摘要:静态随机存取存储器(SRAM)器件作为重要的星载电子设备,在其执行空间任务过程中不可避免地受到空间高能粒子辐照的影响。为揭示高能粒子对28nm工艺SRAM造成单粒子效应(SEE)的机理,基于针孔重离子微束装置,对单粒子翻转(SEU)敏感区定位和多单元翻转(MCU)分布特性进行了研究。结果表明:微束辐照引起的SEU实际范围为4.8μm×7.8μm。通过小步长(每步1μm)移动设备台,建立了SEU敏感区的一维定位方法,可以降低定位精度对束斑尺寸的依赖,定位精度可提高到1μm。 MCU测试表明,翻转模式与相邻SRAM单元内敏感区域的间距密切相关,并且通过阱接触和位交错可以降低MCU的概率。
1 罗斯托克大学医学中心放射肿瘤学系,18059 罗斯托克,德国;felix@m20a.de(FJ);martenlscholz@hotmail.de(MS);julia.soloviova@uniklinik-leipzig.de(JS);guido.hildebrandt@uni-rostock.de(GH) 2 欧洲同步辐射装置(ESRF)生物医学光束线 ID 17,38043 格勒诺布尔,法国;krisch@esrf.fr 3 慕尼黑工业大学放射肿瘤学系,81675 慕尼黑,德国;stefan.bartzsch@tum.de 4 亥姆霍兹慕尼黑中心放射医学研究所,85764 慕尼黑,德国 5 伯尔尼大学解剖研究所,3012 伯尔尼,瑞士; jean-albert.laissue@pathology.unibe.ch 6 Niederwiesstr 13C, 5417 Untersiggenthal, 瑞士; hans.blattmann@bluewin.ch 7 莱比锡大学医学中心儿科外科系, 04103 Leipzig, 德国 * 通讯地址: elisabeth.schueltke@med.uni-rostock.de
Jessie A. Posar、Matthew Large、Saree Alnaghy、Jason R. Paino、Duncan J. Butler、Matthew J. Griffith、Sean Hood、Michael LF Lerch、Anatoly Rosenfeld、Paul J. Sellin、Susanna Guatelli 和 Marco Petasecca
摘要:随着X射线源、聚焦光学系统和X射线探测器的发展,微束X射线散射技术已经成熟并广泛应用于聚合物材料的表征。微束X射线散射是一种独特而强大的工具,它可以提供有关局部结构的丰富信息,例如材料的空间不均匀性和局部位置的结构变化。此外,通过结合微束小角X射线散射(SAXS)和广角X射线散射(WAXS),可观测的空间尺度范围从几个到几百个A˚,这是聚合物分级结构分析中最重要的尺度范围。本文介绍了微束X射线散射在聚合物结晶、空间不均匀性分析、外场下的应力传递和嵌段共聚物体系中的微相分离结构分析中的代表性应用。 [doi:10.1295/polymj.PJ2007077] 关键词 微束小角和广角X射线散射/聚合物表征/
