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纳米级界面能量耦合的重要性日益凸显,这与微纳电子学的快速发展相一致。纳米级界面热阻 (ITR) 受温度影响很大,但由于纳米级表征的极端挑战,迄今为止人们对其了解甚少。这项工作报告了一项开创性的高水平研究,研究了温度如何影响横向尺寸 < 8 纳米的单壁碳纳米管 (SWCNT)-SiO 2 界面的 ITR。从 297 到 77 K,ITR 从 530 增加到 725 到 (1.56 – 1.74) × 10 4 K ⋅ m ⋅ W − 1。报道的室温下 ITR 与 SWCNT/SiO 2 界面的数据一致。将 ITR 随温度的变化与基于声子漫射失配模型 (DMM) 的预测进行了比较。然而,在线性色散的德拜近似下,DMM 低估了 ITR,因此观察到了很好的定性一致性。我们对温度的 ITR 依赖性采取 T − n 的形式,其中对于样品的两个不同位置,n 分别为 2.4 和 2.56。这种观察结果类似于远低于德拜温度时比热对温度的依赖性。我们引入了一个称为有效界面能量传输速度 (vi,eff) 的概念,试图排除比热在 ITR 温度依赖性中的作用,以揭示温度对界面能量耦合的固有影响。非常有趣的是,对于报告的各种界面,vi,eff 在很宽的温度范围内变化很小。预计在未来的研究工作中将进一步探索和完善这一概念。