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拉曼达公园特定计划
The Department of Transportation's Bicycle Transportation Action Plan (BTAP) (August 2015) provides specific goals, objectives, actions, and timeless for creating an environment (1) where people circulate without a car, (2) that significantly increases the number of people who commute by bike, (3) that increases the number of people who commute by bike, (3) that increases the number of people who use a bike for utilitarian trips, fitness and娱乐和（4）为城市提供商业和经济利益。BTAP为自行车道网络提供了详细信息，以便每个社区都在有效的自行车路线和实施计划的筹资策略的1/4英里以内。LPSP区域包含BTAP科罗拉多大道走廊的一部分，该走廊穿过帕萨迪纳中部到达城市的东部边界。科罗拉多大道上目前没有自行车设施。LPSP还通过促进缓冲自行车道支持BTAP。
2030.20 -DHHS P＆P模板 - 萨克拉曼多县
A.所有护理人员在医疗事件发生时，他们都将由其提供者机构提供服务并以护理人员的身份雇用，应拥有所有必要的药物，设备和材料，以提供ALS的服务水平。B.提供商机构的唯一责任是拥有所有必要的药物，设备和材料可供护理人员，他们在医疗事件发生时正在服用并以护理人员的身份雇用。C.提供者可以选择仅携带一种麻醉镇痛药（芬太尼或氯胺酮*），并且仅携带一种非麻醉镇痛药（乙酰氨基酚或酮洛拉克）进行疼痛控制。*注意：尽管氯胺酮不是麻醉剂，但如果提供者选择不携带两者，它将被视为一种代替芬太尼的选择。D.提供商机构可以选择不向SCEMSA检查指南中的星号（*）指示的那些项目提供非运输ALS单位。E. EMSA实践范围和SCEMSA可选的实践范围，应以书面形式报道，以书面形式报告，涉及患者护理的ALS服务的足够材料数量的任何缺陷，是否影响了患者护理，无论发生EMSA实践范围和SCEMSA可选的实践范围，都应在七（7）天内以书面形式进行。F.Scemsa应进行定期检查检查以验证合规性。G. SCEMSA检验指南不是一个无所不包的列表，也不是根据提供者的地理响应区域和确定足够数量来提供SCEMSA政策中指定必要护理的责任的数量。
拉曼光谱的自动统计分析......
https://doi.org/10.26434/chemrxiv-2023-5nhdj-v2 ORCID：https://orcid.org/0000-0002-8739-2777 内容未经 ChemRxiv 同行评审。许可证：CC BY-NC 4.0
B. Tech。材料科学与工程学的... 的学校 标题：下一代机器人应用程序的5G和基础AI模型发言人：Bharadwaj Amrutur摘要：生成AI，尤其是LA by527.pdf 课程名称：量子技术简介 ME353电子材料及其应用 拉曼 - PL申请表 1 IIT Mandi-新课程的建议1。序言
I.程序描述：技术学士学位（B.Tech。）材料科学和工程计划中的旨在通过提供大量的盟军工程课程和可就业技能来实现材料科学的强大基础。这个想法是开发广泛的B.Tech。课程与科学和工程融合在一起，涵盖了材料的关键要素，高级处理，添加剂制造和动手培训。进一步提出的课程将对工程材料的结构 - 培训相关性，处理和服务行为（包括电子设备的半导体，用于能量转换和存储的陶瓷）以及新兴生物技术的聚合物的结构相关性。这种理解既促进了新材料的开发和改进现有材料，以优化制造产品和现代工具。该计划将为学生在理论和实际理解该主题方面奠定坚实的基础。目前，专门研究材料科学和工程的学生需要在可持续性和可再生能源，纳米技术，量子材料和设备，人工智能，智能材料，低功耗计算，制造，制造，制造业和生产率的高级新兴领域学习和开发解决方案。我们在IIT Mandi拥有出色的实验室/研究中心材料科学和工程设施。拟议的B.Tech。此外，提议的B.Tech。计划将帮助我们弥合研究活动与工程教育之间的差距，而我们的毕业生将对未来的增长和行业发挥领导作用。材料工程师还为实用应用提供了材料知识，这些应用是众多部门提供的商品和服务的基石。计划将促进IIT Mandi的学术和研究活动，并通过生产高质量的工程师对社会产生更大的影响。
2023萨克拉曼多河温度管理计划
这个冬季中央山谷中的条件寒冷又潮湿，因此，与最近三年的干燥年份相比，Shasta温度管理将大大改善。北塞拉降水8站指数表明，今年的水文条件比平均水平高10英寸。在5月中旬，Shasta Reservoir的冷水池设法保护冬季奇努克鲑鱼，预计可与其他最近的潮湿时（如2017年和2019年）相提并论。这一水年的2023年萨克拉曼多河温度管理计划（计划）反映了2023年2月从2023年2月开始的协调，以管理Shasta水库的运营，用于在萨克拉曼多河上使用保守的建模假设，利用机遇，利用机会增加冷水池，并设法实时条件。该计划描述了美国填海局（开垦）如何计划在Shasta大坝上运营Shasta水库和温度控制装置（TCD），这与2020年在中央谷项目和州水域项目（LTO）协调长期运作的决定记录一致：
硅的拉曼光谱，用铂掺杂并被质子辐照
摘要。在这项工作中，通过拉曼光谱法研究了质子照射和铂杂质对硅样品晶体结构的影响。已经确定，具有铂的Si的单晶掺杂会导致小变化和拉曼光谱中新振动的出现。在521 cm – 1处主硅峰的强度降低了1.6倍，而其FWHM实际上没有变化，约为4.0 cm – 1。这种峰强度的降低可能是由于PT扩散而导致硅晶格结构中键的键和破坏。表明，在Si 光谱中60–280 cm1范围内的新振动的出现与元素PT的存在和PTSI的形成有关。已经发现，具有600 keV质子的Si 样品的照射会导致拉曼光谱发生变化，而PT和/或PTSI的峰消失了。
TSV应力演变映射使用在线拉曼光谱
使用在线拉曼光谱法开发了通过 - 硅vias（TSV）阵列内的应力演化的全面图片。一组具有不同TSV几何形状和金属种子衬里厚度的晶圆暴露于各种退火条件。监测VIA之间的Si-Si声子模式移动，通过几何形状和加工条件对Si底物中应力的影响是无损的。紧密靠近TSV的压缩应力。然而，对于带有小TSV音高的阵列，底物在VIA之间的空间中并没有完全放松，而是在阵列内积聚拉伸应力。这种病间应力随着TSV螺距的降低而增加，积聚向阵列的中心，并在很大程度上取决于退火条件。阵列中的高分辨率拉曼图显示了TSV阵列中应力分布的全部图片。通过使用不同的激发波长，探测了Si晶片中应力的变化。这些发现证明了对过程依赖性压力信息的在线访问的价值。此知识有助于定义设计基本规则，以获得最高设备性能或最大化晶体上可用区域的逻辑设备。
机器学习的最新进展辅助拉曼光谱
随着拉曼光谱的发展及其应用域的扩展，用于光谱数据分析的常规方法已经表现出许多局限性。探索新的方法以促进拉曼光谱和分析已成为研究重点的一个领域。已经证明，机器学习技术可以从光谱数据中更有效地提取有价值的信息，从而为分析科学创造前所未有的机会。本文概述了用于机器学习（ML）和ML-Algorithms的传统且最近开发的统计方法，用于基于拉曼光谱的分类和识别应用。这些方法包括主要成分分析，k-nearest邻居，随机森林和支持向量机，以及基于神经网络的深度学习算法，例如人工神经网络，卷积神经网络等。大部分审查致力于从多个领域的Raman光谱中的机器学习进展，包括材料科学，生物医学应用，食品科学等，这达到了令人印象深刻的分析准确性。在许多这些应用领域中，拉曼光谱和机器学习的结合是实现高通量和快速识别的前所未有的机会。还讨论了当前研究的局限性，并提供了对未来研究的观点。
博士塞图拉曼·潘查纳坦
介绍主席卢卡斯、排名成员洛夫格伦和委员会成员，我很荣幸今天能与大家讨论美国国家科学基金会向国会提出的 2024 财年预算申请，以及该申请如何以数十年来在科学、工程和技术领域的成功投资和突破为基础，确保美国在未来继续保持全球创新领先地位。美国国家科学基金会 (NSF) 根据 1950 年《国家科学基金会法案》(PL 81-507) 成立，是一个独立的联邦机构，其使命是“促进科学进步；增进国民健康、繁荣和福利；确保国防安全；以及用于其他目的”。NSF 在履行其使命方面独树一帜，支持科学、技术、工程和数学各个领域以及各级 STEM 教育的研究。 NSF 的投资对国家的经济和国家安全利益做出了重大贡献，并培养了面向未来的科学和工程劳动力，这些劳动力利用了所有美国人的才能，从而创造了新的企业、新的就业机会和更多的出口。七十多年来，NSF 一直是推动美国经济、改变美国人生活和确保国防安全的关键组成部分。我们今天受益的许多技术进步，如人工智能、量子信息科学和生物技术，都植根于数十年来的持续投资。然而，我们目前面临着激烈的全球竞争，在开发这些关键技术领域和培养确保未来创新所需的劳动力方面展开竞争。我们在以下领域的成功
37 硅缺陷的拉曼光谱...
众所周知，几乎所有半导体器件的制造工艺路线都伴随着各种低温和高温处理循环，这不可避免地会导致各种缺陷的形成，并对硅缺陷结构的发展和为改变半导体材料性能而引入的杂质形成的深中心（DC）的形成产生重大影响（Abdurakhmanov等人，2019年；Utamuradova等人，2006年；Utamuradova等人，2023年）。在生产各种结构和器件的半导体晶片的技术加工过程中，缺陷之间会发生各种相互作用，这些相互作用主要由晶格中具有最大迁移率的点缺陷决定（Normuradov等人，2022年；Turgunov等人，2020年）。晶体中的点缺陷是各种掺杂不受控制的技术杂质，它们既存在于间隙位置，也存在于替代位置，以及结构晶格缺陷 - 弗伦克尔对、空位和间隙原子。结构