或活动美国精神病学协会,2013年)。根据美国精神病学协会(2013年),自闭症的患病率为1%。 在ASD患者中经常发现感觉困难(Kojovic等人,2019年),特别是体感系统困难,例如异常的皮肤敏感性[Asmika等,2018; Zhong等人,2013年](包括压力检测)和本体感受。 这些感觉异常可能会导致社会发展受损的病理生理过程[]。 本体感受是人体正在进行的空间配置的感觉注册。 它包括身体段在太空中的位置,力和运动速度以及重力和身体平衡的整合。 本体感受会影响行为调节和运动控制]。 Blanche等。 表明,患有ASD的儿童目前的本体感受的处理困难与其他发育障碍儿童及其通常发展的儿童不同。 但是,Morris等人,2015年,Fuentes等人,2011年没有确认实验范式中的这些本体感受困难。 缺陷可能主要依赖于多感官集成[]。根据美国精神病学协会(2013年),自闭症的患病率为1%。感觉困难(Kojovic等人,2019年),特别是体感系统困难,例如异常的皮肤敏感性[Asmika等,2018; Zhong等人,2013年](包括压力检测)和本体感受。这些感觉异常可能会导致社会发展受损的病理生理过程[]。本体感受是人体正在进行的空间配置的感觉注册。它包括身体段在太空中的位置,力和运动速度以及重力和身体平衡的整合。本体感受会影响行为调节和运动控制]。Blanche等。表明,患有ASD的儿童目前的本体感受的处理困难与其他发育障碍儿童及其通常发展的儿童不同。但是,Morris等人,2015年,Fuentes等人,2011年没有确认实验范式中的这些本体感受困难。缺陷可能主要依赖于多感官集成[]。
碳纳米管已被广泛研究。它们的直径和手性赋予它们半导体和金属特性,使其在单电子晶体管、气体存储材料和磁制冷机等纳米级器件中具有吸引力 [1]。此外,一些研究集中于氮化硼 (BN) 纳米材料,包括 BN 纳米管、BN 纳米胶囊、BN 纳米颗粒和 BN 簇。BN 纳米管的结构类似于碳纳米管,由交替的硼原子和氮原子组成,它们完全取代石墨状薄片中的碳原子,原子间距变化很小。1981 年,Ishii 等人报道发现了具有竹子状结构的一维氮化硼 (BN) 纳米结构,他们将其称为 BN 晶须 [2]。然而,直到 1994 年,才首次在理论研究中提出了具有完美管状结构的 BN 纳米结构的存在 [3],之后才于 1995 年通过电弧放电合成。在随后的几年中,大部分研究都集中在合成氮化硼纳米管 (BNNT) 和表征其结构上。近年来,人们对氮化硼纳米管 (BNNT) 的兴趣日益浓厚,因为它们在所有配置中都具有半导体特性,具有较宽的带隙。这些特性使它们特别适合开发紫外发光装置和太阳能电池中的各种应用。此外,它们在极端条件下保持稳定光电特性的能力为新材料开辟了新方向。
Shuo Lou 1,2† , Bosai Lyu 1,2† , Jiajun Chen 1,2† , Xianliang Zhou 1,2† , Wenwu Jiang 3,4 , Lu Qiu 5,6 , Peiyue
摘要:使用Ab始于从头算计算,研究了优化的几何形状,以及钝化边缘扶手椅抗氨基烯纳米纤维(ASBNR)的电子和传输特性。由于量子限制,当宽度分别从5 nm降低到1 nm时,带隙的大小可以从1.2 eV到2.4 eV(间接)调节。这项研究的重点是宽度为5 nm(5-ASBNR)的纳米容器,因为它的制造潜力较高,并且可以接受电子应用的带型带。应用单轴压缩和拉伸菌株会减少5-ASBNR膜的带隙。当引入超过4%以上的拉伸应力时,观察到直接带隙转变的间接转换。此外,当引入高于9%的压缩应变时,可以观察到半金属行为。通过施加压缩(拉伸)应变,孔(电子)有效质量降低,从而增加电荷载体的迁移率。研究表明,可以通过在丝带上施加拉伸或压缩应变来调节基于ASBNR的纳米电子设备的载体迁移率。关键字:2D材料,偶然,纳米式,压缩和拉伸应变,带状结构,状态密度■简介