摘要 提出了一种用于纳米线晶体管 DC 和 RF 小信号模拟的数值框架,该框架基于泊松、薛定谔和玻尔兹曼传输方程的自洽解,并且在从弱到强粒子散射的整个范围内都是稳定的。所提出的方法不会因将玻尔兹曼传输方程变换到能量空间而产生缺陷,并且可以处理准弹道情况。这是研究等离子体共振和其他高迁移率现象的关键要求。内部求解器通过先前开发的基于 H 变换的模拟器的结果进行验证,该模拟器适用于具有强散射的传统 N + NN + 硅晶体管。然后,将其结果与基于矩的模型的结果进行比较,结果表明这些结果不能令人满意地描述准弹道传输状态下的电子动力学。此外,发现接触处传输模型的内部边界条件对等离子体共振有显著影响,而基于物理的热浴边界条件强烈抑制了它们。
Ballistic transport spectroscopy of spin-orbit-coupled bands in monolayer graphene on WSe 2 Qing Rao, 1 † Wun-Hao Kang, 2 † Hongxia Xue, 1 Ziqing Ye, 3 Xuemeng Feng, 3 Kenji Watanabe, 4 Takashi Taniguchi, 4 Ning Wang, 3 Ming-Hao Liu, 2 * and Dong-Keun Ki 1 * 1 Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, China 2 Department of Physics, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan 3 Department of Physics and Center for Quantum Materials, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon 999077, Hong Kong, China 4 National Institute for Materials Science, Namiki 1-1, Tsukuba, 305-0044,日本伊巴拉基†同等贡献。*通讯作者。Email: minghao.liu@phys.ncku.edu.tw , dkki@hku.hk Van der Waals interactions with transition metal dichalcogenides was shown to induce strong spin-orbit coupling (SOC) in graphene, offering great promises to combine large experimental flexibility of graphene with unique tuning capabilities of the SOC that can rotate spin by moving electrons or vice versa.在这里,我们通过测量弹道横向磁聚焦在WSE 2上的石墨烯中探测SOC驱动的带和电子动力学。我们在第一个焦点峰中发现了清晰的分裂,其电荷密度和磁场的演变通过使用〜13 meV的SOC强度进行了很好的重现,而在第二个峰中没有分裂,这表明较强的Rashba Soc。在温度依赖测量中也发现了电子电子散射的可能抑制。我们的研究表明,利用石墨烯中发音的弹道电子运动的一种有趣的可能性。此外,我们发现Shubnikov-de Haas振荡的SOC强度约为3.4 MEV,这表明它探测了不同的电子动力学,要求新理论。
• Nano-engineering symmetry, interactions and topology in Flatlands (atomically thin 2D crystals) : Understand the role of symmetry in various interaction-driven phenomena : Investigate new moiré physics : Engineer new collective/topological quantum phenomena in ‘designer' Flatlands • Flatlands quantum electronics : Realize the devices with new functionality : Harnessing nontrivial transport properties originating from the非零浆果曲率:创建访问弹道传输方式的功能设备•设计和建立实验,可以更深入地了解现象(例如,离子 - 液体门控,热电和自旋测量等)•拓扑量子设备:低维系统中的新拓扑•新材料和设备体系结构:演示收获电子量子性质的新设备体系结构:探索新物理学的新材料
(CNT)采用专有方法卷对卷制造垂直排列的 CNT,锁定在紫外线固化聚合物基质中。结果是一种先进的膜,其透水性是传统 TFC 膜的 100 倍,并且具有更高的抗污性。CHASM CNT 独有的直径和纵横比的创新组合可实现水分子的近弹道传输,并 100% 排除包括溶解固体、病毒、有机物和致癌物在内的污染物。CHASM-H2O 膜还由 CNT 和专门选择的聚合物基质组成,这些基质不受工业水处理中常用化学品的侵蚀,使其固有地抵抗因污染而导致的降解——与当今市售的 TFC 膜不同,后者通过
然而,石墨烯设备物理学的一个重要结果是,有必要将石墨烯单层封装在两片绝缘二维材料六角型硝酸硼(HBN)之间,以实现理想的较高的运输特性。[27,28]此包封可确保在环境条件下进行化学稳定,因为石墨烯受到保护不受大气吸附物的保护。封装还可以确保原子上的石墨烯片,从而实现室温弹道传输。[27]因此,HBN中石墨烯的封装已迅速成为设备社区中的标准平台,并且很可能成为潜在的未来石墨烯设备行业中的主要平台。此外,扭曲的双层石墨烯的生长领域完全取决于HBN封装以生产扭曲的双层。石墨烯和HBN之间的强范德华吸引力是使石墨烯晶体一部分精确的角度堆叠到自身上的方法。[28,29]
高纵横比金属纳米结构通常用于广泛的应用,例如电子计算结构和传感。然而,这些结构中的自热和高温对现代电子设备的可靠性和时钟频率都造成了重大瓶颈。任何显著的能源效率和速度进步都需要纳米结构金属中基本的和可调的热传输机制。在这项工作中,时域热反射用于揭示外延生长的金属 Ir(001) 中介于 Al 和 MgO(001) 之间的跨平面准弹道传输。对于 25.5–133.0 nm 薄膜,热导率范围分别约为 65(96 平面内)至 119(122 平面内)W m − 1 K − 1。此外,外延生长所提供的低缺陷被怀疑可以观察到具有传统电子介导热传输的 20 nm 以下金属中的电子-声子耦合效应。通过结合电热测量和现象学建模,揭示了不同厚度的三种跨平面热传导模式之间的转变及其相互作用:电子主导、声子主导和电子-声子能量转换主导。结果证实了纳米结构金属中未探索的热传输模式,其见解可用于为大量现代微电子设备和传感结构开发电热解决方案。
抽象的操作跨传输放大器(OTA)是模拟电路和系统中最关键的块。随着灾难性短通道效应的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管在深纳米系统下的晶体管,微电学科学家的侧重于设计基于非西硅材料的超细胞性奥塔斯。在过去的几年中,具有惊人的电气和物理性能的全面碳纳米管局部效应晶体管(GAA-CNTFET)吸引了纳米电子研究人员的广泛关注,这是代表高性能纳米级OTA的潜在平台。在这方面,这项工作旨在根据10 nm GAA-CNTFET技术节点提出一个超米型超宽带OTA。在超级尺寸的GAA-CNTFET晶体管的弹道传输操作中,提出的OTA受益,该尺寸可提供优质带宽(2.88 GHz)以及合适的功率消耗(44.8 L W)。所提出的OTA显示在1 V电源电压下的64.5 dB开环增益和59 dB的共同模式排斥比。此外,由于使用间接反馈补偿方法的利用,拟议的基于GAA-CNTFET的OTA呈现了适当的相位边缘(61),并带有较小的补偿器电容器。提到的性能指标仅占据0.198 L m 2的物理区域,提出的GAA-CNTFET OTA有可能被视为基于纳米级CMOS的OTA的替代方法。