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World File Search System晶格匹配
可扩展的脉冲激光沉积钙钛矿太阳能电池的透明后电极
脉冲激光沉积（PLD）是一种具有复杂化学计量的薄膜，在成功制造高温超级导管（HTS）以薄膜形式的高温制造后，它引起了很大的研究注意。[1]从那时起，PLD主要用于与晶格匹配底物上多元化合物氧化物外延生长有关的应用，但尚未在光伏（PV）社区中进行探索。尽管在2000年代初通过PLD制造了高度导电的TCO，并通过PLD制造，并在OLEDS [2,3]中成功实现，但关于PV设备中PLD生长的触点的应用仍然很少。文献报道包括用于CIGS [4]的掺杂的ZnO膜和有机的太阳能电池和金属氧化物传输层用于卤化物钙钛矿太阳能电池。[6]此外，已经提出了PLD用于硫化葡萄糖剂吸收剂[7,8]，最近，对于卤化物钙钛矿吸收剂层。[9,10]
钙钛矿太阳能电池透明背电极的可扩展脉冲激光沉积
脉冲激光沉积 (PLD) 是一种成熟的复杂化学计量薄膜沉积技术，在成功制造薄膜形式的高温超导体 (HTS) 后引起了广泛的研究关注。[1] 从那时起，PLD 主要用于在晶格匹配基板上外延生长多种复合氧化物的应用，但在光伏 (PV) 领域尚未得到探索。尽管在 21 世纪初，高导电性的 In 基 TCO 已通过 PLD 制造并成功用作 OLED 的前触点 [2,3]，但关于 PLD 生长触点在 PV 设备中的应用的报道仍然很少。文献报道包括用于 CIGS [4] 和有机 [5] 太阳能电池的掺杂 ZnO 薄膜以及用于卤化物钙钛矿太阳能电池的金属氧化物传输层。 [6] 此外，PLD 已被提议用于硫族化物吸收层的制造 [7,8]，最近又用于卤化物钙钛矿吸收层。[9,10]
电荷密度波在Tise2 – Mose2异质结构中激活激活的激活激活的激活激活的激活激活的激活的激活的激活
分层材料可以组装新类的异质结构，其中不再需要晶格匹配。界面成为未开发物理的肥沃地面，因为可以通过接近效应耦合不同的现象。在本文中，当Mose 2与Tise 2相互作用时，我们确定了意外的光致发光（PL）峰。一系列依赖温度依赖性和空间分辨的PL测量结果表明，与中性激子相比，该峰是Tise 2 - Mose 2界面所独有的，能量更高，并且具有激子样特性。该特征在Tise 2电荷密度波转变下消失，这表明密度波在这种新激子的形成中起着重要作用。我们提出了有关该峰的起源的几个合理的方案，这些方案单独捕获了我们观察的某些方面，但无法完全解释此功能。因此，这些结果代表了理论社区的新挑战，并通过与电荷密度波的相互作用来设计一种令人着迷的方法来设计激子。©2022作者。所有文章内容（除非另有说明，否则都将根据创意共享归因（cc by）许可（http://creativecommons.org/licenses/4.0/）获得许可。https://doi.org/10.1063/5.0067098
BI（110）/CRTE2 ...
拓扑和磁性之间的相互作用对于实现异国情调的量子现象，包括量子异常霍尔效应，轴突绝缘子和高阶拓扑状态在内的重要例子至关重要。这些状态具有大量的潜力，用于将来在高速和低消费电子设备中应用。尽管经过广泛的调查，但实际平台仍然很少。在这项工作中，分子束外延（MBE），我们提供了有关高质量BI（110）/CRTE 2磁异质结构的第一个实验报告。通过采用原位高分辨率扫描隧道显微镜，我们能够检查磁性和拓扑之间的相互作用。在费米水平以上的能级上存在一个潜在的边缘状态，但是在费米水平附近没有观察到的边缘状态，在E f附近没有高阶拓扑角状态突出了晶格匹配和界面工程在设计高阶拓扑状态中的重要性。我们的研究提供了对二维磁和拓扑材料之间相互作用的关键见解，并为工程磁性拓扑状态提供了重要的维度。
单光子发射器和基于自旋的量子传感器
层状二维 (2D) 材料主要通过范德华键相互作用，这为不受外延晶格匹配要求约束的异质结构创造了新的机会 [1]。然而，由于任何钝化的、无悬空键的表面都会通过非共价力与另一个表面相互作用，因此范德华异质结构并不仅限于二维材料。具体来说，二维材料可以与多种其他材料（包括不同维度的材料）集成，形成混合维度范德华异质结构 [2]。此外，化学功能化为调整二维材料的性质和异质界面间的耦合程度提供了更多机会 [3]。在本次演讲中，我们将探讨混合维度异质结构在量子光子科学和技术中的前景，特别关注化学功能化如何操纵和增强应变二维过渡金属二硫属化物中的单光子发射 [4]。除了技术含义之外，本次演讲还将探讨几个基本问题，包括能带排列、掺杂、陷阱态以及跨混合维异质界面的电荷/能量转移。
通过原子/分子层沉积研究对苯二甲酸铜金属有机骨架薄膜的气相合成
无溶剂合成和加工金属有机骨架 (MOF) 对于将这些材料应用于应用技术至关重要。MOF 薄膜的气相合成特别适合此类应用，但与传统的基于溶液的方法相比具有挑战性。因此，推进和扩大 MOF 薄膜的气相合成势在必行。结晶对苯二甲酸铜 MOF 薄膜通过原子和分子层沉积 (ALD/MLD) 在不同种类的基底上以气相生长。从先驱工作扩展而来，首次清楚地证明了 3D 相的形成，并揭示了该工艺对多种基底的适应性。在 ALD/MLD 工艺的早期阶段观察到定向膜生长，导致表面上取向的 MOF 晶体，当随着 ALD/MLD 循环次数的增加而进行各向同性生长时。值得注意的是，这项研究主要展示了使用具有晶格匹配拓扑的 DMOF-1 单晶作为起始表面，在气相中实现异质外延生长。这种方法为在气相中开发 MOF 超晶格材料提供了一种有吸引力的途径。
多孔硅纳米结构和阳极 SiO2 表面钝化可提高多孔硅太阳能电池效率
摘要：研究了多孔硅 (PS) 表面二氧化硅 (SiO 2 ) 阳极形成过程中的光伏效应，旨在开发一种潜在的钝化技术，实现高效的纳米结构硅太阳能电池。PS 层是在含氢氟酸 (HF) 的电解质中通过电化学阳极氧化制备的。在室温下，在 HCl/H 2 O 溶液中通过自下而上的阳极氧化机制在 PS 表面形成阳极 SiO 2 层。通过调节阳极氧化电流密度和钝化时间来精确控制表面钝化的氧化层厚度，以在 PS 层上实现最佳氧化，同时保持其原始纳米结构。PS 层微观结构的 HRTEM 表征证实了 PS/Si 界面处的原子晶格匹配。研究了光伏性能、串联电阻和分流电阻对钝化时间的依赖关系。由于 PS 表面钝化充分，阳极氧化时间为 30 秒的样品实现了 10.7% 的最佳转换效率。外部量子效率 (EQE) 和内部量子效率 (IQE) 表明由于 PS 的抗反射特性，反射率显著下降，而由于 SiO 2 表面钝化，则表明性能优越。总之，PS 太阳能电池的表面可以通过电化学阳极氧化成功钝化。
利用 GaAsSb、GaAsSbN 和 GaAlAs 进行带隙工程以用于 NIR 应用
摘要 带隙工程是开发光电器件的关键方法，特别是对于近红外 (NIR) 应用，其中精确控制材料的电子和光学特性至关重要。本研究探讨了三种 III-V 半导体合金——砷化镓锑 (GaAsSb)、砷化镓锑氮化物 (GaAsSbN) 和砷化镓铝 (GaAlAs)——在定制带隙以满足 NIR 器件特定需求方面的潜力。GaAsSb 通过调整锑含量提供可调带隙，使其成为 NIR 光电探测器和激光二极管的多功能材料。GaAsSbN 中的氮进一步降低了带隙，增强了其对长波长应用的适用性，并提供与 GaAs 基板更好的晶格匹配。GaAlAs 以其稳定性和与 GaAs 的兼容性而闻名，可用于形成异质结和量子阱，从而实现高效的载流子限制和发射控制。通过改变这些合金的成分，工程师可以实现精确的带隙调节，从而优化一系列 NIR 波长范围内的器件性能。本摘要强调了成分变化、应变工程和量子阱设计在开发先进 NIR 光电器件中的重要性。尽管存在材料质量和热管理等挑战，但这些材料的持续改进对电信、医学成像和传感技术中的下一代 NIR 应用具有重要意义。简介 带隙工程是半导体技术中的一项基本技术，可以精确操纵材料的电子和光学
GAAS1-XPX/SI1-YGEY/GE ...
卵子研究杂志。20，编号1，1月至2024年2月，第1页。 75-84 GAAS 1-X P X /SI 1-Y GE Y /GE三重连接太阳能电池的模拟和优化A. < /div>B. Azzououm B，A。Aissat A，B，C *，J。P. Vilcot C A艾哈迈德·德拉亚（Ahmed Draya），阿德拉尔（Adrar），阿尔及利亚B技术学院，Blida.1。Poincare Avenue，60069，59652 ASCQ的Villeneuve，法国本文着重研究和模拟GAAS 1-X P X /SI 1-Y GE Y /GE Y /GE三连接太阳能电池结构。首先，已经研究了与SIGE层相关的应变和带隙能。最佳锗浓度为0.88，应变约0.45％。然后，对上层GAAS 1-X P X /Si 0.12 GE 0.88的应变和带隙能的磷光浓度效应进行了优化。在室温下，最佳输出参数达到J SC = 34.41ma/cm 2，V OC = 1.27V，FF = 88.42％，η= 38.45％，吸收厚度为4.5µm，x = 0.47，菌株的菌株不超过1.5％。这项研究使我们能够设计高效，低成本的3J太阳能电池。（2023年10月23日收到； 2024年1月13日接受）关键字：半导体，效率，三连接，太阳能电池，光伏1.引言提高太阳能电池的效率会导致瓦特峰成本的降低[1]。在提供提高效率的技术中，我们发现了多期太阳能电池。但是，这些配置的制造成本仍然昂贵。后者基于一组具有不同带隙能的半导体材料的堆叠，该布置旨在吸收太阳光谱的最大值[2]。实际上，基于III-V化合物材料的多期太阳能电池提高了效率，并且似乎是光伏应用的未来。越来越多，它们已成为最前瞻性的太阳能技术[3,4]。降低成本所采用的技术之一是使用硅底物。因此，单层生长的GAASP/SI细胞可能是为空间应用提供低成本和高效率太阳能的合适候选者。，尽管在实验中众所周知，由于晶格不匹配高和热膨胀系数的巨大差异，很难用硅生长III-V材料[5-8] [5-8]。一种有希望的方法来克服这些限制并提高IIII-V 3J 3J太阳能细胞的效率，而不是使用Dermanium元素，而不是使用底层硅元素。锗的特征是直接带隙能在300K时为0.66 eV，因此吸收边缘比Si陡峭，SI陡峭，太阳辐照度光谱和低成本材料的光谱重叠更大。此外，锗元素可以与晶格匹配与III-V材料一起生长。这种优势使其成为吸收低能光子的有前途的材料[9,10]。由于这些最后的原因，在目前的工作中，锗被用作底部细胞。Fadaly等。此外，如[12]中报道，详细阐述了实验结构GAA 0.79 p 0.21 /si 0.18 ge 0.82双连接太阳能电池。将SIGE作为IIII-V顶部太阳能电池和底部电池之间的缓冲层的整合可以减少III-V核的位错界面，并提供高质量的底部太阳能电池。[11]证明了Si 1-ge Y合金的计算寿命接近III – V组半导体的寿命，因为从理论上讲，它们可以结合直接的带隙，波长态度和强烈的光学转变[11-13]。为了增强其表演的目标，三连接是 *通讯作者：sakre23@yahoo.fr https://doi.org/10.15251/jor.2024.201.75