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nu-calgon应用程序公告 - 针头双极电离
iwave设备是双极的，这意味着它们使用两个发射器来创建相等数量的正离子和负离子。将这些离子注入空气流中时，它们会减少传递的污染物，气体和气味。当离子发射到气流中时，它们将减少某些病毒和细菌*。与离子接触对某些病毒和细菌具有杀生作用，这些病毒和细菌最终破坏了其表面蛋白并使它们不活跃。离子还附着在灰尘和其他颗粒上，使它们结合在一起，直到它们足够大以被过滤器捕获。iwave的技术产生的离子与大自然在闪电，瀑布，海浪等中产生的离子相同。自然使用离子能量分解分子，自然清洁空气。iWave经过验证以满足UL 867臭氧要求。
双极情感障碍与疾病之间的相关性
抽象的双相情感障碍（TAB）和心血管疾病密切相关，心血管疾病是双相情感人群中普通人群过早死亡的主要原因。因此，目前的工作旨在通过系统文献综述来报告选项卡与心血管疾病之间的相关性。在各种数据库中进行了电子搜索，其中包括2006年8月至2023年6月在葡萄牙，英语和西班牙语中发表的21篇文章，并符合拟议的目标。在选项卡中，心血管疾病的发病率过多具有多因素的病因，受到患者社会经济状况的影响，疾病本身固有的特征，这些特征促进了与风险相关的风险行为，伦理学和吸烟以及针对其危险的采用。TAB治疗主要由具有情绪和/或抗精神病药稳定剂的药物治疗组成，这些药物具有不良反应，可以证明会增加心血管风险并提供心血管疾病的出现。幽默稳定器在体重增加的潜力中突出，尤其是锂和丙丙酸，尽管脂质和葡萄糖代谢的疾病并不常常由这些药物引起，但继发性体重增加可能有助于高血糖，糖尿病，糖尿病和血脂异常。关键词：双相情感障碍，心血管疾病，心血管风险，情绪稳定器和抗精神病药。考虑到非典型抗精神病药，众所周知，它们已证明可以孤立地引起体重增加，高血糖，糖尿病和血脂异常血症，因此已证明其能够提高心血管风险。尽管如此，最近的研究表明，该类别的年轻药物（例如Aripiprazole和Ziprazo）似乎对脂质和糖苷代谢几乎没有有害影响。TAB和心血管疾病之间的相关性表明，精神病患者身体合并症的医学疏忽持续过失，以及对增加心血管风险以及这些个体心血管疾病的出现的更大监测需求。因此，鉴于上述情况，很明显，将TAB患者的心血管疾病负荷分配给一个因素，这重申了该人群中对新研究的最大需求。抽象的双相情感障碍（不良）和心血管疾病密切相关，心血管疾病是躁郁症患者的总人群过早死亡的主要原因。因此，这项研究的目的是通过系统文献综述来报道伴随性结构性和心血管疾病的相关性。在各种数据库中进行了电子搜索，其中包括2006年8月至2023年6月在葡萄牙，英语和西班牙语中发表的21篇文章，并带有拟议的目标。服用非典型在不良的，心血管疾病的发病率过多的情况下具有多因素病因，并受到患者的社会经济状况的影响，疾病本身的固有特征，促进了与饮食不良，酒精中毒和吸烟以及针对它的治疗相关的风险行为。不良治疗主要由情绪稳定剂和/或抗精神病药，具有不良反应的药物组成，这些药物已被证明会增加心血管风险并导致心血管疾病的发作。情绪稳定剂在体重增加的潜力中突出，尤其是锂和丙丙酸，尽管这些药物并不常见脂质和葡萄糖代谢疾病，但这些药物的体重增加可能导致高血糖，糖尿病，糖尿病和血脂异常。
使用电反射法诊断锂离子电池极耳焊接
摘要 —本文研究了使用电反射法作为一种无损检测技术来监测并联电池组配置中电池极耳焊接的健康状况。开发了由圆柱形锂离子电池组成的 3D 模型，这些电池通过铜焊接在每个末端通过极耳连接。进行了电流表面分布分析，以了解反射信号的传播并选择最佳设置以提高反射灵敏度。然后，创建了几个严重程度和位置各异的缺陷模型来模拟焊接层中材料的逐渐损失。这项工作证明了基于反射仪的系统能够检测并联电池组配置中的焊接退化，据我们所知，这在文献中从未做过。索引词 —电反射法；锂离子电池极耳焊接；缺陷诊断
可重构双极量子点的色散读数纳米线
我们在使用定制的互补金属 - 氧化物 - 氧化流程过程制造的绝缘子纳米线上，在硅中报告了双极栅极绘制的量子点。双极性是通过将栅极延伸到固有的硅通道上的高度掺杂的N型和P型末端来实现的。我们利用能够向硅通道提供双极载体储层的能力，以证明使用相同的电极来重新定义，并用相同的电极，带有孔或电子的双量子点。我们使用基于栅极的反射测量法来感知电子和孔双量子点的点间电荷过渡（IDT），从而实现了电子（孔）的最小整合时间为160（100）L s。我们的结果提供了将电子旋转与硅中电孔旋转的长相干时间相结合的机会。
高的分离偶极组MBRD，用于高...
摘要 - 大型强子对撞机（LHC）的下一个升级（称为高亮度LHC）的目的是使加速器的碰撞率提高十倍。为了实现此目标，将更换Atlas和CMS实验相互作用区域之前和之后的偶极子和四极磁体。其中之一是分离重组偶极子MBRD，该偶极子MBRD的目标积分磁场为35 t·m的双孔径为105 mm，沿磁场沿4.78 m的磁场获得4.5 t。该磁铁开发的主要挑战之一是，这两个孔必须具有相同的极性，这会导致它们之间的磁串扰。因此，有必要为线圈开发左/右不对称的孔圈线圈设计，以补偿这种效果，这将产生不良的多物。另一个与两个孔径的极性相关的问题，这是通过在两个领孔周围组装的Al Alloy套筒的实现来管理的。该设计是在Cern-Infn Genova协议的框架内进行的，该行业的ASG超导体正在进行。1.6 m长的模型是建立并成功测试的，然后建造了一个全长原型，该原型最近交付给了CERN，而预计将在2022年初开始构建6个磁铁系列。此贡献将描述原型组装状态，还涵盖了领域的质量（FQ）方面，讨论了ASG的温暖磁性测量结果及其在谐波含量方面的含义。
可重构双极量子点的色散读数纳米线
“用于现实世界应用和开发的高级材料”将提供非常详细的概述，概述各种功能材料和新兴的高级设备，用于高科技领域的现实世界应用。The course will start with an overview of different classes of functional materials, including semiconductors, nanomaterials, composites, biomaterials, piezoelectric, and thermoelectric materials with a particular focus on their implementation in real-world applications, with main attention to electronic devices, including solar cells, light emitting diodes, transistors, capacitors and sensors.该模块将继续详细说明这些新兴的高级功能材料的必要概念，这些材料将使学生能够解释材料选择，产品设计，设备制造，表征技术，材料翻译，市场趋势及其未来前景的原理。该模块将弥合基本材料科学知识与实现现实世界应用中新型产品设计和制造的实施之间的差距。此外，还将提供许多基于新型功能材料的实际应用的工业和企业案例研究。该模块将在学生中发展各种不同的能力和技能，使他们能够为未来的企业冒险，行业的就业工作做好准备，并在博士层面进行进一步的研究
用于非常规计算的激子-极化子凝聚态建模
近年来，对计算资源的需求巨大，这导致人们投入大量精力从理论上简化复杂问题，并开发各种技术平台来解决特定类别的难题。激子极化子似乎是一种非常有前途的物理系统，是这种技术进步的完美基础。主要研究工作集中在描述高复杂性计算问题与物理系统状态之间的对应关系。结果表明，使用激子极化子，可以实现具有非平凡相配置的 𝑘 -局部哈密顿量，其中 𝑘> 2。除此之外，新贡献在于引入了复杂的耦合切换方法，提供了一种显著提高使用激子极化子平台解决优化问题的成功概率的方法，并且适用于一般的增益耗散模拟器。从算法的角度来看，可以将该方法用作传统计算机架构上的一种有用的启发式方法。此外，还考虑了不同计算任务之间的现有对应关系，并提出了将任意计算任务编码/解码到光学/光子硬件中的方法。考虑了最通用和最复杂的机器学习方法，并考虑了潜在的架构映射。结果表明，使用非线性自旋簇，可以近似预定的架构，累积误差很小，突破了可用计算的极限。这种新的替代方法允许人们在许多凝聚态系统上直接实现神经网络算法，具有各种优点，例如减少了实现更传统的神经网络实现方法所需的额外变量的开销。由于激子极化子具有有前途和诱人的特性，并且具有前瞻性技术，因此除了现有的应用外，还开展了潜在应用的研究，重点是周期性结构及其分析描述。通过强调分析形式，引入的方法可以确定凝聚态的速度分布如何随参数（例如捕获和耗散电位）而变化，从而避免大量计算。建立了行为和相图，为超快信息处理和模拟模拟器的可控激光或极化子流开辟了道路。总而言之，我们可以完全有信心地说，激子-极化子是一个有前途的平台，但尚未充分发挥其潜力。
伽玛射线对双极结特性的影响
本文介绍了60 Coγ辐射硬度对双极结型晶体管特性和参数的影响，以分析核领域中使用的单个器件的性能变化。双极结型晶体管（BJT）的类型为（BC-301）（npn）硅，晶体管用60 Co源以不同剂量（1、2、3、4和5）KGy进行γ辐射辐照。使用带稳压电源的晶体管特性仪研究了辐照前后双极结型晶体管的特性和参数。结果表明，由于晶体管增益下降和硅电阻率增加，双极结型晶体管的饱和电压V CE（sat）降低。受电离辐射影响的双极结型晶体管的另一个参数是集电极-基极漏电流，电流的大幅增加是由结附近的累积电荷引起的。1.引言
高能质子辐照对GaN混合漏极的影响...
为了为 CERN 加速器隧道的新灯具提供耐辐射 LED 电源，需要对商用级功率晶体管在高水平粒子辐照下进行特性分析，因为这对半导体器件来说是一个恶劣的环境。这项工作描述了 24 GeV/ c 质子辐照对商用 GaN 混合漏极嵌入式栅极注入晶体管 (HD-GIT) 的影响，当时的剂量为 5.9 × 10 14 p/cm 2。漏极漏电流、阈值电压和 I ds − V ds 曲线的测量表明，在考虑的剂量之后，GaN HD-GIT 的电性能仅发生微小变化；例如，辐照后阈值电压平均增加约 11-13 mV。我们还对质子辐照引起的性能退化提出了物理解释；尤其是高电场下 2DEG 通道中的电子漂移速度似乎由于辐射引起的声子弛豫速率增加而降低。最后，提出了一种使用 GaN HD-GIT 进行电流控制的 AC/DC LED 电源，用于 CERN 隧道的新型灯具，满足辐射硬度和光质量方面的要求。
连续动态解耦保护的四极跃迁和量子门
摘要 动态解耦技术是一种多功能工具，可用于设计具有定制特性的量子态。在捕获离子中，通过射频场修饰的嵌套连续动态解耦 (CDD) 层可以抵消主要的磁移和电移，从而提供电子态的极长相干时间。利用这种增强功能进行频率计量、量子模拟或量子计算，提出了将解耦与激光离子相互作用相结合以对捕获离子的电子和运动状态进行量子控制的挑战。最终，这将需要在修饰解耦状态的量子比特上运行量子门。我们在此提供捕获离子中嵌套 CDD 的紧凑表示，并将其应用于电子 S 和 D 状态以及光学四极跃迁。我们的处理提供了所有有效的跃迁频率和 Rabi 速率，以及这些跃迁的有效选择规则。在此基础上，我们讨论了结合 CDD 和 Mølmer-Sørensen 门的可能性。