摘要我们模拟了用魔法角度扭曲的两个磁性对称性的磁性模式之间的顺磁颗粒的运动。所得的莫里图模式在磁性电位中形成平坦的通道,沿磁电势可以通过大于临界值的数量级的漂移力传输胶体颗粒。胶体运输也可以通过均匀外部场的调制环随时间变化的方向而变化,在这种情况下,传输受到拓扑保护。漂移和拓扑运输竞争或合作产生了几种运输模式。合作使在漂移力上移动颗粒比临界力弱。超临界漂移迫使运输模式之间的竞争结果,例如在整数步骤中粒子的平均速度和次谐反应的发生中增加。我们用平均粒子速度的动态相图来表征系统,这是拓扑传输方向的函数和漂移力的大小。
扭转二维范德华磁体可以形成和控制不同的自旋纹理,如 skyrmion 或磁畴。除了旋转角度之外,还可以通过增加形成扭转范德华异质结构的磁层数量来设计不同的自旋反转过程。在这里,A 型反铁磁体 CrSBr 的原始单层和双层被视为构建块。通过将这些单元旋转 90 度,可以制造对称(单层/单层和双层/双层)和不对称(单层/双层)异质结构。磁输运特性显示出磁滞的出现,这在很大程度上取决于施加磁场的大小和方向,不仅由扭转角度决定,还由形成堆栈的层数决定。这种高可调性允许在零场下切换易失性和非易失性磁存储器,并根据需要控制在负场或正场值下突然磁反转过程的出现。根据微磁模拟的支持,基于层中发生的不同自旋切换过程合理化了现象学。结果强调了扭转角和层数的组合是设计扭转磁体中自旋切换反转的关键要素,这对于自旋电子器件的小型化和实现新型自旋纹理很有意义。
该项目的目的是通过利用在要模拟的过程步骤中测量所涉及的材料的固有应力来获得变形晶片的图形表示。通过应力,可以通过对扁平晶片的一系列特征进行评估,可以直接获得变形,而无需考虑导致几何形状修饰的热预算或步骤。在一个阶段进行模拟整个晶圆仍然需要无法实现的计算能力,因此有必要将模拟分为3个主要步骤:
我们将外延的概念扩展到了“扭曲外观”的制度,并在两个受相对方向影响的两个底物之间的表层晶体取向。,我们在两个去角质的六角钼二硫化物(MOS 2)的两个底物之间退火纳米厚的金(AU)纳米颗粒,其基础平面的不同方向具有相互扭曲的角度,范围为0°至60°。透射电子显微镜研究表明,当双层的扭曲角度很小(<〜7°)时,AU在顶部和底部MOS 2之间对齐。对于较大的扭曲角,Au只有一个小的不良对象,而底部MOS 2则与双层MOS 2的扭曲角差异大致变化。四维扫描透射电子显微镜分析进一步揭示了与扭曲的外交相关的au纳米虫的周期性应变变化(<|±0.5%|),与两个MOS 2扭曲层的Moiré注册表一致。e
一种制备具有手性形态的稳定无机纳米粒子的稳健且可重复的方法可能是这些材料实际应用的关键。本文介绍了一种制备四重扭曲金纳米棒的优化手性生长方法,其中使用氨基酸半胱氨酸作为不对称诱导剂。在半胱氨酸作为手性诱导剂、抗坏血酸作为还原剂的情况下,反复还原 HAuCl 4 后发现在单晶纳米棒表面形成了四个倾斜的脊。通过对晶体结构进行详细的电子显微镜分析,提出不对称性是由于初始纳米棒上形成了突起(倾斜脊)形式的手性面,最终导致扭曲的形状。半胱氨酸的作用是协助对映选择性面演化,密度泛函理论模拟的表面能支持了这一观点,表面能随着手性分子的吸附而改变。因此,R 型和 S 型手性结构(小面、梯田或扭结)的发展将不相等,从而消除了 Au NR 的镜像对称性,进而导致具有高等离子体光学活性的明显手性形态。
点的扭转角可以通过改变费米能量、拓扑绝缘体收缩宽度和量子阱带隙来进行调控。27但目前还没有关于分子器件扭转角的系统研究。本文基于非平衡格林函数(NEGF)结合密度泛函理论(DFT),28,29研究了由两个V型锯齿边石墨烯纳米带(GNR)电极连接不同扭转角的CuPc分子构成的CuPc分子器件的量子输运性质。通过改变扭转角可以控制器件的局域自旋态和相关的量子输运性质。结果表明,扭转双层CuPc分子(TTBCPM)的HOMO-LUMO能隙、自旋滤波效率(SFE)和自旋相关电导随扭转角变化。当q较大时,电导和SFE的变化趋势几乎相反。当q=0时电导最大,当q=60时SFE最大,提出了这些现象的物理机制,并通过分析透射光谱、分子能级谱和散射态,进一步理解了具有扭转角的量子传输现象。
我们研究了第一原理中扭曲角度对石墨烯 / NBSE 2异质结构中接近旋转轨道耦合(SOC)的影响。将几个不同相称的扭曲超级电池的低能量狄拉克带与模型的哈密顿式化合物拟合,从而使我们能够详细研究SOC的扭曲依赖性。我们预测,从= 0°到= 30°扭曲角时,Rashba Soc的大小可以三倍。此外,以≈23◦的扭曲角度旋转旋转纹理可获得大径向分量,对应于RASHBA角度= 25°的RASHBA角度。通过分析狄拉克状态的轨道分解来揭示其最强大杂交的NBSE 2频段,从而解释了提取的接近SOC的扭曲角度依赖性。最后,我们采用了库拜公式来评估所研究的异质结构中常规和非常规的旋转转换的效率。
对称性在托管迪拉克电子的材料中起着关键作用,并以我们通过调整物理参数(例如在范德华异质结构中扭曲)来完全弄平了狄拉克锥的能力。乍一看,扭曲的双层中的出现的moir'e模式乍一看,与初始堆叠顺序无关,因此只有当一层相对于另一个层翻译时,才会改变。但是,当扭曲角度很大时,在扭曲的双层石墨烯的情况下,在晶格和电子结构的水平上都可以看到差异。在这项工作中,我们首先解决了扭曲的kagome双层的问题,并表明高对称性kagome双层的旋转和二面对称性均用于所有相称的扭曲角,具有6倍对称的扭曲中心。因此,我们证明了小扭曲角系统的精确对称性取决于双层的初始堆叠。我们将方法的原理进一步应用于具有3倍对称扭曲中心的扭曲双层石墨烯,以恢复[E. J. Mele,物理。修订版b 81,161405(2010)]。
金属单核化杂质中的厚度和扭曲角度依赖性层间激素wenkaiZheng§,⊥,⊥,lixiang§,⊥,⊥,felipe dequesada˧,£,£,Mathias Augustinǂ,Mathias Augustinǂ,ƪ,金属单核化杂质中的厚度和扭曲角度依赖性层间激素wenkaiZheng§,⊥,⊥,lixiang§,⊥,⊥,felipe dequesada˧,£,£,Mathias Augustinǂ,Mathias Augustinǂ,ƪ,
魔术角扭曲的双层石墨烯(MATBG)在理论上和体验上都广泛探讨了一个合适的平台,可用于包括铁磁剂,电荷顺序,破碎的对称性和非常规的超导性的富相图。在本文中,我们研究了MATBG中远程电子相互作用,自旋爆发和超导性之间的复杂相互作用。通过为MATBG采用低能模型,该模型捕获了频带的正确形状,我们探索了短期和长距离相互作用对自旋闪光的影响及其对MATRIX随机相位的超导(SC)成对角度的影响(Matrix RPA)。我们发现,SC状态特别受到远程库仑相互作用的强度影响。有趣的是,我们的矩阵RPA计算表明,与现场相比,系统可以通过增加远距离相互作用的相对强度来从磁相转移到SC相。这些发现强调了电子 - 电子相互作用在塑造MATBG的有趣特性中的相关性,并提供了设计和控制其SC相的途径。