作与超大规模集成 (VLSI) 技术的最新进展之间的差距。模拟 VLSI 已被公认为未来信息处理的主要技术。模拟工作正在显示出巨大变化的迹象，重点是结合设备/电路/技术问题的跨学科研究工作。因此，新的设计概念、策略和设计工具正在被揭示。感兴趣的主题包括：模拟接口电路和系统；数据转换器；有源 RC、开关电容和连续时间集成滤波器；混合模拟/数字 VLSI；仿真和建模、混合模式仿真；模拟非线性和计算电路和信号处理；模拟神经网络/人工智能；电流模式信号处理；计算机辅助设计 (CAD) 工具；新兴技术中的模拟设计 (可扩展 CMOS、BiCMOS、GaAs、异质结和浮栅技术等)；模拟测试设计；集成传感器和执行器；模拟设计自动化/基于知识的系统；模拟 VLSI 单元库；模拟产品开发；射频前端、无线通信和微波电路；模拟行为建模、模拟 HDL。
Dr. Yanjie Shao
邵燕杰博士摘要：微电子技术是过去 60 年来“数字”革命的支柱。近年来，随着人工智能和物联网的爆炸式增长，开发高性能、最大能效和最小占用空间的电子产品迫在眉睫。为实现这一目标，有两种方法颇具吸引力：（1）低压电子器件和（2）片上丰富的功能集成。在本次演讲中，我们将展示我们在这两个方面的最新研究成果。首先，我们通过利用断带异质结半导体系统（GaSb/InAs）中的量子力学隧穿来实现电源电压 ≤ 0.3 V。我们将展示在垂直纳米线隧穿晶体管配置中可以同时实现亚热电子开启、高驱动电流和最大占用空间可扩展性的组合。在 0.3 V 时，与最先进的 CMOS 技术相比，性能显著提升。其次，我们旨在利用非晶氧化物半导体开发多功能高密度后端 (BEOL) 电子和存储器平台。通过利用等离子体增强原子层沉积 (PEALD)，我们合成了具有创纪录性能的增强型 BEOL 晶体管。此外，我们集成了铁电 (FE) 铪锆氧化物 (HZO) 作为非易失性存储器组件，制造了有源面积级 FE 晶体管，并研究了单域级 FE 开关行为。最后，我们将简要讨论氧化物基 FE 晶体管中 FE 疲劳的可能原因。简介：邵燕杰目前是麻省理工学院 (MIT) 微系统技术实验室 (MTL) 的博士后研究员。他于 2019 年获得中国科学技术大学 (USTC) 的学士学位，2021 年获得麻省理工学院的硕士学位，并获得博士学位。 2023 年获麻省理工学院博士学位。他的研究兴趣包括新兴半导体和电介质、纳米电子学和 AI 硬件。他是 2023 年英特尔杰出研究员奖的获得者。
后摩尔时代的新兴芯片材料和器件
等效缩放速度的减缓和经典摩尔定律的终结给硅基CMOS集成电路带来了重大挑战。这迫切需要开发用于后摩尔时代的新型材料、器件结构、集成工艺和专门的系统架构。受“更多摩尔”、“超越摩尔”和“超越 CMOS”战略 (参考文献 1：https://irds.ieee.org/) 的启发，下一代集成电路需要在各个领域提高性能，包括非硅半导体、超越 CMOS 器件、高密度集成工艺以及独特的系统架构和新兴应用。同时，卓越器件的发展推动了分层半导体、横向外延异质结、集成生物芯片方面的进步，从而实现更节能和高速的信号处理、存储、检测、通信和系统功能 (图 1)。本研究主题为研究人员提供了一个论坛，展示最新的进展，并回顾材料、结构、设备、集成和系统方面的最新发展、挑战和机遇，以照亮后摩尔时代。其中包括优化的硅基材料、新兴的层状半导体（Wang et al., 2018; Xie et al., 2018）、下一代互连材料、新型器件结构（Duan et al., 2014; Li et al., 2015）、新工作原理器件（Liu et al., 2021; Zhang et al., 2022a）、3D 集成工艺（Zhang et al., 2022b; Zhang et al., 2022c），以及生物电子学（Wang et al., 2022）和传感器技术（Abiri et al., 2022）的最新进展，强调了该领域持续研究和创新的必要性。对于优化的硅基材料，Islam 等人提出了一种简单且环保的方法，用于使用铝热还原在石英基板上低成本生产硅薄膜。这种创新方法解决了使用经济高效且可持续的方法获得高质量硅薄膜的长期挑战。研究人员利用铝热还原，将硅片表面转化为
（sub） - 毫米波电网校准和设备表征
摘要：精确度量在电子设备中起着至关重要的作用，特别是在使用BICMOS技术的设备中嵌入THZ应用中的硅具有异质结（HBT）的表征。由于最近在纳米范围内制造技术的创新，能够在亚毫升波区域运行的设备成为现实，并且必须满足对高频电路和系统的需求。将精确的模型达到此类频率，不再有可能限制参数以下的提取低于110 GHz，并且必须研究允许获得被动和主动设备的可终止测量的新技术。在本论文中，我们将研究不同无源测试结构的硅（磁力）上S参数的特征，而B55技术中的HBT SIGE从Stmicroelectronics（最高500 GHz）进行了SIGE的表征。我们将首先引入通常用于此类分析的测量设备，然后我们将转到IMS实验室中采用的各种测量台，最后我们将重点介绍校准和剥离技术（DE-DEMEDDIQUS（DE-EXED），通过审查高频率特征和两种效率上的校准劳ith钙的主要批评，以进行校准和剥离技术。 TRL）到WR-2.2条。在完成时，我们将提出一些测试结构，以评估对Miller Wave测量和新输电线设计解决方案的不良影响。将提出两个为IMS的磁力表征的光质产生的循环：我们将介绍一个新设计的浮球层设计，并评估其限制寄生效应以及其环境效果（底物，邻近的结构和diaphony）的能力。为了进行分析，我们将依靠紧凑型模型 +探针的电磁模拟和混合EM模拟，包括用于评估测量结果的探针模型，更接近实际条件。将仔细研究两个有希望的设计：“布局M3”，旨在以单个级别的校准表征DUT，而“曲折线”，通过避免在硅的测量过程中避免任何运动，从而保持两个恒定探测器之间的距离。关键字：表征，传输线，Terahertz，毫米波，校准，silicuim，tbh坐着
二维材料在非线性光子学和光纤激光器中的最新进展
早在1959年，理查德·费曼在题为“底部有足够的空间”的演讲中就提到了层状材料的概念。[1] 然而直到几十年后的今天，我们似乎才通过坚持不懈的努力，对二维材料这个神秘的物种有了更清晰的认识。[2] 对于具有纳米结构的二维材料，在平面上确定传热和电荷时会出现独特的物理奇异性，这使得它们引起了从超快光子学[3–9]电子/光电子器件[10–22]高性能传感器[23–30]生物医学[31–42]到光调制[43–51]等领域的广泛关注。 在过去的几年中，二维材料的整体格局不仅得到了极大的扩展，而且在其开发和应用方面也得到了很大的创新。 其中最引人注目的应用是非线性光学，它掀起了激光创新的狂潮。在众多现有的超短脉冲产生技术中，基于可饱和吸收体（SA）的被动锁模光纤激光器（MLFL）由于具有光束质量好、结构紧凑、成本低廉、兼容性好等优点，成为实现超短脉冲最有效的途径之一。虽然可饱和吸收体的发展经历了染料、半导体可饱和吸收镜（SESAM）等，但自从石墨烯材料的成功制备和应用以来，在光纤激光器中掀起了基于二维材料的可饱和吸收体制备研究的热潮。由于二维材料的光学非线性，基于二维材料的可饱和吸收体可以周期性地调制激光腔内环流光场，引起大量纵模发生相位振荡，从而在时间域上形成有规律的短脉冲串。非线性吸收机理主要由泡利不相容原理引起，使得材料在强光作用下，当有大量电子处于上激发态时，瞬间吸收较小。自石墨烯问世以来，更多的二维材料被认可并在激光领域得到应用。到目前为止，研究热点主要集中在几种代表性材料或与它们相关的一些异质结材料上，包括1）石墨烯；2）拓扑绝缘体（TIs）；3）黑磷