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基本微生物学-MLD
（学分：理论3）（教学时间 - 4）课程目标：了解微生物学的基础知识并了解环境中的作用。提供对微生物世界，微生物的基本结构和功能，代谢，营养，其多样性，生理学以及与环境和人类健康的关系的基本理解。具有隔离和操纵条件的实用技能。确保学生了解微生物的结构和功能。单元 - I（10小时）微生物多样性：微生物学，历史和微生物学范围，一般特征和分类的古细菌，细菌，真菌，藻类，原生动物，病毒，病毒和王室的基础。原核生物和真核生物之间的差异。单位II（15小时）细菌的超微结构：细胞结构 - 细菌及其生物合成的细胞壁，细胞包膜 - 胶囊和粘液层，细胞附加物 - pili，鞭毛，鞭毛和脂肪，细胞膜，细胞膜，包含体，质粒DNA和质子DNA和染色体和染色体DNA。细菌遗传学 - 结合，转导（广义和专业化）和转化。单位-V（10小时）微生物控制：灭菌，消毒，反杂质，熏蒸。物理控制：温度（潮湿的热量，高压灭菌，干热，热空气烤箱和焚化炉），干燥，渗透压，辐射，紫外线，电力，超声波，超声波波，过滤。化学控制：防腐剂和消毒剂（卤素，酒精，气态灭菌）课程学习结果（CLO）：学生将能够1。2。单元-III（15小时）显微镜：染色 - 染色（简单和微分）显微镜的原理和类型 - 光学显微镜（明亮场，暗场，相位对比，荧光显微镜）和电子显微镜的原理，原理和申请营养类型，培养基类型的制备，微生物的培养，微生物生长曲线，病毒复制：裂解和裂解性周期，微生物的隔离，保存和维持微生物，有氧和厌氧的细菌培养，生物效应以及生物因素的作用以及生物因素对生长的生长。定义了微生物学的科学，其发展和在人类福利中的重要性。描述自发产生的历史概念以及执行
石墨烯在铜箔上的堆垛关系和基底相互作用
石墨烯的生产是在金属基底上用化学气相沉积 (CVD) 方法进行的，因为该方法可重复、可扩展，且能获得具有大畴尺寸的高质量层。到目前为止，各种过渡金属已作为基底进行了测试 [4–10]，其中铜箔由于碳溶解度低，已被证明是控制单层和双层生长的合适基底。[11–14] 通常，铜箔上石墨烯畴的成核以随机取向发生，从而形成多晶单层石墨烯片 [15] 甚至扭曲的双层石墨烯。[16] 相邻畴合并后会引入晶界，从而限制载流子迁移率。[17] 使用六边形 Cu(111) 表面作为基底，结果表明石墨烯成核发生在与基底晶格对准的位置，从而有效减少晶界。 [18,19] 在实际应用中，需要将石墨烯从金属基底转移到非金属目标基底（如 SiO 2 、SiC）。在许多情况下，转移层的质量不如原生石墨烯。众所周知，基底的选择可能会影响石墨烯的特性。[20–22] 一方面，Kraus 等人早些时候提出，铜基底的刻面可能会压印在石墨烯上，即使在平坦的基底上，转移后也会导致层起波纹。[23] 另一方面，研究表明，在 SiO 2 上转移的单晶石墨烯中的纳米波纹会降低电子迁移率。[24] 此外，在 Bernal 堆叠双层石墨烯中，在不同基底上都观察到了应变诱导的位错线[25–27]，这可能会限制载流子迁移率。即使在目标基底上转移后，这些位错也可能存在。了解这些位错的形成和生长衬底的影响将为设计双层石墨烯和其他堆叠二维材料的特性开辟一条道路。我们利用低能电子显微镜 (LEEM) 和衍射 (LEED) 研究了在 Cu(111) 衬底上以及转移到外延缓冲层后 CVD 生长的石墨烯的厚度和晶体度。我们发现，在石墨烯生长过程中，衬底表面会重新构建为小平面，即使在单层石墨烯中也会留下波纹结构。LEEM 暗场测量揭示了衬底小平面在双层（和三层）石墨烯中堆叠域形成过程中的作用，这些堆叠域在转移过程中得以保留。
使用压缩感应
Alex Robinson 1，Jack Wells 1,2，Daniel Nicholls 1，Giuseppe Nicotra 3，Nigel Browning，Nigel Browning 1,4 1 Senseai Innovations Ltd.，英国利物浦，2分布式算法算法，博士培训中心，英国利物浦，英国3 Cnr-immmmmmmmmm，liver-immmmm，liver-imm，liver-imm，liver-imm，italy italy，4扫描透射电子显微镜（Stem）可以捕获与材料的结构和化学性质相对应的多种信号。这些方法的示例包括明亮/暗场成像，能量分散X射线光谱（EDS）或电子能量损失光谱（EELS）[1]。由于其对低质量元素的敏感性以及确定其氧化态，化学键合和空间分布的能力，因此特别感兴趣。由于信号较低，梁的能量扩散以及检测器的灵敏度，鳗鱼光谱挑战很大。此外，由于采集速度，样本的稳定性被妥协，这是信号限制和相机读出速度的组合。克服这些局限性的一种解决方案是使用探针子采样，仅获取相对于典型扫描网格的探针位置的子集。这已显示出适用于各种茎技术，例如2-D成像，EDX和4-D茎[2,3]。我们的目标是将这些相同的策略应用于鳗鱼的获取，以提高速度，同时维持材料的结构和化学分析。将聚焦的电子探针对齐，并将扫描线圈连接到扫描发生器，以允许定制的扫描模式。此过程如图然后将电子探针定位在子采样的探针位置，并获得了鳗鱼光谱。对于实时成像，可以使用Beta过程因子分析（BPFA）算法[4]的GPU实现来覆盖能量损失的子集[4]，以使探针更加比对。对于离线分析，数据被重塑以形成一个3-D数据集，其中第一个两个维度对应于探针位置，最终维度是特定的能量损失。然后，使用3D补丁的BPFA对此数据进行覆盖。1。为了测试这种方法，我们使用碳脸上生长的石墨烯的硅卡宾枪样品模拟了一个亚采样的鳗鱼实验[5]。数据集包含17x104探针位置，扫描步骤为0.13nm，相机上的能量宽度为0.25EV（2048通道）。仅使用原始数据的25％测试数据集。结果（图1中给出）表明，可以恢复数据，以实现与原始，全采样数据集的功能相同的结果。这项工作表明，通过对采样网格的测量，可以实现原子分辨率鳗鱼。通过采用这些方法，干eels可以更快，较低的剂量，并且重要的是
硅上的完全垂直gan p-i-n二极管
esearchers from France's Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) and Siltronic AG in Germany claim the first demonstration of high-current operation (above 10A) for vertical gallium nitride (GaN)-based devices on silicon substrates [Youssef Hamdaoui et al, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.72（2025），否。1（1月），P338]。 团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。 这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构 “伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。 虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。 结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。 完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。 在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。 通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。 一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。 另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。1（1月），P338]。团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构“伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。根据电化学电容 - 电压（ECV）测量值，漂移层中的硅掺杂浓度为3x10 16 /cm 3，净离子化电子密度为9x10 15 /cm。较厚的漂移层应承受更高的电压，但要以更高的抗性为代价。在弱梁暗场模式下使用透射电子显微镜（TEM）的检查确定螺纹位错密度〜5x10 8 /cm 2。霍尔效应测量值的漂移层迁移率为756cm 2 /v-s。P-I-N二极管是制造的，从用作边缘终止的深斜角台面开始。通过血浆反应离子蚀刻（RIE）和电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行深度蚀刻。边缘终止的目的是将电场散布在交界处，并减少泄漏。