1莫斯科,莫斯科,莱宁斯基PR。4,莫斯科119049,俄罗斯2 Perfect Crystals LLC,38K1 Toreza Avenue,Off。213, Saint Petersburg, 194223, Russia 3 Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, 6 Academician Ossipyan str., Chernogolovka, Moscow Region 142432, Russia 4 Laboratory of Radiation Technologies, A. N. Frumkin Institute of Physical Chemistry and Electrochemistry Russian Academy of Sciences (IPCE RAS),莫斯科119071,俄罗斯5材料科学与工程系,韩国大学,Anamro 145,首尔02841,大韩民国6材料科学与工程系,佛罗里达大学佛罗里达大学佛罗里达大学佛罗里达大学,佛罗里达州盖恩斯维尔大学,佛罗里达州32611
我们通过称为同时间隔号的图形宽度参数提出了一种概括间隔图等级的新方法。此参数与间隔图的同时表示问题有关,并定义为标签的最小数字D,使得该图允许d-相对的间隔表示,即间隔和标签集的分配到顶点的分配,以便在相应的间隔相对间隔内仅相邻两个角度,以及它们的实验室集合,以及它们的实验室集合。我们表明,此参数是NP -HARD来计算并给出参数的几个边界,特别表明它夹在路径宽和线性中的MIM宽度之间。对于具有有界参数值的图类类别,假设该图配备了带有恒定标签数量的同时间隔表示,我们为集团,独立集和主导集合问题提供了FPT算法,以及独立支配集合和着色问题的硬度结果。独立集和统治集的FPT结果是同时间隔数和解决方案大小。相比之下,已知两个问题都是线性含量宽度加上溶液尺寸的hard。
[5] R. Schmidt 和 U. Scheuermann,“使用芯片作为温度传感器 - 陡峭横向温度梯度对 Vce(T) 测量的影响”,2009 年第 13 届欧洲电力电子及应用会议,巴塞罗那,2009 年,第 1-9 页。
摘要:短波红外胶体量子点 (SWIR-CQD) 是能够跨 AM1.5G 太阳光谱进行收集的半导体。当今的 SWIR-CQD 太阳能电池依赖于旋涂;然而,这些薄膜的厚度一旦超过 ∼ 500 nm,就会出现开裂。我们假定刮刀涂覆策略可以实现厚 QD 薄膜。我们开发了一种配体交换,并增加了一个分解步骤,从而能够分散 SWIR-CQD。然后,我们设计了一种四元墨水,将高粘度溶剂与短 QD 稳定配体结合在一起。这种墨水在温和的加热床上用刮刀涂覆,形成了微米厚的 SWIR-CQD 薄膜。这些 SWIR-CQD 太阳能电池的短路电流密度 (Jsc) 达到 39 mA cm − 2,相当于收集了 AM1.5G 照明下入射光子总数的 60%。外部量子效率测量表明,第一个激子峰和最接近的法布里-珀罗共振峰均达到约 80% 这是在溶液处理半导体中报道的 1400 nm 以上最高的无偏 EQE。关键词:红外光伏、量子点、配体交换、刀片涂层■ 介绍