摘要:皮秒雪崩探测器是一种基于 (NP) 漂移 (NP) 增益结构的多结硅像素探测器,旨在实现带电粒子跟踪,具有高空间分辨率和皮秒时间戳功能。它使用传感器体积深处的连续结来放大薄吸收层中电离辐射产生的一次电荷。然后,在较厚的漂移区内移动的二次电荷会引发信号。IHP 微电子公司使用 130 nm SiGe BiCMOS 工艺生产了一个概念验证单片原型,该原型由间距为 100 µ m 的六边形像素矩阵组成。探测站和 55 Fe X 射线源的测量表明,原型机可以正常工作,并且显示雪崩增益,最大电子增益可达 23。雪崩特性研究(经 TCAD 模拟证实)表明,55 Fe 源的 X 射线转换产生的较大初级电荷引起的空间电荷效应限制了有效增益。
摘要:皮秒雪崩探测器是一种基于 (NP) 漂移 (NP) 增益结构的多结硅像素探测器,旨在实现带电粒子跟踪,具有高空间分辨率和皮秒时间戳功能。它使用传感器体积深处的连续结来放大薄吸收层中电离辐射产生的一次电荷。然后,在较厚的漂移区内移动的二次电荷会引发信号。IHP 微电子公司使用 130 nm SiGe BiCMOS 工艺生产了一个概念验证单片原型,该原型由间距为 100 µ m 的六边形像素矩阵组成。探测站和 55 Fe X 射线源的测量表明,原型机可以正常工作,并且显示雪崩增益,最大电子增益可达 23。雪崩特性研究(经 TCAD 模拟证实)表明,55 Fe 源的 X 射线转换产生的较大初级电荷引起的空间电荷效应限制了有效增益。
Low vibration level and the positional drift Temperature range from ~3.5 K to 475 K (optional: 8 K to 650 K) (depending on probes) Works either with liquid nitrogen or liquid helium Helium consumption less than 1 L/h Accommodates up to 2 in (51 mm) diameter wafers (optional: up to 8 in [203 mm]) Up to seven cooled, easily interchangeable, micro-manipulated probe手臂电气测量从DC到67 GHz的各种廉价的LF探针尖端易于替换非常低的三轴探针泄漏电流,仅几个FA非接触式,无损坏的开尔文探针多尖端探针通过单台和多模式Fiber formations进行了启用,以示例型号的启用型号,以示例型号探测器,并探测型号的多模式探测器。微型真空室从杂物盒中传递真空下的样品到探测站非常光滑的X-Y-Z旅行阶段,用于所有单镜系统组件的可选移动样品架系统自定义选项
使用图1中描述的设置用于表征此混合平台中的光子生成过程。用带宽为0.52 nm的脉冲激光器以1550.97 nm为中心,脉冲宽度为1 ps,用Erbium-poped纤维放大器(EDFA)放大,为此过程产生强泵。然后通过变量光衰减器(VOA)通过,以使功率完全可调至-60 dB,而无需更改脉冲特性。使用≥80dB的组合抑制带抑制的两个密度波长多路复用器(DWDM)过滤器,用于从进入信号和惰轮收集带宽的激光器中消除泵噪声。将它们放置在极化控制器之前,以优化插入的光,以用于设计光栅耦合器的TE极化。a 99:1梁分离器允许通过安装在探针站的一个臂上的V型槽光纤阵列来监视所测试设备的功率(DUT)。从探测站输出后,使用多通道DWDM模块驱动信号和惰轮频率并拒绝泵。然后将一个额外的单通道DWDM放在信号和怠速通道上以进行额外过滤。芯片后这种过滤还为每个通道提供了≥80dB的排斥带抑制。最后,将两个通道通过光纤网络路由到两个连接到时间间隔分析仪(TIA)的光子柱超导纳米线单光子探测器(SNSPD)。