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抽象研究了厚度和表面研磨条件对厚度低于100 µm的Si晶片的断裂强度的影响。通过球断裂强度测量每个晶片的大约330个模具(尺寸:4 mm×4 mm)。为了对骨折强度的统计分析,从Weibull图中确定了比例因子。断裂器断裂强度随着sil-icon死亡厚度的降低而增加。对于不同表面条件的硅死亡,断裂,地面(#4800)和地面(#320砂砾)标本的硅断裂强度很高。概率断裂强度(即比例因子)随着硅死亡的表面粗糙度的降低而增加。(2013年5月27日收到; 2013年6月7日修订; 2013年6月17日接受)
YBCO探针安装在LN 2冷的STM系统中。获得了有关隧道电流特征的初步结果。在高V范围内观察到隧道电流的急剧增加,并且在低V范围内也获得了类似SIS的I-V曲线。