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在超快激光微处理聚合物
聚合物是超快激光器处理的首批材料之一。然而，尚未完全了解近红外激光束的吸收性质，因此以高能量效率处理聚合物材料仍然具有挑战性。在这项研究中，聚丙烯（PP）（PP）的光学特性（反射率，透射率和吸收性）的脉冲到脉冲演化，这是在许多工业应用中广泛使用的重要聚合物材料，是通过对广泛的脉动能进行的时间分辨测量来确定的。目标是区分不同激光 - 摩擦相互作用方案中的线性和非线性吸收，并选择产生最高能量效率的处理条件。实验是通过在基于椭圆形的镜像设置中记录每个激光脉冲的反射和传输来执行的，该设置可以收集散射反射，并几乎完全覆盖。吸收是根据实验数据计算的，并使用线性和非线性吸收组成的模型来分析结果。发现PP从脉冲到脉冲发生了巨大的形态变化，伴随着光学特性的变化，即激光条件的调整以充分利用激光能。他们的结果可以有助于提高聚合物对高通量操作的超舒服激光处理中的能源效率。
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免责声明：1-本文给出的信息，包括规格和维度，可能会更改，而无需事先通知以改善产品特征。在订购之前，建议购买者与SMC-最新版本的数据表销售部联系SMC -Sangdest最微电子（NANJING）CO.2-如果需要极高的可靠性（例如在核电控制，航空航天和航空，交通设备，医疗设备和安全设备中使用），则应通过使用具有确保安全性或用户的故障安全预防或其他安排的半导体设备来确保安全性。3-在任何情况下，SMC-最倾斜的微电子（NANJING）Co.，Ltd对根据数据表的操作期间因事故或任何其他原因造成的任何损害均承担责任。SMC-最微电子（NANJING）CO.，LTD对任何知识产权索赔或由于数据表中所述的信息，产品或电路的应用而可能导致的任何其他问题承担任何责任。4-在任何情况下，SMC-最倾斜的微电子（NANJING）Co.，Ltd对半导体设备中的任何故障或在超过绝对最大额定值的值时造成的任何次要损害均承担责任。出口这些产品（技术）时，必须根据相关法规采取必要的程序。5-数据表的任何专利或其他权利均未授予任何第三方或SMC的权利 - 最佳微电子（NANJING）Co.，Ltd。6- 6-数据表（s）不可能在任何形式或部分中以明确的书面形式复制或重复，或者不得以任何形式的零件复制或重复。 Ltd. 7-数据中描述的产品（技术）不得向其申请目的的任何一方提供限制国际和平与安全的任何一方，也不应由其直接购买者或任何第三方应用于该目的。
化学成分，流和鼓在...
Appendix ............................................................................................................................................... 61-67
搭载量子流
我们预见到可以在受量子纠错码 (QECC) 保护的量子比特流上搭载经典信息。为此，我们提出了一种通过故意引入噪声在量子流上发送经典比特序列的方法。这种噪声会引发一个受控的征兆序列，可以在不破坏量子叠加的情况下对其进行测量。然后可以使用这些征兆在量子流之上编码经典信息，从而实现多种可能的应用。具体而言，搭载量子流可以促进量子系统和网络的控制和注释。例如，考虑一个节点彼此交换量子信息的网络 [1-7]。除了用户数据之外，网络运行还需要同步模式、节点地址和路由参数等控制数据。在经典网络中，控制数据会消耗物理资源。例如，带内同步要求传输节点在数据流中插入特定模式的比特（消耗额外带宽）来分隔数据包，而接收节点则要求从传入的比特中搜索此类模式 [8]。然而，将量子比特作为控制数据插入对量子网络来说并不是一个可行的选择，因为测量会破坏量子态叠加 [9]。出于这个原因，一些研究断言量子网络将需要经典网络来实现带外信令和控制 [7]。另一方面，参考文献 [10-12] 开发了将经典比特和随机数（使用连续变量）一起传输以实现量子密钥分发 (QKD)，以增强经典网络的安全性。相反，我们渴望将经典比特和量子比特（使用离散变量）一起传输，以控制量子网络。
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免责声明：1- 为改进产品特性，本文档提供的信息（包括规格和尺寸）如有变更，恕不另行通知。订购前，建议购买者联系 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司销售部，获取最新版本的数据表。2- 在需要极高可靠性的情况下（例如用于核电控制、航空航天、交通设备、医疗设备和安全设备），应使用具有安全保证的半导体器件或通过用户的故障安全预防措施或其他安排来确保安全。3- 在任何情况下，SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司均不对用户根据数据表操作设备期间因事故或其他原因造成的任何损害负责。 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司对任何知识产权索赔或因应用数据表中描述的信息、产品或电路而导致的任何其他问题不承担任何责任。4- 在任何情况下，SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司均不对因使用超过绝对最大额定值的数值而导致的任何半导体设备故障或任何二次损坏负责。 5- 本数据表不授予任何第三方或 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司的任何专利或其他权利。6- 未经 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司书面许可，不得以任何形式复制或复印本数据表的全部或部分。7- 本数据表中描述的产品（技术）不得提供给任何其应用目的会妨碍维护国际和平与安全的一方，其直接购买者或任何第三方也不得将其用于此目的。出口这些产品（技术）时，应根据相关法律法规办理必要的手续。
超快电子衍射仪器的前沿
J.黑斯廷斯等人。应用。物理。莱特。 89、184109（2006）。 P. Musumeci 等人，应用物理快报 97, 063502 (2010)。 R. Li 等人，Rev. Sci。仪器。 81, 036110 (2010)。 Y. Murooka 等人，应用。物理。莱特。 98、251903（2011）。 P. Zhu 等人，新物理学杂志。 17、063004（2015）。 S.Weathersby 等人，Rev.Sci。仪器。 86, 073702 (2015)。 S. Manz 等人，法拉第讨论。 177, 467 (2015) D.Filippetto 和 H. Qian, J. Atom. and Mol. And Opt. Phys. 49, (2016) F. Qi 等人, Phys. Rev. Lett. 124, 134803 (2020)。HW Kim 等人, Nature photonics 14, 245 (2020)
扫描超快电子显微镜显示
2 桑迪亚国家实验室，美国新墨西哥州阿尔伯克基 87185 3 加利福尼亚大学机械工程系，加利福尼亚州圣巴巴拉 93106，美国 a) 通讯作者：aatalin@sandia.gov 了解和控制电荷载流子与埋藏绝缘体/半导体界面缺陷的相互作用对于实现现代电子产品的最佳性能至关重要。在这里，我们报告了使用扫描超快电子显微镜 (SUEM) 远程探测埋藏在厚热氧化物之下的 Si 表面的激发载流子的动力学。我们的测量结果展示了一种新颖的 SUEM 对比机制，即半导体中空间电荷场的光学调制会调制厚氧化物中的电场，从而影响其二次电子产量。通过分析 SUEM 对比与时间和激光能量密度的关系，我们证明了界面陷阱通过扩散介导捕获激发载流子。
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