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引用本研究：Özmen, A., Coşkun, A., & Ertugrul, M. (2025)。用于高温应用的多磁控管微波炉的设计和制造
本文探讨了能够达到高温的多磁控管烤箱的设计、制造和性能。首先，模拟了合适的波导，并完成了生产过程。然后，模拟了多磁控管烤箱的拟议设计，并提出了适当的尺寸。据报道，生产的多磁控管烤箱的平均功率密度 (PD) 值为 0.37 mW/cm²，这表明了其性能和效率。该值符合标准，对人体安全。我们研究的主要目的是证明波导可以在烤箱中心达到高温而不会相互影响。在这种情况下，观察到磁控管在单、双、三和四模式下工作时产生的温度在烤箱中心逐渐升高。支持这一点的模拟结果表明 S 21 参数为 -177 dB。我们研究中提出和应用的设计高效、易于生产、对人体安全、成本低，可用于达到高温的商业和学术研究。总体而言，多磁控管烤箱设计被证明是一种成功且实用的解决方案，适用于需要高温的应用，展示了其在工业和研究方面的潜力。这项研究的结果为先进加热技术的开发提供了宝贵的见解，表明高温应用的效率和安全性得到了显著改善。
《光电子与生物医学材料杂志》第 15 卷，第 2 期，2023 年 4 月 - 6 月，第 55 - 64 页 射频磁控管的表面研究
使用不同靶到基片距离的化学计量氮化硅靶，通过射频磁控溅射在单面 P 型抛光掺硼硅晶片基片上沉积氮化硅薄膜。改变靶到基片的间距（非常规参数）以优化表面粗糙度和晶粒尺寸。这种优化提供了均匀、密集的氮化硅薄膜的正态分布，没有表面裂纹。采用原子力显微镜探索氮化硅薄膜的精确表面粗糙度参数。所有样品的表面粗糙度和晶粒分析都表现出直接关系，并与靶到基片的间距呈反比关系。通过以下参数分析了 Si3N4 的表面形貌：平均粗糙度、均方根粗糙度、最大峰谷高度、十点平均粗糙度、线的偏度和峰度。氮化硅薄膜的表面粗糙度在基于氮化硅波导的生物传感器制造中具有重要意义。 (2022 年 8 月 4 日收到；2023 年 4 月 3 日接受) 关键词：原子力显微镜、射频磁控溅射、氮化硅、靶材到基板间距、薄膜 1. 简介 氮化硅具有卓越的光学、化学和机械性能，是微电子学中用作电介质和钝化层 [1] 以及微机电系统 (MEMS) 中结构材料最广泛的材料 [2, 3]。氮化硅薄膜由于其在可见光和近红外 (NIR) 区域的高折射率和透明度，在光电子应用中也发挥着至关重要的作用 [4, 5]。氮化硅薄膜在光电子领域的主要应用是基于光波导的生物传感器作为平面光波导 [6-8]。平面光波导是一种三层结构，其中通常称为芯的高折射率薄膜夹在两个低折射率膜（称为下包层和上包层）之间。平面波导内部的光传播基于全内反射原理。据报道，光波导中芯体表面的粗糙度是造成波导边界处光传播损耗的原因 [10, 11]。这是由于界面处的反射和折射现象而不是全内反射造成的。芯体的粗糙表面可以将光散射到不同方向。芯体和包层之间的折射率差 ∆n 越大，光在芯体中的限制就越大。因此，由于氮化硅的折射率约为 2，而二氧化硅的折射率约为 1，因此二氧化硅/氮化硅/二氧化硅的特定结构是平面光波导的合适候选材料。46 作为上下包层，折射率差 ∆n ~ 0.5[9]。Si 3 N 4 薄膜通过低压化学气相沉积、热蒸发、等离子体增强化学气相沉积和磁控溅射系统制备[12-16]。然而，磁控溅射技术由于无毒气体、低温沉积、易于调节沉积速率和沉积系统简单而比 PECVD 技术具有相当大的优势[17]。薄膜的常规参数
通过圆形平面磁控管上的动态等离子体运动实现“清洁”溅射靶材的工艺优势
• 大致分为小FFE（3”-8”靶材）和大FFE（10”-17”靶材） • 靶材利用率高，镀膜均匀性好 • 半导体、研发、贵金属溅射、光学
预测空域安全实时监控管制员工作量的方法研究
实时安全监控 (RTSM) 方法可以评估和预测国家空域系统 (NAS) 的安全裕度，以帮助预防事件和事故，而不是被动地缓解它们。在 RTSM 中，NAS 使用状态变量建模，并根据这些状态变量定义安全指标。安全指标被分为天气相关、空域相关和人为相关。许多制定的人为相关安全指标需要估计控制器的工作量才能计算。然而，这种计算并不简单。因此，在本报告中，我们进行了文献调查，以确定使得能够计算控制器工作量的不同因素并对这些因素进行分类。接下来，我们将描述为确定能够正确评估控制器工作量的最小因素集而进行的研究。最后，我们调查了用于评估所选因素与控制器对其工作量的主观评估之间的相关性的方法。基于此项调查，我们提出了有利于实时计算和预测控制器工作量的因素，并讨论了这些计算所需的数据源的状态。