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用于量子光机电的具有高品质因子的纳米机械晶体 AlN 谐振器
高品质因数 ( Q m ) 机械谐振器对于需要低噪声和长相干时间的应用至关重要，例如镜面悬挂、量子腔光机械装置或纳米机械传感器。材料中的拉伸应变使得能够使用耗散稀释和应变工程技术来提高机械品质因数。这些技术已用于由非晶材料制成的高 Q m 机械谐振器，最近也用于由 InGaP、SiC 和 Si 等晶体材料制成的高 Q m 机械谐振器。表现出显著压电性的应变晶体薄膜扩展了高 Q m 纳米机械谐振器直接利用电子自由度的能力。在这项工作中，我们实现了由拉伸应变 290 nm 厚的 AlN 制成的 Q m 高达 2.9 × 10 7 的纳米机械谐振器。AlN 是一种外延生长的晶体材料，具有强压电性。利用耗散稀释和应变工程实现 Q m × fm 乘积接近 10 13 的纳米机械谐振器
用于评估机电的实验室测试设置
姓名：Barnett，Street Anthony 批准人： Quinn Leland，博士 Jamie Ervin，博士 咨询委员会主席 委员会成员 高级机械工程师 教授 AFRL，WPAFB，俄亥俄州 机械和航空航天工程系 Bang Tsao，博士 Steve Fuchs 委员会成员 委员会成员 讲师 高级工程研究员 电气 UDRI 和计算机工程系 John G. Weber，博士 Eddy Rojas，博士，M.A.，P.E. 副院长 院长 工程学院 工程学院