用于切换电路或连接电路或在电路中工作的电压不超过 1000 V 的电气设备(不包括保险丝、自动断路器和其他保护电路的装置、继电器和其他开关、灯座、插头和插座) 8541.10 二极管,除光敏或发光二极管(LED)之外 8541.21 晶体管,除耗散率小于 1 W 的光敏晶体管之外 8541.29 除光敏晶体管之外的其他晶体管 8541.30 晶闸管、双向晶闸管和三端双向晶闸管(不包括光敏半导体器件) 8541.49 光敏半导体器件(不包括光伏发电机和电池) 8541.51 其他半导体器件:基于半导体的换能器 8541.59 其他半导体器件 8541.60 已装配的压电晶体
用于切换电路或连接电路或在电路中工作的电压不超过 1000 V 的电气设备(不包括保险丝、自动断路器和其他保护电路的装置、继电器和其他开关、灯座、插头和插座) 8541.10 二极管,除光敏或发光二极管(LED)之外 8541.21 晶体管,除耗散率小于 1 W 的光敏晶体管之外 8541.29 除光敏晶体管之外的其他晶体管 8541.30 晶闸管、双向二极管和三端双向可控硅开关元件(不包括光敏半导体器件) 8541.49 光敏半导体器件(不包括光伏发电机和电池) 8541.51 其他半导体器件:基于半导体的换能器 8541.59 其他半导体器件 8541.60 已装配的压电晶体
当阳极和阴极之间的电压为正时,电流会流过阀门。要使阀门换向电流,必须有正电位(电压),并且晶闸管必须具有触发脉冲。在相反方向上,即当阳极和阴极之间的电位为负时,触发脉冲不起作用。当阳极和阴极之间的电压变为负时,阀门中的电流结束。可以通过推迟触发来延迟电流开始流过阀门或从一个阀门换向另一个阀门的时刻。这种方法允许改变整流器输出电压的平均值。触发脉冲是通过使用电子控制装置同步网络而产生的。这些脉冲可以从它们的“自然触发”点(即两相电压相交的点)移位。触发脉冲移位的方法称为相位控制。
电力电子学的基本概念和 4 种不同的转换器类型,由二极管、晶闸管、GTO、MCT、IGBT 和 MOSFET 组成的功率开关的分析,功率和能量方程,参数瞬时值和平均值的计算,电路中线圈和电容器的行为以及有功和无功功率值,非线性源和负载的电路分析以及功率值的计算,THD 和失真因数的解释和计算,非线性负载中整流器的性能分析和方程,CCM 和 DCM 工作模式下 DA-DA 降压转换器的分析,CCM 和 DCM 工作模式下 DA-DA 升压转换器的分析,CCM 和 DCM 工作模式下 DA-DA 降压-升压转换器的分析,Sepic 和 Cuk 转换器的分析,半桥逆变器,全桥逆变器,逆变器对线性和非线性负载的性能分析和检查,AC-AC 转换器,目的和方法。
空军的“更多电动飞机” (MEA) 计划采用了利用电力驱动飞机子系统的概念,这些子系统目前由液压、气动或机械方式驱动,包括公用设施和飞行控制驱动、环境控制系统、润滑和燃油泵以及许多其他实用功能。该计划的一个重要部分是开发和演示电力和电力电子元件和系统,以提高可靠性、容错性、功率密度和性能。本文介绍了空军为实现 MEA 概念而正在追求的一些关键电力和电力电子技术。本文介绍了空军资助的 MEA 计划迄今为止的成果或进展,例如“更多电动飞机的电源管理和分配”计划、整体启动发电机计划和 MOS 控制晶闸管计划。还将简要讨论未来的相关计划。先进的 MEA 技术的集成将大大提高飞机的可靠性并降低战斗损伤的敏感性。飞机维护和支持的需求将减少,地面支持设备和维护人员也将减少。
硅IGBT的开发一直以更高的功率效率和更高的当前处理能力来设计优化和降低电源转换器系统的成本。在过去的三十年中,通过引入沟槽几何学[1],野外停机(FS)技术[2]和注射增强(IE)效应来取得重大进展。但是,在州绩效,切换频率和长期可靠性方面的进一步改善变得难以实现。这是因为动态雪崩(DA)在限制高电流密度操作能力方面起着关键因素[4-7]。要打破常规IGBT的基本限制,并保持与宽带差距(WBG)功率设备的竞争力,必须以可靠的方式实施创新的硅技术,以实现自由运营和显着降低功率损失,同时与WBG替代品相比保持硅的成本竞争力。这是因为无DA的操作可以降低门电阻,从而降低开关损耗并提高可靠性。沟槽簇的IGBT(TCIGBT)是唯一到目前为止已实验证明的无DA的解决方案[7-11]。其自晶状功能和PMOS操作可有效地管理沟槽门下的峰值电场分布。此外,即使将NPT-TCIGBT与FS-IGBT进行比较,固有的晶闸管操作也会提供更低的状态损失[10,11]。因此,TCIGBT提供了一种高度有希望的解决方案,可以超越当前IGBT技术的限制。
1001.4 气压(降低) 1011.1 浸没 1015.1 稳态初级光电流辐照程序(电子束) 1016 绝缘电阻 1017.1 中子辐照 1018.6 内部气体分析(IGA) 1019.6 稳态总剂量辐照程序 1020.5 静电放电敏感度(ESD)分类 1021.4 防潮性 1022.7 耐溶剂性 1026.5 稳态工作寿命 1027.3 稳态工作寿命(样品计划) 1031.5 高温寿命(非工作) 1032.2 高温(非工作)寿命(样品计划) 1033 反向电压泄漏稳定性 1036.3 间歇工作寿命 1037.3 间歇使用寿命(样本计划) 1038.5 老化(二极管、整流器和齐纳二极管) 1039.4 老化(晶体管) 1040 老化(晶闸管(可控整流器)) 1041.4 盐雾环境(腐蚀) 1042.4 功率 MOSFET 或绝缘栅双极晶体管(IGBT)的老化和寿命测试 1046.3 盐雾(腐蚀) 1048.1 阻塞寿命 1049 阻塞寿命(样本计划) 1051.9 温度循环(空气对空气) 1054.1 封装环境压力测试 1055.1 监控任务温度循环 1056.8 热冲击(液体对液体) 1057.1 抗玻璃破裂 1061.1 温度测量,外壳和螺柱 1066.1 露点 1071.16气密密封 1080.1 单粒子烧毁和单粒子栅极破裂 1081.1 介电耐压
• 目标是开发基于领域的方法,用于柔性交流输电系统 (FACTS) 的纵深防御网络安全解决方案。我们解决了与 FACTS 控制系统内部攻击相关的漏洞,例如语法正确的恶意命令和测量。存在将 FACTS 控制扩展到网络安全的机会。主要的技术挑战是设计满足所保护操作过程的速度要求的控制器扩展。我们计划使用状态估计来防止虚假数据注入;前瞻性模拟来防止恶意命令;以及时间故障传播图和马尔可夫过程进行入侵检测和控制器故障预测。我们将利用 FACTS 设备独特的动态响应,例如通过探测信号或模拟来识别并提醒操作员任何对 FACTS 设备起作用的恶意网络命令和测量。我们将为与广域测量、保护和控制 (WAMPAC) 以及监控和数据采集 (SCADA)/能源管理系统 (EMS) 交互的分布式 FACTS 系统开发网络安全解决方案。矩阵束法将用于防止广域控制 FACTS 中的中间人攻击。变分模态分解 (VMD) 技术结合决策树 (DT) 和移动目标防御,可确保广域电压控制 FACTS 的安全。开发的方法将使用各种 FACTS 设备进行测试,例如静态无功补偿器 (SVC)、串联电容器 (SC)、静态补偿器 (STATCOM) 和晶闸管控制串联补偿器 (TCSC)。