它在满足我们对电能的需求方面发挥着重要作用,它代表了直流 (DC) 源。因此,它不适用于交流 (AC) 住宅负载。本文提出了一种智能单相低成本逆变器的设计和实际实现,这可能是降低光伏系统总体成本和供应交流负载的有效解决方案。通过设计低成本控制和电源电路实现低成本逆变器。在电源电路中,光伏模块在最大功率点 (MPP) 附近运行,并通过逆变器开关满足交流负载要求。控制电路使用微控制器,该微控制器提供智能系统用于与用户交互以及远程控制和监控,此外还使用数字控制将交流输出电压保持在所需值。
SLG47513 具有相对较低的电流输出,不适合在高频下驱动高电容负载(如 MOSFET 栅极)。但是,它们的数量充足,不仅可以将它们并联连接以增加输出电流(以及驱动 MOSFET 的能力),还可以组合推挽和开漏输出。这允许分别控制 MOSFET 的开启和关闭时间。在这种情况下,引脚 11、12、13 和 16 配置为 2x 推挽输出,并通过 R1 限流电阻对栅极进行充电和放电。但是引脚 3、4、5、6、8、14 和 15 配置为 2x 开漏输出(引脚 3 和 4 为 1x),直接连接到栅极,并且仅对其电容进行放电,从而加快 MOSFET 的关闭时间,提高转换器效率。
EM6353 是一款超低电流复位电路,具有多种配置和超小封装,可在高达 125°C 的所有终端应用中实现最大灵活性,电源电压为 1.5V 至 5.5V。该电路可监控任何电子系统的电源电压,并在固定的复位超时时间后生成适当的复位信号。阈值定义了允许的最低电压,可确保系统正常运行。当 V DD 升至 V TH 以上时,输出将保持有效状态一段时间。这可使系统在完全激活之前稳定下来。EM6353 具有三种输出类型:低电平有效推挽、低电平有效开漏和高电平有效推挽。小型 SC70-5L 和 SOT23-3L 封装以及 2.9µA 的超低电源电流使 EM6353 成为便携式和电池供电设备的理想选择。典型应用
原始反馈音调控制电路将成为标准。提供 26 db。反馈超过 3 个阶段和输出变压器。e 推挽三极管输出级。400 V. 阳极 o 失真:小于 0.05%。• 无 H.T。电解平滑或去耦 e 拾音器、麦克风和收音机、电容器的切换。带自动改变音调控制特性的浸渍变压器;热带完成
描述 EM6354 监控任何电子系统的电源电压,并生成适当的复位信号。阈值定义了允许的最小电压,可保证系统正常运行。只要 V DD 保持在阈值电压以上,输出就保持非活动状态。如果 V DD 降至 V TH 以下,输出将变为活动状态。当 V DD 升至 V TH 以上时,输出将在一段额外的延迟时间内保持活动状态。这可使系统在完全活动之前稳定下来。在一定延迟时间后发出复位信号。可以使用外部电容器调整此延迟时间或超时复位时间。有 11 个标准阈值电压介于 1.31V 和 4.63V 之间,可与各种电源一起使用。EM6354 具有三种输出类型:低电平有效推挽、低电平有效开漏和高电平有效推挽。当 V DD 低至 0.8V 时,输出保证处于正确状态。 EM6354 采用 SOT23-5 和 SC70-4L 封装。其工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。
表 1. 读/写性能 ................................................................................................................................................................ 1 表 2. 分区容量 ................................................................................................................................................................ 1 表 3. 订购信息 ................................................................................................................................................................ 1 表 4. 球描述 ................................................................................................................................................................ 6 表 5. OCR 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 6. CID 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 7. CSD 寄存器 ............................................................................................................................................................. 8 表 8. 扩展 CSD 寄存器 ................................................................................................................................................ 9 表 9. 总线信号电平 ................................................................................................................................................ 14 表 10. 高速设备接口时序 ................................................................................................................................................ 16 表 11. 向后兼容设备接口时序 ................................................................................................................................ 17 表 12. 高速双数据速率接口时序................................................................................................................................ 19 表 13. HS200 器件时钟时序.............................................................................................................................................. 20 表 14. HS200 器件输入时序................................................................................................................................................ 21 表 15. HS200 器件输出时序............................................................................................................................................. 22 表 16. HS400 器件输入时序............................................................................................................................................. 24 表 17. HS400 器件输出时序........................................................................................................................................................................................ 25 表 18. 总线信号线负载 ...................................................................................................................................................... 26 表 19. HS400 电容和电阻 ............................................................................................................................................. 26 表 20. 电源电压 ............................................................................................................................................................. 27 表 21. 功耗 ............................................................................................................................................................. 27 表 22. 推挽信号电平 - 高电压 ............................................................................................................................................. 28 表 23. 推挽信号电平 - 1.70V-1.95VV CCQ 电压范围 ............................................................................................. 28
表 1. 读/写性能 ................................................................................................................................................................ 1 表 2. 分区容量 ................................................................................................................................................................ 1 表 3. 订购信息 ................................................................................................................................................................ 1 表 4. 球描述 ................................................................................................................................................................ 6 表 5. OCR 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 6. CID 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 7. CSD 寄存器 ............................................................................................................................................................. 8 表 8. 扩展 CSD 寄存器 ................................................................................................................................................ 9 表 9. 总线信号电平 ................................................................................................................................................ 14 表 10. 高速设备接口时序 ................................................................................................................................................ 16 表 11. 向后兼容设备接口时序 ................................................................................................................................ 17 表 12. 高速双数据速率接口时序................................................................................................................................ 19 表 13. HS200 器件时钟时序.............................................................................................................................................. 20 表 14. HS200 器件输入时序................................................................................................................................................ 21 表 15. HS200 器件输出时序............................................................................................................................................. 22 表 16. HS400 器件输入时序............................................................................................................................................. 24 表 17. HS400 器件输出时序........................................................................................................................................................................................ 25 表 18. 总线信号线负载 ...................................................................................................................................................... 26 表 19. HS400 电容和电阻 ............................................................................................................................................. 26 表 20. 电源电压 ............................................................................................................................................................. 27 表 21. 功耗 ............................................................................................................................................................. 27 表 22. 推挽信号电平 - 高电压 ............................................................................................................................................. 28 表 23. 推挽信号电平 - 1.70V-1.95VV CCQ 电压范围 ............................................................................................. 28
使用隔离电源推挽驱动器 SN6501DBV 生成 MCU、数字隔离器和用于感测二进制输入的信号调节电路的隔离电源。本应用使用的变压器是 750313638。选择的变压器封装具有 > 5 kV 的隔离电压。选择更大的变压器封装便于轻松迁移到增强型隔离器。齐纳二极管 PTZTE253.9B 用于保护电源免受过压和 ESD 的影响。隔离电源采用单个 3.3 V 输入运行。主机接口为二进制模块运行提供所需的电源。LDO TPS70933DBVT 用于改善 ADC 动态范围和输出电源电压的准确性。
1) 在 V CC 电源上电、断电和电压不足的情况下提供 µP 复位输出。2) 内部控制 V CC 至电池备份切换,以便在主电源断电时保持数据或使存储器、实时时钟 (RTC) 和其他数字逻辑保持低功耗运行。3) 在电压不足的情况下,通过内部芯片使能门控提供存储器写保护。4) 提供特性部分列出的其他监控功能组合。MAX16016/MAX16020/MAX16021 工作在 1.53V 至 5.5V 电源电压范围内,提供固定复位阈值,用于监控 5V、3.3V、3V、2.5V 和 1.8V 系统。每个器件都提供推挽或开漏复位输出。 MAX16016/MAX16020/MAX16021采用小型TDFN/TQFN封装,规定工作温度范围为-40°C至+85°C。
根据旋转变压器的特性,驱动运放需要有以下特性: • 旋转变压器的励磁原边线圈通常是有很低的DCR ( 直流电阻),通常小于100Ω,因此需要有较强的电流 输出能力才可以驱动线圈,最高至200mA。 • 为了保证的精度以及线性度,在旋转变压器的应用中需要具备较高的SR(压摆率Slew Rate)。 • 旋转变压器的常见激励方式为差分推挽输出,对放大器要求较宽的带宽以及较高的开环增益,以确保信 号不失真。 • 汽车应用EMI 环境复杂,为了保证励磁功率放大电路不被干扰,放大电路需要具备一定的EMI 抑制能力。 • 作为高功率驱动级,需要具备限流和过温关断功能,保证系统的可靠性和鲁棒性。 • 传统的解决方案是利用通用运放和分立三极管搭建高输出电流,电路复杂可靠性低,且并且难以集成热 关断和限流保护等功能。NSOPA240X 运算放大器具有高电流输出能力,最大可支持400mA 的持续电流 输出。并集成了过温关断,限流保护等安全功能,满足各类旋转变压器驱动的需求。