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正性光刻胶系列 ma-P 1200
ma-P 1200 是正性光刻胶系列，专为微电子和微系统技术而设计。这些光刻胶具有多种粘度，一次旋涂即可获得 0.3 – 40 μm 的薄膜厚度。非常适合用作蚀刻掩模，具有较高的干湿蚀刻耐受性 - 宽带、g-、h- 和 i-line 曝光 - 在湿蚀刻工艺和酸性和碱性电镀槽中具有非常好的图案稳定性 - 在干蚀刻工艺（例如 CHF 3 、CF 4 、SF 6）中具有高度稳定性 - 可获得良好的光刻胶图案热稳定性 - 水性碱性显影
UNIT-I 集成电路技术简介-MOS、PMOS、NMOS、...
氧化是将晶圆上的硅转化为二氧化硅的过程。硅和氧的化学反应在室温下就开始了，但在形成非常薄的天然氧化膜后停止。为了获得有效的氧化速率，晶圆必须在高温下放入有氧气或水蒸气的炉子中。二氧化硅层用作高质量绝缘体或离子注入的掩模。硅形成高质量二氧化硅的能力是硅仍然是 IC 制造中的主要材料的重要原因。氧化技术 1. 将清洁的晶圆放置在晶圆装载站中，然后将干氮 (N2) 引入腔室。当炉子达到所需温度时，氮气可防止发生氧化。
EM4135 数据表
特性 ISO15693 标准：完全符合 工作频率：13.56MHz ± 7KHz（ISM，全球范围内可免费获得许可证） 2.4K 位 EEPROM，分为 38 个字，每个字为 64 位 64 位唯一标识符 (UID) 锁定功能将 EEPROM 字转换为只读 支持应用字段标识符 (AFI) EEPROM 写操作的电源检查 芯片上集成的谐振电容 28pF 或 95pF（可通过掩模选项选择） 无需外部电源缓冲电容 -40 至 +85 ° C 温度范围 非常低功耗（无需电池） 针对倒装芯片组装优化的键合焊盘
可编程机器人“转印和喷射”打印，适用于大型...
摘要 大型 3D 曲面电子产品是微电子行业的一种趋势，因为它们具有与复杂表面共存的独特能力，同时保留了 2D 平面集成电路技术的电子功能。然而，这些曲面电子产品对制造工艺提出了巨大挑战。在这里，我们提出了一种可重构、无掩模、保形制造策略，采用类似机器人的系统，称为机器人化“转移和喷射”打印，以在复杂表面上组装各种电子设备。这种新方法是一项突破性的进步，具有在复杂表面上集成刚性芯片、柔性电子产品和保形电路的独特能力。至关重要的是，包括转移印刷、喷墨打印和等离子处理在内的每个过程都是无掩模、数字化和可编程的。机器人化技术，包括测量、表面重建和定位以及路径编程，突破了 2D 平面微加工在几何形状和尺寸方面的根本限制。转移打印首先用激光从供体基板上剥离刚性芯片或柔性电子元件，然后通过灵巧的机器人手掌将其转移到曲面上。然后，机器人电流体动力打印直接在曲面上书写亚微米结构。它们的排列组合实现了多功能保形微加工。最后，利用机器人混合打印成功地在球形表面上制造了保形加热器和天线，在有翼模型上制造了柔性智能传感皮肤，其中组装了曲面电路、柔性电容和压电传感器阵列以及刚性数模转换芯片。机器人混合打印是一种创新的打印技术，可实现 3D 曲面电子产品的增材、非接触和数字化微加工。
半导体制造中使用的含 PFAS 湿化学品
在大多数湿法蚀刻、CMP、电镀和其他晶圆清洗操作中，晶圆上暴露于湿法化学处理步骤的区域是由光刻掩模操作定义的非常特殊的区域。因此，在评估湿法化学工艺的复杂性和挑战性时，必须考虑所制造集成电路特征的尺寸和几何复杂性。虽然半导体通常由直径一般为 200 毫米或 300 毫米、厚度约为 800 微米的晶体硅晶圆制成，但单个集成电路器件结构通常具有以纳米为单位的关键尺寸，因此属于分子尺度。器件特征（而非整个晶圆）的尺寸和材料复杂性对湿法化学处理提出了挑战。
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 7
Sandia 的 CMOS7 技术是一种战略性抗辐射、3.3 伏、350 纳米、绝缘体上硅 (SOI) CMOS 工艺，适用于定制、高可靠性数字、模拟和混合信号 ASIC。CMOS7 是一种具有 5 个金属层的 24 掩模级工艺。模拟和混合信号应用的选项包括金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器和 N+ 多晶硅电阻器。Sandia 使用 350 纳米几何结构来优化模拟电路的性能，从而实现比小几何设备更好的设备匹配、更高的电源电压、更低的泄漏和更宽的信号动态范围。经过适当设计和制造，较大的设备在温度波动、冲击和辐射的扩展操作环境中可以更加坚固耐用。
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 7
Sandia 的 CMOS7 技术是一种战略性抗辐射、3.3 伏、350 纳米、绝缘体上硅 (SOI) CMOS 工艺，适用于定制、高可靠性数字、模拟和混合信号 ASIC。CMOS7 是一种具有 5 个金属层的 24 掩模级工艺。模拟和混合信号应用的选项包括金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器和 N+ 多晶硅电阻器。Sandia 使用 350 纳米几何结构来优化模拟电路的性能，从而实现比小几何器件更好的器件匹配、更高的电源电压、更低的泄漏和更宽的信号动态范围。经过适当设计和制造，较大的器件在温度波动、冲击和辐射的扩展操作环境中可以更坚固耐用。
Pandey A，Mi Zt。多波长的纳米线微型领导，用于未来的高速光学通信。 Opto-Electron Adv 7，240011（2024）。
可以使用自下而上的工艺完全避开蚀刻损伤的关注点。选择性面积生长（SAG）的过程将vias涂到掩模层上的基板上，然后将图案化的底物加载以进行生长。调整生长条件，使外观仅发生在定义的开口内。这会导致纳米（微）结构的生长，其尺寸和形状与底物5,6时所定义的尺寸和形状完全匹配。此外，这些纳米结构不需要暴露于任何干蚀刻过程以定义装置台面，从而防止形成与该过程相关的表面缺陷。这些优势对于任何（子）微米级设备的高效效率是必要的。纳米结构也可以在非本地基材上生长，有可能打开更多新应用7。此外，