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用于 6G 微电子封装的玻璃基材料和叠层太赫兹特性分析
摘要 包括聚合物/玻璃叠层在内的玻璃基材料是用于封装 5G 和 6G 微电子模块和元件的极具吸引力的结构块。我们利用商用太赫兹时域光谱 (THz-TDS) 系统首次对 AGC Inc. EN-A1 无碱硼铝硅酸盐玻璃和层压在钠钙浮法玻璃基板上的味之素增压膜 (ABF) 进行了 200 GHz 至 2.5 THz 的宽带特性分析。EN-A1 玻璃和层压 ABF 的折射率 n (ν)、衰减系数 α (ν)、介电常数 ε ′ (ν) 和损耗角正切 tan δ (ν) 分别为 n EN − A1 = 2 . 376，α EN − A1 = 31。 1 cm − 1 ，ε ′ EN − A1 = 5 . 64，tan δ EN − A1 = 0 . 062，n ABF = 1 . 9，α ABF = 30 cm − 1 ，ε ABF = 3 . 8，tan δ ABF = 0 . 072，均为 1 THz。我们的研究结果验证了 EN-A1 玻璃和 ABF 聚合物材料作为微波和 THz 封装解决方案的良好前景。
TELKOMNIKA 电信计算电子和控制
本文研究并设计了一种矩形微带贴片天线，该天线带有一个矩形缝隙，工作频率为 28 GHz，适用于第五代 (5G) 无线应用，采用微带线技术馈电。这个缝隙的目的是提高天线的性能。该天线建立在 Roger RT duroid 5880 型基板上，其相对介电常数等于 2.2，高度为 h = 0.5 毫米，损耗角正切为 0.0009。该天线的紧凑尺寸为 4.2 毫米 × 3.3 毫米 × 0.5 毫米。该天线的仿真是使用高频结构模拟器 (HFSS) 和计算机仿真技术 (CST) 软件进行的，其主要目的是确认该天线获得的结果。这些模拟的结果如下：谐振频率为 27.97 GHz，反射系数 (𝑆 11 ) 为 -20.95 dB，带宽为 1.06 GHz，增益为 7.5 dB，辐射功率为 29.9 dBm，效率为 99.83%。该天线获得的结果优于当前科学期刊上发表的现有天线获得的结果。因此，该天线很可能满足 5G 无线通信应用的需求。
使用柔性单极天线进行早期脑卒中检测
摘要 — 本文设计、印刷并分析了一种喷墨印刷开槽圆盘单极天线，该天线在聚对苯二甲酸乙二酯 (PET) 基板上处于 2.45 GHz ISM 频段，可用于早期检测脑中风。PET 因其低损耗角正切、柔韧性和防潮特性而被用作基板。通过实施开槽方法，该天线的尺寸减小到 40 × 38 mm2。印刷天线的带宽为 480 MHz（19.55%），频率范围为 2.25 GHz 至 2.73 GHz。它显示出 99% 的辐射效率，在 2.45 GHz 频率下实现的增益为 2.78 dB。单基地雷达 (MR) 方法被视为通过分析有无中风的头部模型接收信号的变化来检测脑中风。计算了 2.45 GHz 频率下的最大特定吸收率 (SAR) 分布。紧凑的尺寸和灵活的特性使得该单极天线适合于脑中风的早期检测。
适用于高频应用的具有感光性的低 Df 聚酰亚胺 Hitoshi Araki *、Yohei Kiuchi、Akira Shimada、Hisashi Ogasawara、Masaya Juke
用于高频应用的具有光敏性的低 Df 聚酰亚胺 Hitoshi Araki *、Yohei Kiuchi、Akira Shimada、Hisashi Ogasawara、Masaya Jukei 和 Masao Tomikawa 东丽工业公司电子与成像材料研究实验室，3-1-2 Sonoyama，大津，滋贺 520-0842，日本 *hitoshi.araki.u8@mail.toray 我们研究了聚酰亚胺链的分子运动和极性，开发出了新型低介电常数 (Dk) 和耗散因数 (Df) 聚酰亚胺。我们发现 10-100 GHz 时的 Df 对应于 -150 至 -50 ℃ 时的分子迁移率。为了降低高频时的介电损耗 (=Df)，限制低温下的分子运动非常重要。此外，减少聚酰亚胺链中的极性和柔性单元对于获得低 Dk 和 Df 的聚酰亚胺也很重要。我们利用这些知识开发了用于 RDL 的低介电损耗聚酰亚胺。结果，我们获得了新型聚酰亚胺的损耗角正切为 0.002 和介电常数为 2.7。这些聚酰亚胺可以通过正性光刻胶显影的碱性湿法蚀刻和紫外激光烧蚀法进行图案化。我们还通过混合光活性剂开发了光可定义的低损耗角正切聚酰亚胺。与传统的感光聚酰亚胺相比，新型低 Df 聚酰亚胺的微带线插入损耗更低。这些低介电损耗聚酰亚胺适用于 FO-WLP 绝缘体、中介层和其他微电子射频应用。 关键词：聚酰亚胺，低 Dk 和 Df，高频，图案化，低插入损耗 1. 简介 近年来，使用更高频率的 5G 通信技术正在不断推进，以实现高速大容量通信 [1]。此外，用于汽车防撞系统的毫米波雷达将使用超过 60 GHz 的频率 [2]。扇出型晶圆级封装 (FO- WLP) 因其封装尺寸小、制造成本低而备受半导体封装关注。高频 FO-WLP 中的再分布层 (RDL) 需要具有低介电常数 (Dk) 和耗散因数 (Df) 的绝缘体材料 [3]。特别是，采用扇出技术的封装天线 (AiP) 是 5G 时代的关键技术之一。聚四氟乙烯和液晶聚合物被称为低介电常数、低介电损耗材料。然而，这些材料在粘附性和精细图案的图案化性方面存在困难。用于 FO-WLP 再分布层的光电 BCB 介电常数低
无线局域网Koch分形天线的设计与分析
摘要 本文设计了一种用于无线局域网 (WLAN) 应用的 Koch 分形天线。Koch 雪花设计具有对称和自相似结构，可实现空间填充能力并改善天线的表面电流。整体分形天线结构由安装在介电材料（阻燃剂-4 (FR-4)，介电常数r=4.4，损耗角正切δ=0.02）两侧的铜箔（贴片和接地平面）组成。天线采用微带线馈电。Koch 分形天线的尺寸为 30 30 1.6mm3，是在高频结构模拟器 (HFSS) 平台上实现的紧凑尺寸设计。使用迭代函数系统 (IFS) 将模拟输出与贴片上实现的不同迭代进行内部比较，并比较三种不同迭代的辐射频率、回波损耗、带宽、增益和方向性的差异。三次迭代的谐振频率范围从 5.8GHz 到 7.47GHz，可用于 WLAN 应用。因此，所提出的 Koch 雪花分形天线设计随着迭代规模的增加而改善了天线参数，例如 S 11 从 -21.35dB 到 -36.32dB，平均增益为 3dB，阻抗带宽为 25.90%。关键词：天线设计、FR-4、接地平面、Koch 雪花、贴片、WLAN 应用
选择性激光烧蚀法多材料增材制造低烧结温度 Bi2Mo2O9 陶瓷与 Ag 浮动电极
摘要 共烧结低温陶瓷的增材制造 (AM) 为制造新型 3D 射频 (RF) 和微波通信组件、嵌入式电子设备和传感器提供了独特的途径。本文介绍了有史以来首次直接 3D 打印低温共烧结陶瓷/浮动电极 3D 结构。基于浆料的 AM 和选择性激光烧蚀 (SLB) 用于制造带有银 (Ag) 内部浮动电极的块状电介质 Bi 2 Mo 2 O 9 (BMO，烧结温度 = 620 – 650°C，ε r = 38)。开发了一种可打印的 BMO 浆料，并优化了 SLB，以改善边缘定义并烧掉粘合剂而不会损坏陶瓷。SLB 增加了保持形状所需的生坯强度，生产出无裂纹的零件，并防止共烧结过程中银渗入陶瓷。烧结后，将生坯部件放入传统炉中烧结，温度为 645°C，烧结时间为 4 小时，密度达到 94.5%，抗压强度达到 4097 MPa，相对介电常数 (εr) 为 33.8，损耗角正切 (tanδ) 为 0.0004 (8 GHz)（BMO）。由此证明了使用 SLB 后进行打印后烧结步骤来创建 BMO/Ag 3D 结构的可行性。
室温大磁电在过渡态...
人们越来越关注新型磁电 (ME) 材料，这种材料在室温 (RT) 下表现出强大的 ME 耦合，可用于高级存储器、能源、自旋电子学和其他多功能设备应用，利用通过磁场控制极化和/或通过电场控制磁化的能力。获得具有强 ME 耦合的 ME 材料、了解其起源并操纵其加工和成分以实现室温下的大 ME 系数是多铁性研究的重要一步。为了解决这个问题，我们研究了 Ni 掺杂的 Pb(Zr 0.20 Ti 0.80 )O 3 (PZT) 的多铁性和 ME 特性。我们发现 Ni 掺杂 PZT 的铁电（TC ~ 700 K）和弱铁磁（~ 602 K）相变远高于 RT，导致强 ME 耦合系数（ E,31）为 11.7 mVcm -1 Oe -1（H ac = 1 Oe 和 f = 1 kHz）。虽然 X 射线衍射表明这是一种单相材料，但高分辨率透射电子显微镜揭示了有和没有 Ni 存在的区域；因此两相之间的磁电耦合是可能的。第一性原理计算表明 (Ni Pb ) × 缺陷可能是造成 Ni 掺杂 PZT 中实验观察到的磁性和 ME 耦合的原因。我们进一步证明 Ni 掺杂 PZT 表现出低损耗角正切、低漏电流、大饱和极化和弱
通过设计 TLS 耗散来提高量子比特相干性
B41.002：高 Q 值超导谐振器高电阻率硅晶片低温损耗角正切测量 B57.002：超导 Nb 薄膜中亚间隙准粒子散射和耗散 B57.008：Nb 超导射频腔的电磁响应 B57.010：用于高 Q 值谐振腔的高纯铌超导态氢化物的非平凡行为 B57.012：轴子搜索的可行性研究：Nb SRF 腔中的非线性研究 D37.002：基于三维微波腔的微波光量子转导 D39.013：带有级联低温固态热泵的量子阱子带简并制冷 D40.008：基准测试方八边形晶格 Kitaev 模型的 VQE D41.003：用于量子计算的 Nb 谐振器中氧化铌退火的原位透射电子显微镜研究 F36.005：识别超导量子比特系统中缺陷和界面处的退相干源 F36.006：使用双音光谱理解和减轻超导射频 (SRF) 腔中的损耗 F36.007：通过 HT 相界分析优化用于量子器件的 Nb 超导薄膜 F36.008：循环：超导量子比特的多机构表征 F36.010：铌射频腔的 Nb/空气界面的原子尺度研究 K29.002：超导量子材料与系统 (SQMS) – 新的 DOE 国家量子信息科学研究中心M41.009：可调谐 transmon 量子比特的长期能量弛豫动力学作为损耗计量工具 N27.006：超导量子材料与系统 (SQMS) 研究中心的量子信息科学生态系统工作 Q71.007：高磁场中的超导材料在高能物理量子传感中的应用 Q37.005：多模玻色子系统量子启发式的数值门合成 S38.003：基于微米级约瑟夫森结的约瑟夫森参量放大器的制造和特性 S72.009：探究低温真空烘烤对超导铌 3-D 谐振器光子寿命的作用 T00.106：铌硅化物纳米膜的稳定性、金属性和磁性 T00.119：不同 RRR 值的铌膜的特性低温 T72.005：单个纳米结处异质偶极场和电荷散射的太赫兹纳米成像 W40.006：量子芝诺效应对两能级系统的动态解耦 W34.013：3D SRF QPU 的潜在多模架构探索 Y34.008：高相干性 3D SRF 量子比特架构的进展 Y40.009：理解和减轻超导量子比特中 TLS 引起的高阶退相干