I HV1 (1mA) 。当 V CC 大于 V CC_SCP1 后,高压电流源的 充电电流为 I HV2 (55mA) , V CC 电压会迅速上升。当 V CC 电压 超过 V CC_ON(18.5V) 时,高压启动电流源关闭。同 时, UVLO 置高有效, IC 内部电路开始工作,系统开 始检测输入是否超过 Brown-in 阈值 V BI ,如果没有超 过,则 V CC 电压在 V CC_ON ( 18.5V ) 和 V CC_OFF ( 12.5V ) 之间来回充放电;如果检测到输入超过 V BI ,则开启高 压启动电流源,直到 V CC 电压达到 V CC_SYSON ( 21V ) , IC 开始输出驱动。
Symboss Symbosses In Millimeters Dimensionas In Inches Min Max Min Max Mex 0,900,900,028 0,035 0,000,000,000,000,000,000,000,000,000,000,000,000,000,000,000 ,003 ,0003131333333913. 0,350,500,014,020 c 0,080,080 0,003,003,008 D 2,820 2,020,020,020,020, 0,119 E 1,600,700,700,700,0000,0000,00,05,2000,200133333333333333333333,0019. 0,104 0,116和0.95 bsc nd 0,037(bsc)和11.90¼
特殊说明 TM512AE0 单位 参数名称 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 低电平输出电流 Iol Vo =0.4V,ADRO 10 - - mA 高电平输出电流 Ioh Vo =4.6V,ADRO 10 - - mA 输入电流 Ii - - ±1 µA 差分输入共模电压 Vcm 12 V 差分输入电流 Iab VDD=5V 28 µA 差分输入临限电压 Vth 0V
Command1~Command n: 发送显示地址命令,地址1~n(最多可设置6个地址) Data1~Data n:发送显示数据(最多6 bytes) Time:数据线置高时间(最小时间为3ms) CommandX:发送显示控制命令(0x18) CommandY:发送显示控制调节命令(包括位占空比、段驱动电流以及显示模式设置) 芯片不需要命令来设置芯片是工作在地址自动加1模式还是固定地址模式,严格来说它只有一种地 址自动加1模式,此处划分是为了更好地说明芯片也可以单独给某个显示寄存器地址写显示数据,如 果单独给某个显示地址写显示数据,写完显示地址后,紧跟着只能写一个显示数据,就把信号线置高 至少3ms,如果紧跟着写几个显示数据,那么芯片在接收到第一个数据后,显示地址就会在规定的地 址上自动加1,再接收第二个显示数据,直到接收到最后一个显示地址的显示数据。
0 0 0 0 00H 1 1 0 0 0 1 01H 1 1 0 0 1 0 02H 1 1 0 0 1 1 03H 1 1 0 1 0 0 04H 1 1 0 1 0 1 05H 1 1 0 1 1 0 06H 1 1 0 1 1 1 07H 1 1 1 0 0 08H 1 1 1 0 0 1 09H 1 1 1 0 1 0 0AH 1 1 1 0 1 1 0BH 1 1 1 1 0 0 0CH 1 1 1 1 0 1 0DH 1 1 1 1 1 0 0EH 1 1 1 1 1 0FH
VDD欠压保护 UVLO(OFF) VDD 电压下降 8.5 9.5 10.5 V VDD启动电压 UVLO(ON) VDD 电压上升 14 15.5 16.5 V VDD过压保护 VDD_OVP 31 33 35 V VDD钳位电压 VDD_Clamp I(VDD)=7mA 33 35 37 V 反馈输入部分(FB管脚) 反馈参考电压 VFB_EA_Ref 1.98 2.0 2.02 V 输出过压保护阈值电压 VFB_OVP 2.4 V 输出短路阈值 VFB_Short 0.65 V 输出短路钳位频率 FClamp_Short 40 KHz 退磁比较器阈值 VFB_DEM 75 mV 最小关断时间 Tmin_OFF 2 uSec 最大关断时间 Tmax_OFF 3 mSec 最大线缆补偿电流 ICable_max 40 uA 电流检测部分(CS管脚) CS前沿消隐时间 T-blanking 500 nSec 芯片关断延迟 TD_OC CL=1nF at GATE 100 nSec 恒流控制部分(CC管脚) 内部CC基准电压 V_CC_ref 490 500 510 mV
当 HV 脚施加大于 40V 的电压时,内部高压电流源 对 V CC 脚外接的电容充电。为防止 V CC 在启动过程中短 路引起的功率损耗而使 IC 过热损坏,当 V CC 电压低于 1V 时,高压电流源的充电电流被限制为 I HV1 ( 1mA )。 当 V CC 大于 1V 后,高压电流源的充电电流变为 4mA_min , V CC 电压会迅速上升。当 V CC 超过启动水平 V CC_ON 时,高压启动电流源关闭。同时, UVLO 置高有 效, IC 内部电路开始工作。
微处理器的数据通过两线总线接口和TM1640 通信,在输入数据时当CLK 是高电平时,DIN 上的信号必须 保持不变;只有CLK 上的时钟信号为低电平时,DIN 上的信号才能改变。数据的输入总是低位在前,高位在后 传输.数据输入的开始条件是CLK 为高电平时,DIN 由高变低;结束条件是CLK 为高时,DIN 由低电平变为高 电平。
3.1 1200 V 器件准则 ...................................................................................................................................... 7
在有按键按下时,读键数据如下: SG1 SG2 SG3 SG4 SG5 SG6 SG7 SG8 K1 1110_1111 0110_1111 1010_1111 0010_1111 1100_1111 0100_1111 1000_1111 0000_1111 K2 1111_0111 0111_0111 1011_0111 0011_0111 1101_0111 0101_0111 1001_0111 0001_0111 在无按键按下时,读键数据为: 1111_1111 ; 七、 接口说明 微处理器的数据通过两线总线接口和 TM1636 通信,在输入数据时当 SCLK 是高电 平时, DIO 上的信号必须保持不变;只有 SCLK 上的时钟信号为低电平时, DIO 上的信号 才能改变。数据输入的开始条件是 SCLK 为高电平时, DIO 由高变低;结束条件是 SCLK 为高时, DIO 由低电平变为高电平。 TM1636 的数据传输带有应答信号 ACK ,在传输数据的过程中,在时钟线的第九个 时钟芯片内部会产生一个应答信号 ACK 将 DIO 管脚拉低。 指令数据传输过程如下图(读按键数据时序):