sex chromosome 性染色体 决定个体性别的染色体。对于所有的哺 乳动物,小部分开花植物和大多数昆 虫,它们的雌性个体都携带一对 X 染色 体,而雄性个体携带一条 X 和一条 Y 染色 体。对于鸟类,爬行动物和绝大多数两 栖动物,雄性个体都携带一对W染色体, 雌性携带一个 W 和一个 Z 染色体。一些昆 虫中只有一种X染色体,其数量的多少决 定昆虫的性别。同义词: 异染色体 ( allo some )反义词: 常染色体 ( autosome )。
2.Matthew P. Goetz,Masakazu Toi等。Monarch 3:Abemaciclib作为晚期乳腺癌临床肿瘤学杂志的初始疗法。2017; 35(32); 3638-3646 3.George W. Sledge,Jr。,Masakazu Toi等。MONARCH 2:ABEMACICLIB与HR+/HER2-晚期乳腺癌女性的Abemaciclib结合使用,她在接受内分泌疗法杂志临床肿瘤学杂志时进展。2017; 35(25); 2875-2884 4.Maura N. Dickler,Sara M. Tolaney等。Monarch 1,Abemaciclib,CDK4和CDK6抑制剂的II期研究,作为一种药物,对难治性HR+/HER2-转移性乳腺癌临床癌症研究的患者。2017; 23(17); 5218-5224
课程要求: 中文讲演。每周由一至二位同学,按照每周预订的专题,各选择一篇近一年内相关的期刊论文,作详尽的报告。每次报告以60 min 为原则,包括40 min 的论文报告,以及穿插其中之讨论及提问( 约20 - 30 min) ,最长不超过90 min 。请确实控制上台报告的时间。请将报告的论文PDF 连同英文摘要在至少一周前e-mail 小助教公布( 庄炜婷) 。请同组同学(Discussion group) 参与该周论文的研读、讨论与提问。请大家在课堂上踊跃发言提问及讨论。 请各指导老师协助报告学生论文的选择与讨论。
员工之前请病假超过 30 天,现已复职,但因相同或相关的疾病或受伤再次请病假。 员工之前请病假超过 30 天,现已复职,但因相同或相关的疾病或受伤再次请病假。该员工将于/大约 _ 处于无薪休假状态。上述员工将于/大约 _ 处于无薪病假状态。
摘要 本研究使用具有平面扫描功能的电光 (EO) 传感器演示了基于光子学的 300 GHz 频段近场测量和远场特性分析。待测场在 EO 传感器处上变频至光域 (1550 nm),并通过光纤传送至测量系统。在 13 s 的一维测量时间内,系统的典型相位漂移为 0.46 ◦,小于该时间尺度下相位测量的标准偏差 1.2 ◦。将从测得的近场分布计算出的喇叭天线远场方向图与使用矢量网络分析仪通过直接远场测量系统测得的远场方向图进行了比较。对于与角度相关的参数,我们通过近场测量获得的结果的精度与通过直接远场测量获得的结果相当。我们的近场测量结果与直接远场测量结果之间的旁瓣电平差异(约 1 dB)归因于探针校正数据的过量噪声。我们相信,基于光子学的球形 EO 探针扫描近场测量将为 300 GHz 频段高增益天线的表征铺平道路。
美国驻日陆军基地 2024 年暑期实习计划 美国驻日陆军基地正在座间营和吴市地区举办实习计划。该计划旨在为寻求在动态工作环境中获得经验、接触英语会话和美国文化的日本大学生提供绝佳机会,同时与来自日本和美国的美国军事人员和工作人员一起工作。通过亲身实践的工作经验、入职培训、实地考察和演示,参与者可以加深对美国军事设施内各种职责的了解。实习期:2024 年 8 月 5 日至 23 日(周一至周五,8 月 12 日日本假期除外)职位和地点:请参阅附件“2024 年暑期实习职位列表”了解可用的实习职位。1 至 5 号职位将位于广岛县(吴市、秋月市或川上市),6 至 30 号职位将位于神奈川县(座间营)。资格:所有申请人必须符合以下标准。
深层地下中微子实验 (DUNE) 的远探测器 (FD) 将配备液氩时间投影室 (LArTPC),其中闪烁光将由适合低温应用的硅光电倍增管探测。在 DarkSide 实验的要求推动下,FBK 开发了一种用于低温应用的 SiPM 技术 (NUV-HD-Cryo SiPM),该技术的特点是在低温下具有极低的暗噪声,约为几 mHz/mm2,后脉冲概率低,并且淬灭电阻随温度的变化有限。在 DUNE 合作框架内,NUV-HD-Cryo 技术得到了进一步开发,通过增加深沟槽隔离 (DTI) 的数量来获得具有高增益但串扰有限的设备,目的是为 DUNE 读出模块提供更好的信噪比。大型物理实验通常需要具有最高性能的设备,并在短时间内以低到中等的产量完成紧张的实验计划。在 FBK,我们开发了一个小型供应链,其中包括一家使用 FBK 技术制造 SiPM 的外部代工厂和一家外部封装公司,能够提供中等批量的封装硅探测器。在这项工作中,我们将从 SiPM 的击穿电压、暗电流和正向电阻的均匀性以及 SiPM 板封装的质量评估方面报告 NUV-HD-Cryo 技术的性能和 DUNE 实验的 FBK SiPM 生产状态。
考虑到参与初期收到的大量反馈,区域计划草案预计将于 2024 年底完成。预计 2025 年初将就区域计划草案开展法定参与和协商。将开展参与活动,以支持社区和利益相关者的广泛参与,并提供面对面和在线反馈的机会。这些参与活动的细节将在区域计划草案的制定过程中制定。
半导体设备在电子行业中起着至关重要的作用。这些设备包括从领先的硅技术到复合半导体方法的各种类型。尤其是IIII-V复合半导体激光器在几十年中变得越来越重要,在各种领域(例如微电子,光电子学和光学电信)中找到了应用。半导体的多功能性允许对其属性进行自定义修改,以满足特定应用程序的需求。在设计光学元件时,半导体激光器的远场是至关重要的参数,因为许多半导体激光应用需要与单模光纤建立足够的连接。使用单模激光器设备,可以将更多功率传递到光纤。此外,从光学的角度来看,单模式激光器更好,因为光线更容易对齐。因此,使用单模半导体激光比构建复杂的光学系统要容易得多。在本文中,基于GAAS的630 nm区域半导体激光器的远场是与Modulight Corporation合作的优化。目标是了解制造步骤和选定的设备几何形状如何影响这些激光器的远场模式,从而改善对设备过程和过程产量的控制。远场高度依赖于激光设备的尺寸,因此,将两种不同的底物(638 nm和633 nm)与不同的尺寸一起使用以进行比较。除了远场外,还分析了光电压和光谱测量值。此外,为了更好地了解脊指导的光学特性和几何形状之间的依赖性,使用扫描电子显微镜测量了脊的尺寸。本论文中使用的激光条是通过光刻的步骤和等离子体蚀刻来捏造的。否则两个底物的处理都是相同的,但是633 nm底物的蚀刻时间更长,从而产生了更深的蚀刻深度。两个设备都使用了五个不同的脊宽度和三个不同的空腔长度。将实现的脊尺寸和调间模式行为与630 nm区域半导体激光结构的这些参数的建模结果进行了比较。脊的尺寸的表征结果显示了两个过程的各向异性和平滑档案。633 nm设备的蚀刻时间较长,导致脊比638 nm设备深507 nm,这是预期的。与638 nm设备相比,具有更深山脊的633 nm设备具有更深的山脊的阈值电流和输出功率变化较小。这项工作的目的是实现具有单模空间操作的激光器,该激光器是用633 nm激光器获得的。最佳尺寸为1000 µm的腔长为1.8 µm和3.4 µm的脊宽度,腔长为1500 µm,脊宽为2.2 µm。对于较浅的山脊深度,即638 nm激光器,所有选定的脊宽度和长度均显示多模具操作。此外,模拟结果很好地支持了实验结果。