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变性剂可以稳定DNA吗？吡啶逆转酸性pH **
DNA的生物学作用与水溶液中的结构和稳定性密切相关。DNA的完全脱水或用较低极性的溶剂取代水会导致DNA结构发生很大变化[1]。溶液的离子强度的变化产生了显着的结构可塑性[2]，并且柜台性质的变化甚至可以逆转双链DNA稳定性的规范规则[3]。 某些渗透液，例如尿素，甲酰胺，氯化硫苷，二甲基硫氧化物或吡啶是化学变性剂[4]。 我们最近使用了微秒长的分子动力学（MD）模拟来证明PYR的非常强的变性特性与其通过在开放的，溶剂暴露的核碱基上堆叠捕获显微镜展开事件的能力有关[5]。 在这里，我们在另一种强大的变性剂的存在下探索了PYR的变性特性：pH。 在这项工作中，我们评估了这两种变性剂的效果是加性，合作或抗合作性的。 我们首先探索了具有不同GC含量的三种DNA双链体在中性pH值下的分泌特性（表1）。 图1（a，b）和补充表S1 所示的结果溶液的离子强度的变化产生了显着的结构可塑性[2]，并且柜台性质的变化甚至可以逆转双链DNA稳定性的规范规则[3]。某些渗透液，例如尿素，甲酰胺，氯化硫苷，二甲基硫氧化物或吡啶是化学变性剂[4]。我们最近使用了微秒长的分子动力学（MD）模拟来证明PYR的非常强的变性特性与其通过在开放的，溶剂暴露的核碱基上堆叠捕获显微镜展开事件的能力有关[5]。在这里，我们在另一种强大的变性剂的存在下探索了PYR的变性特性：pH。在这项工作中，我们评估了这两种变性剂的效果是加性，合作或抗合作性的。我们首先探索了具有不同GC含量的三种DNA双链体在中性pH值下的分泌特性（表1）。图1（a，b）和补充表S1
提交给高能化学分子内振动能量传输如何随着分子的刚性和极性而变化
摘要。低聚聚乙二醇 (PEG) 链中的振动能量传输可以通过光学振动链带以弹道方式进行，表现出快速而恒定的传输速度和高传输效率，从而提供了将超过 1000 cm -1 的大量能量传输到超过 60 Å 的远距离的方法。我们报告了分子内能量传输时间、链间传输速度和端基冷却速率如何取决于环境的刚性和极性。实验使用端基标记的 PEG 低聚物和二维红外 (2DIR) 光谱进行。弹道能量传输在链的一端通过在约 2100 cm -1 处激发叠氮基部分来启动，并通过探测琥珀酰亚胺酯的羰基拉伸模式在链的另一端记录下来。我们发现环境的刚性（聚苯乙烯 (PS) 基质与极性相似的溶液）不会对能量传输时间和链传输速度产生太大影响。这些结果表明，在弱极性介质中，尽管溶液中存在快速松弛成分，但溶液中发生的动态波动（但在固体基质中基本冻结）并不是链状态失相的主要原因。不同介质中传输时间的相似性表明二级链结构对 PEG 链中的传输影响不大。溶剂极性显著影响分子内传输：极性 DMSO 中的传输效率比非极性 CCl 4 或 PS 中的传输效率小约 1.6 倍。在极性更强的溶剂中，琥珀酰亚胺酯端基的冷却时间缩短，影响等待时间依赖形状，从而影响能量到达报告器的时间。本文分析了从数据中提取能量到达时间的不同方法。观察到的链间传输时间对溶剂极性的依赖性表明存在多个以不同群速度在 PEG 链中传播的波包。1. 简介。
战略、创新与技术管理
赫瑞瓦特大学 (www.hw.ac.uk) 是一所领先的科技大学，在爱丁堡、迪拜和马来西亚的三个国际校区均拥有强大的商业管理影响力。欢迎在战略管理、创新和技术管理领域拥有成熟（教授/副教授）和新兴（副教授）研究记录的个人申请。成功的候选人将有望加入商业管理系充满活力的学术团队，并在多学科团队中发挥领导作用，与整个大学合作。欢迎能够根据现有研究优势定位其研究和潜在贡献的个人申请。我们也特别欢迎目前正在合作的个人团队申请。虽然成功的候选人需要积极参与研究，发表的出版物和研究收入与职位相称，但也欢迎专注于实践的个人申请。虽然所有成功候选人都需要参与研究、学术、教学和行政活动，但有适当积极性的候选人有机会在我们的国际校区领导新研究和学术领域的发展。 成功候选人将成为在三个校区工作的综合学术团队的一部分。我们将鼓励和支持您的学术抱负，并与您合作，在全球范围内为学生提供出色的体验。 值得注意的是，工商管理专业的学生可以而且确实会在校区之间转换，完成部分或大部分学习课程。有关“走向全球”计划的更多详细信息，请访问 www.hw.ac.uk/students/studies/go-global.htm 工商管理 工商管理系拥有大约 70 名学者，分布在爱丁堡、迪拜和马来西亚校区。该系分为多个学科组，包括市场营销、企业、战略和运营、人力资源管理、商法、物流。我们提供一系列国际工商管理本科课程以及代表这些学科领域的各种专业硕士学位。我们在商业管理方面的研究受益于学院内部以及大学内外其他关键专业领域（包括工业和商业）的跨学科合作。这体现在我们现有的物流、工作文化与福祉、跨文化工作研究中心以及战略绩效与运营、旅游与遗产等新兴中心。
战略、创新和技术管理
赫瑞瓦特大学 (www.hw.ac.uk) 是一所领先的技术大学，在爱丁堡、迪拜和马来西亚的三个国际校区均拥有强大的商业管理影响力。欢迎在战略管理、创新和技术管理领域拥有成熟（教授/副教授）和新兴（副教授）研究记录的个人申请。成功的候选人将有望加入商业管理系内充满活力的学术团队，并在多学科团队中发挥领导作用，与整个大学协同工作。欢迎能够根据现有研究优势定位其研究和潜在贡献的个人申请。我们也特别欢迎目前正在合作的个人团体申请。虽然成功的候选人需要积极参与研究，发表的出版物和研究收入与职位相称，但也欢迎专注于实践的个人申请。虽然所有成功的候选人都需要参与研究、学术、教学和行政活动，但有适当积极性的候选人有机会在我们的国际校区领导新研究和学术领域的发展。成功的候选人将成为在三个校区运营的综合学术团队的一部分。我们将鼓励和支持您的学术抱负，您将与来自各个地方的顶尖学者合作，在全球范围内提供出色的学生体验。值得注意的是，工商管理专业的学生可以并且确实会在校区之间转换部分或大部分学习课程。有关“走向全球”计划的更多详细信息，请访问 www.hw.ac.uk/students/studies/go-global.htm 工商管理 工商管理系拥有大约 70 名学者，分布在爱丁堡、迪拜和马来西亚校区。该系由多个学科组组成，包括市场营销、企业、战略与运营、人力资源管理、商法、物流。我们提供一系列国际商务管理本科课程以及代表这些学科领域的各种专业硕士学位。我们在商业管理方面的研究受益于学院内部以及大学内外其他关键专业领域（包括工业和商业）的跨学科合作。这体现在我们在物流、工作文化与福祉、跨文化工作等既定研究中心以及战略绩效与运营、旅游与遗产等新兴中心。
介孔涂层，同时发光的水吸收和液滴合并过渡
管理概念：首先，控制和封闭的水吸收和凝结成纳米级毛孔；其次，滴结合。为了研究两者，陶瓷介孔薄膜是有趣的模型系统，其制造[4]和功能性[5]在过去25年中已深入研究。[6]最近对此类膜或分离层的水操作进行了深入研究。[7]但是，与平面和结构化表面相比，在中孔中控制润湿性以及水吸收，凝结和落水的可能性较少得多，并且所研究的情况较低。近年来，关于表面润湿性的主要兴趣是超级恐惧症，超级恐惧症或非染色表面的发展。[8]所使用的方法通常受到天然发生的表面的启发，例如莲花叶，投手植物或雾虫，并且始终基于在微观和纳米尺度上与相应疏水表面化学的表面结构的组合，[8b，9]或与疏水性润滑剂相应地包含在一个粒子中。[10]一个挑战是在切换响应函数组后，润湿性的变化足够大。[9b]通过更改表面上的滴度和接触线的接触角，这对于诸如降落合并之类的应用至关重要，例如，探索可润湿性的这种变化可用于从湿度发电的背景下使用。[15]液滴的轻驱动运动也提供了控制基于液滴的过程。[11]常见应用之一是自算基底物，该基材收集凝结的液滴并将其从结构化底物中删除。[12]在大多数情况下，宏观[13]和微结构[14]表面用于增强自我清洁过程。在自我清洁或雾化过程中，在结构化表面上的滴相结合是速率控制过程之一。[16]使用轻驱动的滴水结合，将允许在收集水或基本研究（如未受干扰的（光诱导的）滴水结合）的过程中使用无接触式的落聚结。可以通过利用可切换极性的官能团或设计微级或纳米级结构来改变刺激性基团在刺激影响时改变。[17]经常使用的刺激是轻的，因为它可以从外部和逐渐调节。一个非常有趣的分子，对光的反应是螺旋形。正如Klajn等人所审查的那样，Spiropyran是许多
石墨的溶解度及其溶解的功效...
电池，电容器和传感器（2）。石墨烯非常坚固，灵活且轻巧，因此为研究人员而设计的有效生产方法至关重要（3）。一种这样的方法称为基于溶剂的去角质。此过程需要使用溶剂（通常是有机的）与侵略性超声处理，以从散装石墨中剪掉石墨烯薄片（4）。该实验的目的是利用基于溶剂的去角质方法来生成石墨烯层，而是确定使用石墨粉（一种相对常见物质）的功效来创建导电涂层或糊状。具有这些导电性能的糊状物可能具有许多可能的应用，从基础架构中的导电混凝土或用作3D打印和设计中的材料。在此调查的情况下，使用处理后的石墨解决方案是为了使可自定义的电路板不使用诸如酸蚀刻之类的技术 - 这种情况不仅具有现实世界的用途，而且可以通过构造简单的原型来进行测试。将“溶解”一词应用于石墨烯或石墨有些困难，因为它是共价网络。试图在水中释放单个碳原子以形成糊状物将非常困难，即使不是不可能，因为共价碳键非常牢固，并且水中的极性不足以将其分开并增加溶质的表面积（5）。相反，石墨层被去除，以通过溶剂将其散布的目的，因此在这种情况下溶解将包括破坏层之间的分子间力（6）。具体而言，我们以超声化和不同的有机溶剂形式探讨了物理搅拌对石墨溶解度及其电导率的影响。我们假设使用这些技术将石墨分散到溶液中会增加石墨的溶解度和溶液的总体电导率。我们根据以下预测得出了这个结论：超声处理会干扰层之间的某些π-π堆积相互作用，增加了溶液的表面积和电导率（也许也可以释放一些电子以通过结构运动）。我们还认为，有机溶剂将允许比水更好地分散石墨层，因为石墨的疏水性不会阻止溶剂 - 溶质相互作用（并且可能防止形成任何形式的疏水性clathrate结构）。由于其极性的性质极高，溶剂之类的水可能很容易鼓励重新融合。我们得出的结论是，将丙酮用作溶剂与超声处理是创建石墨糊的最成功的方法。创建的糊
改善了具有内在血浆治疗的ALD ALD AL2O3/SIO2多层的硅表面钝化
总固定负电荷密度q tot≈1×10 13 cm - 2结合使用，低界面缺陷密度D IT为≈1×10 11 ev -1 cm -2。[4-9]虽然低d表示相当好的化学表面钝化，但高负q tot会导致表面上的电子密度降低，从而导致重要的田间效应对C-SI表面钝化产生了贡献。因此，这种高负q TOT诱导n型Si表面上的反转层，而在P型表面上形成了积累层。n型Si表面上的内部层使其易于使用n型金属触点处的寄生分流作用。[10] There- fore, Al 2 O 3 is predominantly applied to p -type c-Si surfaces, such as the rear surface of passivated emitter and rear cell (PERC) passivated emitter and rear cell solar cells – the current mainstream cell design in high-volume production [11,12] – or the front-side boron-doped p + emitter of n -type c-Si tunneling oxide passivating接触（TopCon）太阳能电池，由于其效率更高，目前变得越来越有吸引力。[11,13–15] Al 2 O 3对于高级细胞设计的效率也非常相关，范围为26％，例如后部发射极（TopCon）细胞[16]或在氧化物相互作用的背部接触（polo-ibc）细胞（Polo-ibc）细胞上的聚晶体中的多层si，但有效的效果（均为有效的）（未经跨度） - 未经有效的态度（未经） - 未经有效的态度 - 不及格（Untercive）。 必需的。与单层相比，厚度只有几个纳米层的多层层为在纳米尺度上修改材料特性的机会。[19]最近，对不同表面钝化方案的直接比较表明，Al 2 O 3 [3]仍然有改进的余地，随着设备的效果的改善，这变得越来越重要。一个有趣的例子是所谓的界面偶极层，目前对其进行了强烈的侵略，尤其是用于在金属 - 氧化物 - 氧化导管现场效应晶体管（MOSFET）中的应用以调整所需的平板电压。[18-20]它们是由两个或三个不同的介电层组成的多层，可以简单地通过改变双层或三层的数量来提供增加平坦电压的可能性。这种平流电压偏移的起源是偶极子，仅在该多层的特定接口处形成，仅具有一个极性。例如，已经报道了SIO 2 /Al 2 O 3堆栈，其中仅在一个极性的SiO 2 /Al 2 O 3接口处形成偶极子，但在Al 2 O 3 /SiO 2界面上却没有相反的极性。
p-muc1c-allo1 同种异体 car-t 细胞的 1 期研究...
背景 晚期不可切除和/或转移性癌症患者迫切需要治疗。粘蛋白 1 (MUC1) 是一种特征明确的异二聚体糖蛋白，在许多上皮源性肿瘤中过表达，由非共价连接的 N 端 (MUC1-N) 和 C 端 (MUC1-C) 单体组成。MUC1-C 表位选择性地出现在乳腺癌、结直肠癌、卵巢癌、胃癌、肺癌等上皮源性实体瘤中。由于细胞极性的丧失，MUC1-C 也广泛且易于在整个肿瘤组织中表达，这是肿瘤发生的标志之一。 P-MUC1C-ALLO1 是一种针对 MUC1-C 表位的完全同种异体 CAR-T，采用非病毒转座子整合（piggy-Bac ® DNA 递送系统）制造，可产生高度富集的 T 干细胞记忆 (T SCM) 产品。它含有 3 个转基因：基于抗 MUC1-C 人源化 scFv 的 CAR、用于提高产品同质性的 DHFR 药物选择基因和基于 iCasp9 的安全开关基因（可在需要时快速消融 CAR-T）。这些细胞使用 Cas-CLOVER ™ 位点特异性基因编辑系统进行基因编辑，通过敲除 T 细胞受体 β 链 1 基因来消除所有细胞中内源性 T 细胞受体的表达以防止移植物抗宿主 (GvH) 反应，并敲除 b2-微球蛋白基因以消除 MHC I 类的表达，从而减弱宿主抗移植物反应。在小鼠三阴性乳腺癌和卵巢癌模型中观察到 P-MUC1C-ALLO1 的临床前疗效，这为这项首次人体 (FIH) 1 期试验提供了理论依据。方法这是一项 1 期、多中心、开放标签、FIH、3+3 设计，旨在评估 P-MUC1C-ALLO1 对 RECIST 1.1 可测量且对标准治疗有抵抗力/不适合的晚期或转移性上皮源性癌症患者的作用。最多 100 名患者将被纳入 4 个单次和周期性给药组，使用两种不同的淋巴细胞清除 (LD) 方案（环磷酰胺/氟达拉滨 ± 利妥昔单抗）。每个组的计划剂量递增范围为 0.75 至 15 x 10 6 细胞/kg。本研究的主要目标包括确定最大耐受剂量 (MTD)、评估总体安全性和耐受性、初步疗效和疾病反应。探索性终点将包括 MUC1-C 肿瘤表达和与反应的相关性、P-MUC1C-ALLO1 细胞动力学和生物标志物分析，包括 MUC1 相关肿瘤标志物 CA15-3 和 CA27-29 和 CTC。结果迄今为止，已有三名患者接受了 P-MUC1C-ALLO1 治疗（食管腺癌、结直肠腺癌和乳腺癌）。迄今为止，P-MUC1C-ALLO1 治疗耐受性良好，未观察到剂量限制性毒性、CRS 或 GvH 疾病。本研究继续招募受试者，并将提供更新的数据。试验注册 NCT05239143
1 IEEE CICC 2024 A 49.8mm2 全集成，1.5m...
植入式神经接口在帮助瘫痪、截肢或各种神经系统疾病患者恢复功能方面具有巨大潜力。为了精确映射大脑各个区域的神经活动并提高信息传输速率，记录通道的数量显著增加，最近的系统集成了数千个或更多通道 [1-2]。这就需要能够处理数百 Mb/s 吞吐量的无线链路，这对无线植入物的功耗、尺寸和传输范围提出了重大挑战。由于体通道通信 (BCC) 能够实现毫米级外形尺寸，因此在脑植入物中的应用日益广泛 [3-4]。然而，它在数据速率和传输距离方面都面临限制。另一方面，脉冲无线电超宽带 (IR-UWB) 通信由于其高数据速率和低功耗而提供了一种有前途的解决方案 [5- 6]。然而，现有的 IR-UWB 发射器 (TX) 受到厘米级传输范围和较大尺寸的阻碍，使其并不适合长期植入。实现米级传输距离的远场射频辐射为患者提供了相当大的活动自由。然而，它需要一种高效的无线链路，符合大脑数十 mW/cm 2 的严格功耗要求。为了应对扩大植入式 TX 传输范围同时最小化其尺寸和功耗的挑战，本文介绍了一种经皮、高数据速率、完全集成的 IR-UWB 发射器，它采用新颖的协同设计的功率放大器 (PA) 和天线接口来增强性能。与最先进的 IR-UWB TX [5-6] 相比，通过协同设计的接口，我们实现了 49.8 平方毫米 (8.3 毫米×6 毫米) 的最小占用空间和 1.5 米的最长传输范围。图 1 展示了所提议的 TX 的架构，它结合了开关键控 (OOK) 调制方案和基于相移键控 (PSK) 的加扰。使用 PSK 加扰可以增强对极性的控制，从而有效地消除 OOK 输出频谱中的离散频谱音调，以符合 FCC 监管要求。正交本振 (LO) 信号由基于 2 级环形振荡器 (RO) 的整数 N 宽带锁相环 (PLL) 生成，提供类似 LC-VCO 的抖动性能。脉冲发生器输出 2ns 脉冲宽度的 OOK 数据，该数据被馈送到带有可编程延迟线 (DL) 的脉冲整形器 (PS)。PS 与开关电容 PA (SCPA) 一起在 RF 域中进行 FIR 滤波，从而提高频谱效率。无线链路由片外偶极天线建立，选择该天线是因为其与小型化植入物兼容，因为与单极天线相比，它不需要大的接地平面。图 2 显示了基于反相器的相位多路复用器 (PHMUX)、PS 和 SCPA 的框图。PHMUX 和 SCPA 均采用全差分架构，无需片外平衡器。为了提高功率和面积效率，同时确保有效的旁瓣抑制，采用了 4 位三角模板。该模板可以配置为对称或不对称，从而提高符号间干扰 (ISI) 性能。图 2（右上）将所提出的调制方案的模拟输出频谱与理想的三角包络进行了比较，表明在旁瓣抑制和主瓣带宽方面具有可比的性能。图 3 说明了数字/电压控制 RO 的电路实现，具有一对延迟元件和混合控制电阻器。振荡频率由 4 位数字控制字 (FC) 控制，以克服 PVT 变化，以及差分环路滤波器产生的两个模拟信号（即 VCP 和 VCN）。为了最大限度地减少基板噪声耦合，我们采用了差分电荷泵 (CP) 和环通滤波器 (LPF)，与单端配置相比，调谐范围几乎增加了两倍。测量的 PLL 锁定频率范围
ISSCC 2024 - 量子技术集成电路
2 Google Quantum AI，加利福尼亚州戈利塔 超导量子处理器是最先进的量子计算技术之一。基于这些设备的系统已经实现了后经典计算 [1] 和量子纠错协议的概念验证执行 [2]。虽然其他量子比特技术采用自然产生的量子力学自由度来编码信息，但超导量子比特使用的自由度是在电路级定义的。当今最先进的超导量子处理器使用 transmon 量子比特，但这些只是丰富的超导量子比特之一；在考虑大规模量子计算机的系统级优化时，替代量子比特拓扑可能会证明是有利的。在这里，我们考虑对 Fluxonium 量子比特进行低温 CMOS 控制，这是最有前途的新兴超导量子比特之一。图 29.1.1 比较了 transmon 和 Fluxonium 量子比特。 transmon 是通过电容分流约瑟夫森结 (JJ) 实现的，是一种非线性 LC 谐振器，其谐振频率为 f 01，非谐性分别在 4-8GHz 和 200-300MHz 范围内。transmon 有限的非谐性约为 5%，限制了用于驱动量子比特 f 01 跃迁的 XY 信号的频谱内容，因为激发 f 12 跃迁会导致错误。以前的低温 CMOS 量子控制器通过直接 [3,4] 或 SSB 上变频 [5,6] 复杂基带或 IF 包络（例如，实施 DRAG 协议）生成光谱形状的控制脉冲；这些设备中高分辨率 DAC 的功耗和面积使用限制了它们的可扩展性。fluxonium 采用额外的约瑟夫森结堆栈作为大型分流电感。这样就可以实现 f 01 频率为 ~1GHz 或更低的量子比特，而其他所有跃迁频率都保持在高得多的频率（>3GHz，见图 29.1.1）[7]。与 transmon 相比，fluxonium 的频率较低且非谐性较高，因此可以直接生成低 GHz 频率控制信号，并放宽对其频谱内容的规范（但需要更先进的制造工艺）。在这里，我们利用这一点，展示了一种低功耗低温 CMOS 量子控制器，该控制器针对 Fluxonium 量子比特上的高保真门进行了优化。图 29.1.2 显示了 IC 的架构。它产生 1 至 255ns 的微波脉冲，具有带宽受限的矩形包络和 1GHz 范围内的载波频率。选择规格和架构是为了实现优于 0.5° 和 0.55% 的相位和积分振幅分辨率，将这些贡献限制在平均单量子比特门错误率的 0.005%。它以 f 01 的时钟运行，相位分辨率由 DLL 和相位插值器 (PI) 实现，而包络精度则由脉冲整形电路实现，该电路提供粗调振幅和微调脉冲持续时间（与传统控制器不同，使用固定持续时间和精细幅度控制）。数字控制器和序列器可播放多达 1024 步的门序列。图 29.1.2 还显示了相位生成电路的示意图。DLL 将这些信号通过等延迟反相器缓冲器 (EDIB) 后，比较来自电压控制延迟线 (VCDL) 的第一个和第 31 个抽头的信号。这会将 CLK[0] 和 CLK[30] 锁定在 180°，并生成 33 个极性交替的等延迟时钟信号。使用 CLK[30] 而不是 CLK[32] 来确保在 PFD 或 EDIB 不匹配的情况下实现全相位覆盖，这可能导致锁定角低于 180°。一对 32b 解复用器用于选择相邻的时钟信号（即 CLK[n] 和 CLK[n+1]），开关和 EDIB 网络用于驱动具有可选极性的 PI。 PI 单元由多路复用器和限流反相器组成。32 个单元并联组合，所选相位之间的权重由驱动多路复用器阵列的温度计编码的 31b 值设置（第 32 个反相器始终由 CLK[n] 驱动）。相位生成电路具有 11b 控制，可提供实现 0.5° 精度的裕度。图 29.1.3 显示了脉冲整形器原理图。它接收相移时钟并应用可编程幅度和持续时间的矩形包络。SW1 用于门控数字 CW 信号。然后，门控信号由一个电路缓冲和衰减，该电路由可变电阻器 R 0（16 个值，从 10 到 170kΩ）组成，通过 2:1 双调谐变压器连接到 50Ω 负载。该电路将可用功率降低了约 17 至 29dB，同时提供 50Ω 输出匹配并过滤脉冲频谱，为信号包络引入几纳秒的指数上升和下降时间，适用于大量子比特非谐性。R 0 、CP 和 CS 通过 SPI 总线进行编程，以进行静态预调谐。但是，提供了一个 0 至 18dB 衰减器电路，步长为 6dB，用于实时粗调幅度。输出端集成了 SW2，以提供额外的开-关隔离。PI 单元由多路复用器和限流反相器组成。32 个单元并联组合，所选相位之间的权重由驱动多路复用器阵列的温度计编码的 31b 值设置（第 32 个反相器始终由 CLK[n] 驱动）。相位生成电路具有 11b 控制，可提供实现 0.5° 精度的裕度。图 29.1.3 显示了脉冲整形器原理图。它接收相移时钟并应用可编程幅度和持续时间的矩形包络。SW1 用于门控数字 CW 信号。然后，门控信号由一个电路缓冲和衰减，该电路由可变电阻器 R 0（16 个值，从 10 到 170kΩ）组成，通过 2:1 双调谐变压器连接到 50Ω 负载。该电路将可用功率降低了约 17 至 29dB，同时提供 50Ω 输出匹配并过滤脉冲频谱，为信号包络引入几纳秒的指数上升和下降时间，适用于大量子比特非谐性。R 0 、CP 和 CS 通过 SPI 总线进行编程，以进行静态预调谐。但是，提供了一个 0 至 18dB 衰减器电路，步长为 6dB，用于实时粗调幅度。输出端集成了 SW2，以提供额外的开-关隔离。PI 单元由多路复用器和限流反相器组成。32 个单元并联组合，所选相位之间的权重由驱动多路复用器阵列的温度计编码的 31b 值设置（第 32 个反相器始终由 CLK[n] 驱动）。相位生成电路具有 11b 控制，可提供实现 0.5° 精度的裕度。图 29.1.3 显示了脉冲整形器原理图。它接收相移时钟并应用可编程幅度和持续时间的矩形包络。SW1 用于门控数字 CW 信号。然后，门控信号由一个电路缓冲和衰减，该电路由可变电阻器 R 0（16 个值，从 10 到 170kΩ）组成，通过 2:1 双调谐变压器连接到 50Ω 负载。该电路将可用功率降低了约 17 至 29dB，同时提供 50Ω 输出匹配并过滤脉冲频谱，为信号包络引入几纳秒的指数上升和下降时间，适用于大量子比特非谐性。R 0 、CP 和 CS 通过 SPI 总线进行编程，以进行静态预调谐。但是，提供了一个 0 至 18dB 衰减器电路，步长为 6dB，用于实时粗调幅度。输出端集成了 SW2，以提供额外的开-关隔离。