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World File Search System性层
具有低深度线性层和新结构的 AES 量子电路
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在有机太阳能电池的活性层中揭示Y6的结晶填料结构：溶剂添加剂的关键作用
作者的完整列表：Xia，Xinxin;香港中国大学，勒；香港城市大学，成谷； Zhejiang University Chen，Zeng； Yao，Nannan Yao；生物分子和有机电子学，物理，化学和生物学系，林克平大学，SE-581 83，瑞典林肯，Qin，Minchao；鲁伊香港中国大学； Zhenzhen张大学武汉大学高级研究所； Yuyu化学研究所CAS PAN； Shenyang技术大学，Yiqun石油化学工程学院；香港林的中国大学Yuze； iccas，; Min，Jie；冯汉大学高级研究所，冯汉；链接大学，物理，化学和生物学； Jinan University，Physics Zhu，Haiming；吉安格大学，布雷达斯，让·卢克；亚利桑那大学，化学与生物化学陈，洪宗；千江大学聚合物科学与工程系的郑大学；香港城市大学，新华社化学，材料科学与工程学；香港中国大学，物理
光学连贯性层析成像血管造影...
与荧光素血管造影（FA）相比，DR的黄金标准诊断标准，八颗八颗有助于评估视网膜微瘤状况。作为需要静脉穿刺和染料输注的方法，FA是侵入性且耗时的。此外，FA仅提供二维图像[3，4]。加上，深毛细血管（DCP）的八八图比其FA图像清晰。此外，在测量中央凹性血管区（FAZ）[5]时，八八颗粒的观察者间变异性比FA较小。八八人在诊断DR方面具有几个独特的优势。它具有在微血管异常（MAS）（MAS）之前检测到的早期迹象的能力，这些迹象包括毛细血管辍学，扩张的毛细血管环和毛细管分支[6]。此外，它可以检测一些未被FA捕获的MAS [7，8]并识别MAS和受影响的毛细血管丛的位置[9]。考虑到其清楚地识别增殖膜和后透明膜之间的结构关系[10-12]，八
用于高性能有机场效应晶体管的液晶状活性层
摘要 高载流子迁移率和均匀的器件性能对于有机场效应晶体管 (OFET) 的器件和集成电路应用至关重要。然而，仍然需要实现高器件性能且批次间差异较小的策略。本文，我们报告了一种在 N，N'-双十三烷基苝-3，4，9，10-四羧酸二酰亚胺 (PTCDI-C 13 ) 模板上生长的 2,8-二氟-5,11-双(三乙基硅基乙炔基)蒽二噻吩 (dif-TES-ADT) 薄液晶膜，并通过原子力显微镜和偏振荧光显微镜进行了确认。具有大结晶域的液晶膜可进一步用作 OFET 的载流子传输通道。结果，我们实现了高性能 OFET，饱和载流子迁移率为 1.62 ± 0.26 cm 2 V −1 s −1
优化线性层的量子实现深度
摘要：由于量子比特非常宝贵，而决定可用计算时间的退相干时间却非常有限，因此量子电路的合成和优化是量子计算中重要且基础的研究课题。具体来说，在密码学中，确定实现加密过程所需的最小量子资源对于评估对称密钥密码的量子安全性至关重要。在本文中，我们研究了在使用少量量子比特和量子门的情况下优化线性层量子电路深度的问题。为此，我们提出了一个线性布尔函数的实现和优化框架，通过该框架，我们可以显著减少对称密钥密码中使用的许多线性层的量子电路深度，而无需增加门数。
半导体二维聚合物作为有机电化学晶体管活性层
有机电化学晶体管 (OECT) 是一种基于半导体的器件，有望用于生物接口电子、化学传感和神经形态计算等应用。[1–7] OECT 通过将栅极电压电位转换为源极和漏极端子之间的差分电流来工作。[1,8] 在 OECT 架构中，栅极电位通过注入或传输离子和电荷补偿来调节半导体聚合物的氧化还原状态，从而控制有机晶体管通道的体积电导率（图 1 b、c、d）。[9] 由于离子掺杂引起的体积电导率变化可实现有效的离子到电子信号转导。[1,3] 为了满足有效电子传输、离子注入和传输以及高体积电容的需求，需要开发一种称为有机混合离子/电子
标题：光学连贯性层析成像中的人工智能和成像处理
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半导体二维聚合物作为有机电化学晶体管活性层
有机电化学晶体管 (OECT) 是一种基于半导体的器件，有望用于生物接口电子、化学传感和神经形态计算等应用。[1–7] OECT 通过将栅极电压电位转换为源极和漏极端子之间的差分电流来工作。[1,8] 在 OECT 架构中，栅极电位通过注入或传输离子和电荷补偿来调节半导体聚合物的氧化还原状态，从而控制有机晶体管通道的体积电导率（图 1 b、c、d）。[9] 由于离子掺杂引起的体积电导率变化可实现有效的离子到电子信号转导。[1,3] 为了满足有效电子传输、离子注入和传输以及高体积电容的需求，需要开发一种称为有机混合离子/电子
3R和2H MOS2中的堆叠依赖性层中音子
摘要：我们通过使用依赖偏振的超频率拉曼光谱的纯3R和2H堆叠顺序研究了MOS 2中的层间剪切和呼吸声子模式。我们在MOS 2中最多观察到三层剪切分支和四个呼吸分支，厚度为2至13层。呼吸模式显示出两种多型型的拉曼活性行为，但是2H呼吸频率始终比3R呼吸频率高几个波数，这表明2H MOS 2的层间层间层间lattice晶格偶尔略高于3R MOS 2。相比之下，剪切模式拉曼光谱在2H和3R MOS 2中截然不同。虽然最强的剪切模式对应于2H结构中的最高频率分支，但它对应于3R结构中的最低频率分支。3R和2H多型的如此独特和互补的拉曼光谱使我们能够从最高到最低分支中调查MOS 2中的广泛剪切模式。通过结合线性链模型，群体理论，有效的键极化模型和第一原理计算，我们可以考虑实验中的所有主要观察结果。