摘要 随着纳米技术领域的进步,纳米图案化不仅在高附加值产品中得到广泛应用,而且在廉价产品中也得到广泛应用。此外,大规模生产廉价产品所需的技术,如连续卷对卷 (R2R) 工艺,正在迅速兴起。人们对亚微米和纳米模具的制造进行了广泛的研究。在这项研究中,我们提出了一种激光干涉曝光来制造可用于连续卷对卷图案化的纳米图案圆柱形模具。此外,我们还展示了使用棱镜在圆柱体(长度为 300 毫米,直径为 100 毫米)上制造无缝图案的螺旋曝光工艺。使用 UV 树脂将图案转移到平面模具上,并使用场发射扫描电子显微镜进行测量;测量结果显示图案均匀,具有纳米图案线宽(75 纳米)和亚微米周期(286 纳米)。观察结果表明,使用激光干涉光刻制造卷模的方法是一种快速可靠的无缝图案化方法。
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5 拍摄照片 61 拍摄照片 61 选择拍摄模式 ................................................................62 模式 P:程序 AE ..............................................................................62 模式 S:快门优先 AE ..............................................................64 模式 A:光圈优先 AE ..............................................................69 模式 M:手动曝光 ......................................................................72 自动模式 ......................................................................................74 自动对焦 ......................................................................................77 对焦模式 ......................................................................................78 自动对焦选项(AF 模式) .............................................................80 对焦点选择 ......................................................................................82 手动对焦 ......................................................................................87 检查对焦 ......................................................................................89 d 曝光补偿 ................................................................................91 C(自定义) ......................................................................................91 对焦/曝光锁定 .............................................................................92 AF-L 和 AE-L 按钮 .............................................................................93 BKT 包围 .............................................................................................94 O AE BKT ................................................................................................95 W ISO BKT ..............................................................................................95 X 胶片模拟 BKT ..............................................................................95 V 白平衡 BKT ..............................................................................96 Y 动态范围 BKT ..............................................................................96
5 拍摄照片 61 拍摄照片 61 选择拍摄模式 ................................................................62 模式 P:程序 AE ......................................................................62 模式 S:快门优先 AE ..............................................................64 模式 A:光圈优先 AE ..............................................................69 模式 M:手动曝光 ......................................................................72 自动模式 ......................................................................................74 自动对焦 ......................................................................................77 对焦模式 ......................................................................................78 自动对焦选项(AF 模式) .............................................................80 对焦点选择 ......................................................................................82 手动对焦 ......................................................................................87 检查对焦 ......................................................................................89 d 曝光补偿 .............................................................................91 C (自定义) ................................................................................91 对焦/曝光锁定 .............................................................................92 AF-L 和 AE-L 按钮 .............................................................................93 BKT 包围 .............................................................................................94 O AE BKT ................................................................................................95 W ISO BKT ......................................................................................95 X 胶片模拟 BKT ..............................................................................95 V 白平衡 BKT ..............................................................................96 Y 动态范围 BKT ..............................................................................96
伽马时间曲线 226 伽马随波长的变化 227 拍摄对象在特性曲线上的定位 227 平均梯度和 ¯ G 228 对比度指数 228 显影变化对底片的影响 228 曝光变化对底片的影响 229 曝光宽容度 230 相纸的响应曲线 231 最大黑色 231 相纸的曝光范围 232 打印曲线随乳剂类型的变化 232 打印曲线随显影的变化 233 打印中的要求 234 相纸对比度 234 高对比度拍摄对象的问题 235 色调再现 236 互易律失效 238 感光度测定实践 239 感光度计 240 密度计 241 基本感光度测定 244 数码相机的感光度测定 245
极紫外光刻 (EUVL) 技术基础设施的开发仍然需要许多领域达到更高水平的技术就绪状态。需要引进大量新材料。例如,开发 EUV 兼容薄膜以采用经批准的 EUVL 光学光刻方法需要以前没有的全新薄膜。为了支持这些发展,PTB 凭借其在 EUV 计量方面 [1] 的数十年经验 [2],在带内 EUV 波长和带外提供了广泛的光化和非光化测量。两条专用的、互补的 EUV 光束线 [3] 可用于辐射度 [4,5] 特性分析,分别受益于小发散度或可调光斑尺寸。EUV 光束线 [5] 覆盖的波长范围从低于 1 nm 到 45 nm [6],如果另外使用 VUV 光束线,则可以覆盖更长的波长。标准光斑尺寸为 1 毫米 x 1 毫米,可选尺寸低至 0.1 毫米至 0.1 毫米。单独的光束线提供曝光设置。过去曾采用 20 W/cm 2 的曝光功率水平,通过衰减或失焦曝光可获得较低的通量。由于差分泵送阶段,样品可以在曝光期间保持在定义的气体条件下。我们介绍了我们用于 EUV 计量的仪器和分析能力的最新概述,并提供了数据以供说明。