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Element GD Plus 辉光放电质谱仪
Thermo Scientific™ Element GD Plus™ GD-MS 重新定义了先进高纯度固态材料的分析。对于高通量和超低 ppb 级检测限，Element GD Plus GD-MS 是常规和研究应用中进行批量样品分析和深度剖析的最方便和最强大的工具。
16kV 接触放电 ESD 保护 - 德州仪器
以使用 Bourns (2093-250-SM) 的 GDT 测试 ISO7741 为例，测试 15 kV 接触放电 ESD。选择 2.5 kV GDT 可使 ISO7741 达到其额定工作电压 2 kV DC（根据 IEC 60747-17）。具有 8 毫米间隙的 DW-16 SOIC 封装能够支持高达 12 kV 的 ESD，并且所需的保护仅在 ESD 介于 12 kV 至 15 kV 之间的持续时间内。Bourns 2093-250-SM 2.5 kV GDT 的脉冲火花放电为 3.1 kV。这意味着 ESD 脉冲从 3.1 kV 到 12 kV 的持续时间为 GDT 完全触发和保护设备提供了更多时间。图 1 展示了带 GDT 的 ISO7741。
工艺参数对铝搅拌摩擦焊接与双峰微米和纳米增强氧化铝颗粒放电等离子烧结铝基复合材料循环行为的影响
了解氧化铝增强铝复合材料 (Al-A2O3) 的循环行为对于其在不同工业领域的进一步应用至关重要。本研究重点关注通过放电等离子烧结 (SPS) 方法和摩擦搅拌焊接 (FSW) 相结合生产的 Al-氧化铝纳米复合材料的循环行为。添加的氧化铝总含量为 10%，是纳米和微米粒子的组合，其比例因样品而异。使用光学显微镜 (OM)、扫描电子显微镜 (SEM) 和能量色散 X 射线光谱 (EDS) 表征 SPSed 样品的微观结构。表征了加工后的复合材料样品的微观结构并研究了其机械行为。微观结构研究表明，氧化铝的纳米粒子主要分布在晶粒边界和晶粒内部，而微米级粒子主要沉积在晶粒边界上。此外，还根据增强体尺寸和纳米粒子添加百分比分析了生产样品的硬度和拉伸性能。结果表明，纳米复合材料的力学性能和疲劳性能主要取决于初始阶段的材料性能和搅拌摩擦焊的应用条件，如转速和运动速度。纳米复合材料的断裂表面呈现出韧性-脆性复合断裂模式，韧窝更细，纳米弥散体的作用尤为突出。
人工智能在电动汽车充放电调度和动态定价中的应用：综述
摘要：如果电动汽车 (EV) 的充电和放电不能得到充分协调，其高普及率将给现有的电力输送基础设施带来负担。动态定价是一种特殊的需求响应形式，可以鼓励电动汽车车主参与调度计划。因此，电动汽车充电和放电调度及其动态定价模型是重要的研究领域。许多研究人员专注于基于人工智能的电动汽车充电需求预测和调度模型，并认为人工智能技术比传统的优化方法（如线性、指数和多项逻辑模型）表现更好。然而，只有少数研究关注电动汽车放电调度（即车辆到电网，V2G），因为电动汽车将电力放电回电网的概念相对较新且不断发展。因此，需要回顾现有的电动汽车充电和放电相关研究，以了解研究差距并在未来的研究中做出一些改进。本文回顾了电动汽车充电和放电相关研究，并将其分为预测、调度和定价机制。本文确定了预测、调度和定价机制之间的联系，并指出了电动汽车放电调度和动态定价模型的研究空白。
机械合金化和放电等离子烧结制备先进锌镁合金
摘要：锌及其合金因具有增强的生物相容性而被视为制备可生物降解医疗器械（支架和骨固定螺钉）的有前途的材料。这些材料必须实现机械性能和腐蚀性能的理想组合，而合金化或热机械过程可能会影响这些性能。本文介绍了不同机械合金化 (MA) 参数对 Zn-1Mg 粉末成分的影响。同时，本研究描述了 MA 制备对 Zn-6Mg 和 Zn-16Mg 合金的影响。采用放电等离子烧结 (SPS) 法压实选定的粉末。随后，研究了它们的微观结构并测试了它们的力学性能。整个过程导致晶粒显着细化（Zn-1Mg 为 629 ± 274 nm）并形成新的金属间相（Mg 2 Zn 11 、MgZn 2 ）。烧结样品的压缩性能主要与合金元素的浓度有关，浓度增加导致强度提高但延展性变差。根据所得结果，Zn-1Mg合金的性能最好。
静电放电 (ESD) 至军械技术代理
• 联合军械测试程序 (JOTP) ‐062、PESD 和 HESD 文件提供了产生一致且可重复的结果所需的所有程序、要求和数据，而与进行测试的测试设施、测试站点或服务无关。• JOTP 充当联合服务 ESD 测试程序，直到其内容被纳入军事标准、规范和适用文件的下一版修订版。• 目前正在进行的纳入 JOTP-062 语言的努力包括：
适用于 7 nm FinFET 工艺的可控硅整流器嵌入式二极管静电放电保护
静电放电 (ESD) 引起的损坏是集成电路的主要失效之一。在当今集成电路所采用的 7nm FinFET 工艺中，由于 FinFET 栅极氧化层的厚度减小以及高 k 电介质的可靠性较低，在静电放电 (ESD) 冲击下极其脆弱[1-3]，并且遭遇非致命的 ESD 冲击后，ESD 保护性能会逐渐下降[4,5]。一些 ESD 建模和仿真技术已被用于 FinFET 工艺，以帮助分析 ESD 冲击下的 ESD 保护特性[6-9]。ESD 保护二极管被认为是一种很有前途的 ESD 保护器件[6-8]。具有高鲁棒性的二极管串硅控整流器 (DSSCR) 也被认为是以前技术节点的 ESD 保护装置 [ 10 – 15 ]，但由于其高漏电和闩锁的较大回弹，它不再适用于 7 nm 技术。FinFET 工艺的 ESD 设计仍然是一个巨大的挑战。目前还没有一种具有足够低触发电压 (Vt) 和高故障电流 (It2) 的高鲁棒性 ESD 保护装置。在本文中，我们提出了一种基于 7 nm FinFET 工艺的新型硅控整流器嵌入式二极管 (SCR-D)。制造并分析了具有不同关键设计的这种保护的特性。
研究报告通过控制金属氧化物纳米结构实现高速充放电...
在750℃下烧成6小时以上，成为单斜晶WO 3 相。 P-2、P-3在烧成前为单斜晶系WO 3 、三斜晶系WO 3 、单斜晶系W 0.71 Mo 0.29 O 3 (PDF 01-076-1297)，但在750℃下烧成6小时以上，变为单斜晶系W 0.71 钼 0.29 O 3 (PDF 01-076-1297) 和矩形 W 0.4 Mo 0.6 O 3 (PDF 01-076-1280)。 P-4在750℃下烧制24小时之前，单斜晶系W 0.71 Mo 0.29 O 3 (PDF 01-076-1297)、矩形W 0.4 Mo 0.6 O 3 和单斜晶系MoO 3 混合，但经过100小时后。煅烧后，MoO 3 峰消失，单斜晶系W 0.71 Mo形成了0.29 O 3 和矩形晶体W 0.4 Mo 0.6 O 3 。 P-5在烧成前为单斜MoO 3 (PDF PDF 00-047-1081)，但烧成6小时以上后，变为具有层状结构的矩形MoO 3 (PDF 03-065-2421)。