dsDNA 或 ssODN 作为模板进行精确修复 , 而非同源末端连接 (NHEJ) 介导的随机修复可造成插入 、 缺失或突变 . ssODN: 单链寡核苷酸 ; dsDNA: 双链 DNA Figure 3 Two CRISPR/Cas9 gene editing strategies. Cas9 creates DNA double strand break at three bases upstream of the PAM sequence. Homologous recombination repair (HDR) mediates precise repair using dsDNA or ssODN as a template, while non-homologous end joining (NHEJ) -mediated repair can cause insertion, deletion or mutation. ssODN: Single-strand oligodeoxynucleotide; dsDNA: Double strand DNA
基金项目 (Foundation item) : 深圳湾实验室基金 (21250071) 。 This work was supported by Shenzhen Bay Laboratory Foundation, China (21250071).
[1] Egger G,Liang G,Aparicio A等。人类疾病的表观遗传学和表观遗传疗法的前景。 自然,2004,429:457-63 [2] Varmus H.为基于基因的药物做好准备。 New Engl J Med,2002,347:1526-7 [3] Pogue RE,Cavalcanti DP,Shanker S等。 罕见的遗传疾病:诊断,治疗和在线资源的更新。 Div> Discov今天,2018年,23:187-95 [4] Fischer A,Cavazzana-Calvo M.遗传疾病的基因治疗。 Lancet,2008,371:2044-7 [5] Porteus M.基因组编辑:一种新的人类治疗方法。 Annu Rev Pharmacol Toxicol,2016,56:163-90 [6] Cox DBT,Platt RJ,ZhangF。治疗基因组编辑:前景和挑战。 nat Med,2015,21:121-31 [7] Barrangou R,Fremaux C,Deveau H等。 crispr提供了对原核生物中病毒的抗药性。 Science,2007,315:1709-12 [8] Deltcheva E,Chylinski K,Sharma CM等。 CRISPR RNA通过反式编码的小RNA和宿主因子RNase III成熟。 自然,2011,471:602-7 [9] Cong L,Ran FA,Cox D等。 使用CRISPR/CAS系统的多重基因组工程。 Science,2013,339:819-23 [10] Jinek M,Chylinski K,Fonfara I等。 适应性细菌免疫中可编程的双RNA引导的DNA内切酶。 Science,2012,337:816-21 [11] Maruyama T,Dougan SK,Truttmann MC等。 通过抑制非同源末端连接来提高精确基因组编辑的效率。 nat Biotechnol,2015,33:538-42 [12] Shmakov S,Smargon A,Scott D等。 快照:2类CRISPR-CAS系统。人类疾病的表观遗传学和表观遗传疗法的前景。自然,2004,429:457-63 [2] Varmus H.为基于基因的药物做好准备。New Engl J Med,2002,347:1526-7 [3] Pogue RE,Cavalcanti DP,Shanker S等。罕见的遗传疾病:诊断,治疗和在线资源的更新。Div> Discov今天,2018年,23:187-95 [4] Fischer A,Cavazzana-Calvo M.遗传疾病的基因治疗。Lancet,2008,371:2044-7 [5] Porteus M.基因组编辑:一种新的人类治疗方法。Annu Rev Pharmacol Toxicol,2016,56:163-90 [6] Cox DBT,Platt RJ,ZhangF。治疗基因组编辑:前景和挑战。nat Med,2015,21:121-31 [7] Barrangou R,Fremaux C,Deveau H等。crispr提供了对原核生物中病毒的抗药性。Science,2007,315:1709-12 [8] Deltcheva E,Chylinski K,Sharma CM等。CRISPR RNA通过反式编码的小RNA和宿主因子RNase III成熟。自然,2011,471:602-7 [9] Cong L,Ran FA,Cox D等。使用CRISPR/CAS系统的多重基因组工程。Science,2013,339:819-23 [10] Jinek M,Chylinski K,Fonfara I等。适应性细菌免疫中可编程的双RNA引导的DNA内切酶。Science,2012,337:816-21 [11] Maruyama T,Dougan SK,Truttmann MC等。通过抑制非同源末端连接来提高精确基因组编辑的效率。nat Biotechnol,2015,33:538-42 [12] Shmakov S,Smargon A,Scott D等。快照:2类CRISPR-CAS系统。2类CRISPR-CAS系统的多样性和演变。Nat Rev Microbiol,2017,15:169-82 [13] Makarova KS,Zhang F,Koonin EV。Cell,2017,168:328-328.e1 [14] Zetsche B,Gootenberg JS,Abudayyeh Oo等。CPF1是2类CRISPR- CAS系统的单个RNA引导的内切酶。 Cell,2015,163:759-71 [15] Ran Fa,Cong L,Yan WX等。 使用金黄色葡萄球菌Cas9的体内基因组编辑。 自然,2015,520:186-91 [16] Kim E,Koo T,Park SW等。 在体内基因组编辑中,带有弯曲杆菌的小Cas9直系同源CPF1是2类CRISPR- CAS系统的单个RNA引导的内切酶。Cell,2015,163:759-71 [15] Ran Fa,Cong L,Yan WX等。使用金黄色葡萄球菌Cas9的体内基因组编辑。 自然,2015,520:186-91 [16] Kim E,Koo T,Park SW等。 在体内基因组编辑中,带有弯曲杆菌的小Cas9直系同源使用金黄色葡萄球菌Cas9的体内基因组编辑。自然,2015,520:186-91 [16] Kim E,Koo T,Park SW等。在体内基因组编辑中,带有弯曲杆菌的小Cas9直系同源在体内基因组编辑中,带有弯曲杆菌的小Cas9直系同源
前言 ...................................................................................................................................................................................I
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图 3 ReRAM 特性的电极依赖性:(a) 50×50 μm 2 ,(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM,并评估了其特性。在本次创建的条件下,没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中,由于氧气的释放,灯丝没有断裂。比较电极尺寸,50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比,可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等,IEEE Transactions on Electron Devices,第 65 卷,第 8 期,第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya,基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产,名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等,ACS Appl. Mater. Interfaces,第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等,微电子可靠性。54,第 541-560 页 (2014)。
摘要:质量注入热防护是一种高效、主动的热防护技术,它通过向流场中注入储存的冷却剂来冷却结构,冷却剂在吸收热量的同时,还对流场结构产生影响,起到隔热作用。质量注入方法可用于高热流密度、长时间飞行的工况,是高超声速飞行器最有潜力的冷却技术之一。蒸发、薄膜冷却和对冲喷射是高超声速飞行器热防护的典型质量注入技术。本文介绍了3种典型的质量注入技术的冷却机理,比较了3种技术的注入方式、流场特点和冷却效率,分析了3种技术在飞行器上应用的不足,并针对每种不足推荐了几种质量注入技术的组合方案。最后,对质量注入技术的进一步发展提出了3点展望。未来应重点发展大体积注入热防护技术的流体-热-结构耦合方法、注入结构设计与优化以及热防护系统效能评估等。
使用储能设备对于零能耗结构的开发和维护至关重要。它们是可再生能源的最佳利用和管理能源供应和需求的间歇性所必需的。许多不同类型的存储系统(电化学、热、机械等)要么已在商业上可用,要么即将开发用于建筑规模。不同的技术具有不同的功能和特性,因此在深入进行技术经济研究之前,找到一个评估您的可能性的系统非常重要。当前和新兴储能技术的所有方面,以及它们的用途、未来前景和历史背景,都将接受严格的评估。电化学和电池存储、热存储、热化学存储、飞轮存储、压缩空气存储、抽水蓄能、磁存储、化学和氢存储以及氧化还原流存储等储能技术都包括在内。还讨论了替代储能方法的新研究,以及该领域的重大进展和发现。
Liu 等 [36] 在 1950 ℃ 和 50 MPa 压力的 SPS 过 程中,发现随着 TiB 2 的添加量由 5 mol% 增至 30 mol% ,复合陶瓷的硬度降低,断裂韧性增加。 除裂纹偏转和 TiB 2 的钉扎效应使 B 4 C 晶粒细化 ( 从 1.91 μm 减至 1.67 μm) 外,两相间位错的产生, 是 B 4 C 陶瓷增强、增韧的次要原因,其在陶瓷断 裂前吸收能量,造成局部强化 [37–38] 。研究发现, 添加 20 mol% TiB 2 时,复合陶瓷的相对密度为 97.91% ,维氏硬度为 (29.82±0.14) GPa ,断裂韧性 为 (3.70±0.08) MPa·m 1/2 。 3.1.2 Ti 单质引入 与直接添加 TiB 2 相比,在烧结过程中原位反 应生成 TiB 2 可以在较低的烧结温度下获得更高 的密度和更好的机械性能。 Gorle 等 [39] 将 Ti-B( 原 子比 1:2) 混合粉体以 5 wt.% 、 10 wt.% 和 20 wt.% 的比例加入到 B 4 C 粉末中,研磨 4 h 后通过 SPS 在 1400 ℃ 下获得致密的 B 4 C 复合陶瓷。由于 WC 污染,获得了由被 (Ti 0.9 W 0.1 )B 2 和 W 2 B 5 的细颗粒 包裹的 B 4 C 颗粒组成的无孔微结构。当 Ti-B 混合 物的量从 5 wt.% 增至 20 wt.% 时,烧结活化能从 234 kJ·mol −1 降至 155 kJ·mol −1 。含 5 wt.% Ti-B 混 合物的 B 4 C 复合材料的最大硬度为 (3225±218) HV 。由于 TiB 2 的原位形成反应是高 度放热并释放大量能量的自蔓延反应,因此,原 料颗粒界面间的实际温度预计高于 SPS 烧结温 度,同时,液相 W 2 B 5 的形成润湿了 B 4 C 表面, 有助于降低 B 4 C 晶粒的界面能,并加速了沿晶界