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World File Search System抗铁
抗铁磁性纳米结构中Terahertz少量的激发：理论和实验Safin，A。; Nikitov，S。； Kirilyuk，A.I。； Kalyabin，D.V。;悲伤
摘要 - 已经回顾了抗铁磁纳米结构中木元的激发，检测和传播的理论和实验研究。抗铁磁材料的特性，例如不存在宏观磁化，存在强交换相互作用以及复杂的磁晶体结构，使实施新型的内存和功能电子设备使得有可能。微观和纳米级的抗铁磁材料中可能的镁效应的研究需要新的实验和理论方法。在这篇综述中，描述并系统化了磁振荡激发的最新结果 - 磁磁性的抗铁磁材料。提出了抗铁磁铁和多层抗磁性异质结构的主要理论结果。模型用于描述包括纳米层结构中电流和光脉冲引起的现象，包括抗铁磁体。通过布里鲁因散射研究抗铁磁微体和纳米结构的方法，以及抗铁磁性纺纱型和镁质的应用的前景。
抗铁磁体中的连贯的旋转动力学超越...
受控的具有最高频率和最短波长的相干旋转波是旋转和镁质的基石。在这里，使用Heisenberg Antiferromagnet RBMNF 3，我们证明激光诱导的Thz旋转动力学对应于对应于相互一致的反向传播波的成对，波向量到Brillouin区域的边缘，无法用磁性和抗模型（antiferromagnotic）旋转（nneellomagnetial）dictive（nneellomagnetial）。相反，我们建议使用自旋相关函数对这种自旋动力学进行建模。我们得出了后者的量子力学运动方程，并强调与磁化和抗磁磁性不同不同，抗铁磁体中的自旋相关性不表现出惯性。
抗铁磁性旋转的新兴材料（来宾社论）
补偿磁铁的物理学：抗铁磁铁，磁磁补偿的铁磁铁和合成反铁磁铁非常丰富，有时是独一无二的和出乎意料的。补偿磁铁中允许的新效果类型包括：超快（THZ）动力学，伪粘合元素，（自我）补偿的天空，交错的拓扑结构以及与自旋极化三胞胎超导性的兼容性。因此，补偿磁铁的使用构成了开发新的旋转组件的范式转移，超出了传统的铁磁体的可能性。这个特殊的收藏品为读者提供了最新的材料开发项目，探讨了尖端的基本物理和有希望的补偿磁铁应用。可以将其分为七个主题组，每个组都处理该学科的当前和快速增长的分支。
用倾斜各向异性的抗铁磁体中的双曲光学元件
在某些频率下，通过抗磁性有序的磁晶体传播的光传播可以表现出与双曲线极性子相关的各种现象。由于强烈的各向异性而出现了有趣且可能有用的现象，这是由镁质 - 波利顿共鸣驱动的强烈各向异性的，包括负折射和聚焦在扁平镜头中。在双曲介质中，这种不寻常的光学器件通常在各向异性垂直或与介质的界面平行时表现出来。然而，各向异性方向可以是控制波传播的关键药物。在这里，我们探讨了如何使用这种材料特性来大幅度修改光学现象。更具体地说，我们发现，通过将光轴的方向倾斜相对于抗铁磁晶体的表面，可以获得不对称的波传播，进而可以用来将其用于横向调节由双胞胎介质制成的平面镜头的焦点。
2D抗铁磁半导体CRP的垂直连接中的磁化振荡4
1 MOE的关键实验室，用于凝结物质的非平衡合成和调节，Shaanxi省级高级材料和介质物理学的主要实验室，XI'AN JIAOTONG大学，XI'AN，XI'AN，710049，710049，中国2个国家主要的实验室，是纳尼型纳米型材料和量化量的纳米级材料和量子量的国家主要实验室， 200433，中国3个州制造系统工程钥匙实验室，西安·贾东大学，西安，710049，中国4号材料材料纳米结构研究中心，国家材料科学研究所，1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-15-0044，日本305-0044，日本5日本6东南大学物理学院量子材料和设备的主要实验室，211189，中国南京7 Zhangjiang Fudan International Innovation Center，Fudan University，上海2011年
b'Abstract：在石墨烯纳米结构中掺入非苯并丁基基序会显着影响其特性，从而使其对碳基电子中的应用有吸引力。但是，了解特定的非苯并结构如何影响其性质仍然有限，并且需要进一步的研究以充分理解其含义。在这里，我们报告了一种表面合成策略，用于制造非偶氮纳米仪，其中含有五角形和七型环的不同组合。通过扫描隧道显微镜和光谱法研究了它们的结构和电子特性，并得到了计算研究的补充。在Au（111）表面上的前体P热激活后，我们检测到了两种主要的纳米摄影产物。纳米谱A A A A嵌入了通过甲基取代基的氧化环闭合形成的两个叠氮单元，而A A S则包含一个叠氮单元和一个石 - 孔缺陷，由氧化环闭合型和骨架环形反射反应组合形成。 A A A表现出一种抗铁磁基态，其磁性含量最高的磁交换耦合最高的含量含有纳米谱，与副产品并存，副产品与封闭的壳构型共存，这是由环闭合型和环型重新训练反应组合（B A，B A A A，B A S，B A S，B S，B S-S-A和B S）。我们的结果提供了对新型NGS
b'Abstract：在石墨烯纳米结构中掺入非苯并丁基基序会显着影响其特性，从而使其对碳基电子中的应用有吸引力。然而，了解特定的非苯基结构如何影响其性质仍然有限，并且需要进一步的研究以充分理解其含义。在这里，我们报告了一种地面合成策略，用于制造非偶氮纳米仪，其中包含五角形和七型甲环的不同组合。通过扫描隧道显微镜和光谱检查研究了它们的结构和电子特性，并补充了计算研究。在AU（111）表面的前体P的热激活后，我们检测到了两种主要的纳米摄影产物。纳米谱烯A A A A嵌入了通过甲基取代基氧化环闭合形成的两个叠氮烯单元，而A A S包含一个叠氮单元和一个石 - 孔缺陷，由氧化环盘纤维和骨骼环形反应组合形成。a a A表现出抗铁磁基态，其磁性交换耦合最高的含量最高的含量含量为纳米谱，并与副产品并存，副产品具有封闭的壳构型，这是由环封元型和环型重新计算反应组合的（b a a a，b a s s s s，b a，b a s，b a，b a s s，b a s s，b s-a和b s s）。我们的结果提供了对包含非苯甲酸基序及其量身定制的电子/磁性的新型NG的单个金原子辅助合成的见解。
在拓扑富含独立的纳米膜中，在空间上可重新配置的抗铁磁状态
我们通过在透射电子显微镜中使用选定的区域电子衍射（SAED）研究了各种独立的AFM膜（type-a，b，c）的结晶度，请参见补充图S1.1A，C，e。A型，B膜是在SAO涂层的α-AL 2 O 3和SRTIO 3底物上生长的未封闭的α-FE 2 O 3层，而C型C膜是缓冲α-FE 2 O 2 O 2 O 3层在SAO涂层的Srtio Srtio 3 sibtrates上生长的3层。缓冲液由老挝和STO层制成（有关详细信息，请参见方法）。SAED模式证实A型膜中的AFM层是多晶的，而B型膜中的AFM层是单个晶体。type-C的缓冲膜不仅是结晶的，而且由于与缓冲液中的老挝层的不匹配，还具有Moiré图案。此外，通过POL图分析和𝜙 -Scans证实了缓冲膜中各个层的外延生长，在补充图S1.2中进行了说明。最后，在补充图S1.1b，d，f中显示的光学显微镜图像表明，未固定的A型，B膜通常会构成更多的裂纹，从而导致较小的完整膜区域。相比之下，缓冲型C膜通常形成较大的面积样品，裂纹较少，这对于实现强弯曲的AFM结构以探索磁结构效应很重要。
应变诱导的抗铁磁RUO 2中的轨道能移动
3高级光子来源，阿尔贡国家实验室，莱蒙特，伊利诺伊州60439，美国4 Max-Planck固体化学物理学研究所，NöthnitzerStraße40，01187德累斯顿，德国，德累斯顿