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World File Search System掩模
光罩
在半导体器件制造过程中，EUV 光刻技术必不可少，而光化学 EUV 掩模计量技术必不可少。在 PSI，我们正在开发 RESCAN，这是一种基于相干衍射成像 (CDI) 的平台，可以满足当前和未来的掩模检查分辨率要求。在 CDI 中，用相干光照射样品获得的衍射图案由像素检测器记录，这些衍射图案用于通过迭代相位检索算法重建物体的复振幅图像。虽然在传统光学系统中，像差会影响最终图像的分辨率，但 CDI 方法本质上是无像差的。尽管如此，仍需要仔细预处理衍射信号以避免重建图像中出现伪影。特别是，由于我们的系统以 6° 的入射角在反射模式下工作并使用平面检测器，因此有必要校正由于非远心性而导致圆锥失真的记录衍射图案。本文讨论了衍射数据预处理对重建图像质量的影响，并通过在 RESCAN 显微镜中应用优化的数据预处理流程展示了缺陷灵敏度的提高。结果，我们在光掩模上实现了低至 20 nm 的缺陷灵敏度，并在大视场中实现了均匀的图像质量。
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凭借我们出色的产品阵容，我们可以将您送入空中的面包板，并让您一直处于生产状态。从设计台到装运码头，您的 ROM 设计将以系统运行速度全面运行。在面包板中，您将使用现场可编程 FROM 或模拟器。通过原型，您将使用 FRO M、RO M 或模拟器。在生产中，您将使用 FROM 和 ROM - 利用现场编程或 Signetics 快速周转 ROM 掩模生成和掩模验证功能。设计将在几周甚至几个月的时间内完成调试并投入生产。并且您可以衡量每个单位类型数千美元的节省。没有人比 Signetics 更了解 RO M。我们帮助让它们易于使用。除了您已经看到的，以下是我们提供的交易。
基于人工智能的国土安全 X 射线图像中的物体检测...
数据集来自双能单视图 ECIL 制造的 X 射线行李扫描仪 ECX6040：SVXBIS。对现有数据应用了保留类别的平移和旋转变化，以使 CNN 模型在训练期间暴露于自然变化。计算投影的可行性以确定转换后的特色威胁图像是否完全位于行李区域内。使用威胁图像投影技术将平移和旋转的特色威胁图像投影到干净的图像块上。使用 Beer-Lambert 定律将威胁扫描中像素的强度分为来自威胁及其背景的贡献。使用威胁扫描中背景引起的衰减计算威胁掩模，没有任何容器。然后通过乘法将威胁掩模投影到 X 射线图像中。
一种基于光的热塑性塑料打印方法 - NSF-PAR
图 3：PAN IPP 的平面内分辨率评估。(a) 定制 USAF-1951 光掩模的投影聚焦在液-液界面。(b) 使用 0.6 wt.% V-50 从 IPP 获得的目标 PAN 薄膜图像。黄色箭头表示 (c,d) 中表示的强度分布的线和方向。(cd) 第 3 组在 0.5、1.0 和 1.5 wt.% (c) V-50 和 (d) VA-044 的强度分布。分辨率极限对应于第一组，其中线条不再能从强度分布中分辨出来，黑线表示在光掩模的图像平面中获得的强度分布。(e) 分辨率极限定义为已识别组中的单个线宽和 (f) 印刷 PAN 薄膜的每个图像中的气泡数与光引发剂浓度和类型。标记和误差线表示在相同条件下获得的五种 PAN 薄膜的平均值和标准偏差。所有照片的曝光时间为 30 秒。
用于紫外、激光和电子束光刻的负性光刻胶
主要应用 • 通过 DLW 进行快速非接触式原型设计 • 微系统技术中的光学应用 • 用于湿法和干法蚀刻工艺的蚀刻掩模 • 用于电镀的模具 • 用于印章制造/模板制造的模具
通过使用纳米球自组装掩模直接蚀刻来改进 PDMS 模具制造，以制造软 UV-NIL 亚波长超表面
随着超表面在光学应用领域的应用越来越广泛，在其开发中需要一种能够以低成本实现大表面和亚100纳米尺寸的制造方法。由于其高吞吐量和小结构化能力，软纳米压印光刻是制造此类器件的良好候选方法。但是，由于必须使用低粘度聚合物才能达到所需尺寸，因此阻碍了其在可见光波长下超表面的应用，这使得最终的压印件更易碎，且该过程更昂贵、更复杂。在此，我们提出了一种PDMS模具制造方法，该方法依赖于PDMS的自组装掩模，然后直接蚀刻模具，从而与聚合物粘度无关可达到的最小尺寸。我们对使用我们的方法获得的模具制造的超表面进行了表征，验证了其在大表面器件纳米制造中的应用。
用于紫外、激光和电子束光刻的负性光刻胶
主要应用 • 通过 DLW 和 2PP 进行快速非接触式原型制作 • 微系统技术中的光学应用 • 用于湿法和干法蚀刻工艺的蚀刻掩模 • 用于电镀的模具 • 用于印章制造/模板制造的模具