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APN226 13.5-15.5 GHz GaN 功率放大器
初步信息：本文档中包含的数据描述了处于开发采样或预生产阶段的新产品，仅供参考。诺斯罗普·格鲁曼公司保留更改适用于本产品的特性数据和其他规格的权利，恕不另行通知。本数据表所代表的产品受美国出口法，包含 EAR 法规
APN318 47.2-51.4 GHz GaN 功率放大器
推荐组装说明 1. 旁路电容应为 100 pF（大约）陶瓷（单层），放置位置距放大器不超过 30 mil。 2. 在输入和输出上使用 <10 mil（长）x 3 x 0.5 mil 的带状线可获得最佳性能。 3. 必须按照指示从两侧偏置部件。 4. 如果漏极电源线干净，则不需要 0.1uF、50V 电容器。 如果要使用设备的漏极脉冲，请勿使用 0.1uF、50V 电容器。 安装过程
APN236 34.5-35.5 GHz GaN 功率放大器
频率 GHz S11 角度 S11 角度 S21 角度 S21 角度 S12 角度 S12 角度 S12 角度 S22 角度 S22 角度 27.0 0.062 -129.237 0.551 90.459 0.010 177.923 0.116 160.920 27.5 0.077 -125.081 0.649 76.292 0.005 -126.794 0.113 141.866 28.0 0.089 -124.663 0.761 61.180 0.007 171.615 0.114 139.036 28.5 0.106 -125.311 0.902 45.683 0.007 -17.647 0.107 126.936 29.0 0.117 -130.964 1.065 29.516 0.017 67.959 0.070 111.208 29.5 0.128 -130.821 1.249 12.396 0.006 -1.088 0.062 103.935 30.0 0.143 -136.975 1.476 -4.753 0.009 -8.184 0.049 96.472 30.5 0.149 -142.520 1.751 -22.671 0.009 -29.238 0.039 86.803 31.0 0.154 -145.023 2.077 -41.829 0.012 61.068 0.036 90.848 31.5 0.163 -149.449 2.479 -61.162 0.022 -38.946 0.022 90.737 32.0 0.157 -158.027 3.009 -81.541 0.009 -39.383 0.042 68.986 32.5 0.156 -156.492 3.673 -104.231 0.010 -36.304 0.076 44.451 33.0 0.175 -166.626 4.510 -129.040 0.008 -38.664 0.097 24.045 33.5 0.158 -169.736 5.423 -157.652 0.005 -73.290 0.166 -7.068 34.0 0.171 -172.923 6.199 171.300 0.009 170.415 0.206 -33.959 34.5 0.170 -179.975 6.789 138.762 0.007 162.191 0.287 -57.177 35.0 0.163 170.699 6.843 104.802 0.005 -44.847 0.285 -88.319 35.5 0.133 159.436 6.597 72.388 0.002 -169.966 0.288 -114.610 36.0 0.099 160.157 5.923 41.110 0.002 -152.664 0.200 -131.942 36.5 0.096 176.977 5.214 11.642 0.019 97.367 0.148 -151.591 37.0 0.097 174.694 4.457 -14.876 0.007 -64.029 0.135 -143.436 37.5 0.098 173.890 3.794 -39.019 0.013 90.975 0.101 -140.993 38.0 0.103 170.171 3.254 -62.351 0.001 -124.170 0.109 -124.125 38.5 0.091 163.837 2.792 -84.302 0.005 53.455 0.104 -119.409 39.0 0.080 159.494 2.428 -105.377 0.016 25.244 0.108 -120.721 39.5 0.053 165.906 2.147 -125.734 0.013 15.571 0.127 -126.500 40.0 0.050 -166.535 1.912 -146.866 0.015 -40.561 0.116 -140.360 40.5 0.056 -156.522 1.704 -167.600 0.017 117.350 0.145 -129.641 41.0 0.084 -150.528 1.553 171.997 0.019 73.426 0.146 -138.203 41.5 0.106 -158.190 1.443 150.600 0.005 -23.626 0.184 -133.685 42.0 0.121 -168.906 1.381 127.874 0.008 72.289 0.201 -139.224 42.5 0.133 169.169 1.348 100.131 0.006 126.788 0.188 -141.730 43.0 0.105 162.178 1.254 66.104 0.023 165.530 0.197 -136.312
AB 类运算放大器：低 Iq 音频解决方案
以下是 Quan 电路的摘要：该电路通过感测电压使输出晶体管放大器的静态集电极电流保持恒定，该电压是在与输出晶体管集电极串联的电阻上产生的。采用差分放大器产生代表该电压的第一信号，该信号由通过对放大器输出电压敏感的零电压交叉检测器控制的电路采样和保持。采样和保持的信号相对于可调参考电压反转和积分，产生第二信号。该第二信号控制通过分压器网络中连接的晶体管的电流，为输出晶体管提供基极偏置电压。
X 波段低噪声放大器的设计和制造...
摘要：低噪声放大器（LNA）在射频接收机前端中起着重要作用，其主要作用是放大来自地面噪声的微弱接收信号，并提高接收机的灵敏度。对于工作在高于S波段频率的LNA，迄今为止，大多数设计都使用具有高成本基板材料的印刷电路板（PCB），从而增加了整个接收单元的总价格。本文介绍了一种新方法，即使用FR-4材料（PCB制造中常见的低成本基板）设计LNA。与使用高成本材料基板设计的LNA相比，所提出的LNA将保持所有重要参数（例如增益，噪声系数）的质量。使用阶梯式阻抗匹配技术来达到电路尺寸和效率之间的平衡。所提出的LNA的频率范围位于X波段，该范围适合军用雷达应用。此外，还可以将所需的 LNA 应用于低地球轨道 (LEO) 地球观测卫星系统的地面站接收器前端。关键词：低噪声放大器、LNA、FR-4、雷达、X 波段、接收器前端。*
采用 130 nm SiGe BiCMOS 技术的适用于通信应用的宽带 300 GHz 功率放大器
摘要 — 介绍了一种用于 300 GHz 左右高速通信的宽带三级伪差分 SiGe 互连双极晶体管 (HBT) 功率放大器 (PA)。该放大器采用实验性的 130 nm SiGe BiCMOS 技术制造，ft / f max 为 470/650 GHz。建议使用非对称耦合线变压器在所有放大器接口处进行器件电抗补偿，以促进宽带阻抗变换。该放大器的最大小信号功率增益为 23.0 dB，P sat /OP 1 dB 分别高达 9.7/6.7 dBm。它在小信号操作中显示 63 GHz（239-302 GHz）的 3-dB 带宽，在饱和时显示 94 GHz（223-317 GHz）的 3-dB 带宽。该放大器在 3 V 电源电压下消耗大约 360 mW，在 260 GHz 时产生 1.95% 的峰值功率附加效率 (PAE)。
完全集成的 GaAs HBT 功率放大器，具有增强功能……
摘要 基于 GaAs 异质结双极晶体管 (HBT) 工艺实现了用于无线局域网 (WLAN) 的效率增强型全集成功率放大器 (PA)。提出了一种可以吸收键合线寄生电感的谐波调谐网络，从而显著减小了芯片面积。该网络在 5.0 至 5.5 GHz 范围内提供接近最佳的基波和二次谐波阻抗。此外，还提出了一种新颖的自适应偏置电路，可校正 AM-AM 和 AM-PM 失真并提高高输入功率下的热稳定性。PA 的芯片尺寸仅为 1.06 mm2，增益为 31.1–31.6 dB，饱和功率为 29.9–30.3 dBm，峰值功率附加效率 (PAE) 在 5.0–5.5 GHz 范围内为 49.3%–51.8%。在 802.11ac MCS9 VHT160 测试信号下，PA 的输出功率为 22.1 dBm（EVM= − 32 dB），PAE 为 18.4%。此外，在使用 5.25 GHz 的 802.11ax MCS11 VHT160 信号进行测试时，PA 的输出功率为 17.5 dBm（EVM= − 42 dB）。关键词：功率放大器、无线局域网、GaAs 异质结双极晶体管、谐波匹配、自适应偏置分类：集成电路
PGA280 零漂移、高压、可编程增益仪表放大器数据表 (Rev. B)
(GPIO) 提供多种控制和通信功能。SPI 可以扩展以与更多设备通信，仅使用四个 ISO 耦合器即可支持隔离。PGA280 采用 TSSOP- 24 封装，额定温度范围为 –40°C 至 +105°C。有关所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。
可变和可编程增益放大器及其应用综述
在许多应用中，包括 RF 设计的 VGA/PGA，具有 dB 线性（dB 尺度上的线性关系）增益特性的放大器是首选，因为它在 AGC 环路中使用时可以实现恒定的稳定时间 [13–15]。这种关系在 BJT 技术中很容易实现，其中增益与控制信号呈指数关系 [16–18]。对于 MOS 器件，尽管指数关系存在于亚阈值区域并可提供较宽的增益控制范围 [19]，但饱和区有利于降低噪声并增加带宽 [20]，并且由于后者的平方关系，需要指数 VI 转换电路来实现指数增益控制关系 [21]。实现指数转换器的一些方法采用 BiCMOS 技术[22–24]、寄生双极晶体管[20]或使用提供伪指数函数近似的 CMOS 电路[25,26]。
使用说明书 型号 136 直流放大器 IM136
1.1 简介 自 1951 年以来，ENDEVCO 一直是振动测量领域的领导者，并在振动传感器设计方面做出了许多贡献。其中包括：第一个能够在低温至 +750°F 的温度下连续工作的压电加速度计、第一个剪切设计加速度计和世界上最小的压电加速度计。为了支持广泛的振动传感器系列，ENDEVCO 提供了各种各样的信号调节器，包括第一个晶体管电荷放大器、第一个计算机可编程电荷放大器和第一个基于真正数字跟踪滤波器的机载振动监测系统。信号调节器 为了支持其传感器在大规模测试中的使用，ENDEVCO 开发了几代信号调节器系统。直到最近，最先进的振动实验室还由一排手动控制信号调节器组成。这些信号调节器具有手动控制的开关和旋钮，用于设置满量程范围、灵敏度和滤波器角，并且设置信息是手动记录的。计算机控制信号调节器为了消除放大器设置不正确的风险，ENDEVCO 率先提出了计算机控制信号调节器的概念。第一代是多通道放大器控制系统 (MAC)。第二代是计算机控制放大器系统 (CCAS)。CCAS 系列由五个不同的系统组成，它们使用相同的机架和带有不同模拟板的数字接口组件。这些单元通过 IEEE-488 接口总线从计算机/控制器接收设置命令，以便可以预先编程测试。此外，这些设备提供全面的自检和自校准功能，大大提高了测试数据的可靠性。用户反馈表明，这些设备通过缩短测试周期、防止重新测试和消除过度测试，很快就收回了成本。手动/计算机控制信号调节器 前两代计算机控制放大器的经验现已应用于第三代产品线：可编程桥式调节器和可编程实验室信号调节器。这些设备是独立控制的，每个设备都包含自己的电源，以确保单通道完整性。型号 136 具有手动和计算机可编程功能。这款直流放大器是 Endevco 致力于改进最先进的传感测量技术的一个例子。新一代产品体积更小，功能更多，并将继续扩展以满足日益广泛的应用需求。