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GE90-115B AW7 FADEC 3 建议大修措施
• 详情请参阅 FADEC 国际服务公告 S/B 73-0119 • 建议的软时间间隔为 5,000 次循环 • 大修中包含的关键可靠性服务公告和更换： – 压力系统模块 (PSM) C115/C116 电容器更换 – 继电器引线和接地“E”端子上的 PSM 回流焊点 – 主控制板 (MCB) MN4 和 MN76 球栅组件 (BGA) 更换（符合 S/B 73-0118） – MCB MN82 检查并在必要时更换 – MCB SOT23 封装设备焊点回流 – 将 AW7 MCB 升级到最新的 AW7 配置
研究论文 VR与AI技术在大学英语教学中的应用与探索
为了提高大学英语教学效果，本文将VR和AI技术应用到大学英语教学中。根据英语教学图像的像素结构及其阵列驱动设计，本文提出了一种半有源地址驱动的像素结构。并且，本文通过调节计算机或FPGA产生的时钟信号CLK的周期来控制扫描速率，从而决定图像传输的速度。此外，为了确定共源共栅结构的输出DC值，对负反馈环路进行偏置，构建了智能教学系统。通过教学评估研究可以看出，本文提出的基于VR技术和AI技术的大学英语教学方法可以有效提高大学英语的教学效果。
MoS2堆叠纳米片场效应晶体管的模拟
根据2021年国际器件与系统路线图（IRDS），环栅晶体管（GAA）将从3nm技术节点开始取代FinFET，并应用于1nm技术节点。下一步，尺寸缩小的目标不仅是降低漏电，更重要的是降低功率，而包括三维异质集成在内的三维垂直架构将成为降低功耗的主流技术。要延续摩尔定律，不仅需要通过器件尺寸缩小来提高电路集成度，还需要降低功率和提高开关速度。堆叠式NSFET具有更好的静电完整性、短沟道免疫力，因此具有更好的功率缩放性能，是未来亚3nm技术节点的有希望的候选者[1−3]。
电力电子模块的主动热控制
I. 引言 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块广泛应用于工业、电力电子和牵引应用 [1]。有必要开发更可靠的功率模块来满足这些应用的需求。为了做到这一点，提出了一种热机械方法来减少功率模块内的应力。通过主动控制热运行性能，可以避免模块中可能造成损坏的应力。同时，模块的整体功率转换性能得到提高，因为它能够在最高允许温度和温度循环限制下“安全”地连续运行。先前的研究已经确定了几种与 IGBT 功率模块相关的故障类型，并已开始研究缓解此类故障的方法。最常见的故障
工业实施的模拟流程——...
在本文中，我们介绍了用于实现 FD-SOI 量子点器件的模拟流程。所提出的流程由一系列模拟组成，从结构的光学光刻制造开始，然后是几何表示和电气行为，最后是量子力学特征。对于我们器件的建模，我们分别使用了 STMicroelectronics 的内部软件 Optical Friendly DEdesign Check (OFDEC)、3D TCAD Sentaurus Process [8] 和 3D Quantum TCAD [9, 10] 模拟工具。本文给出的数值结果表明，我们上一代纳米结构 [11] 中出现的不必要的角落量子点和屏障控制问题现在已经消失。此外，我们的模拟表明，可以通过背栅偏置来控制波函数位置，这预示着 FD-SOI 技术在量子计算应用方面优于其他竞争技术 [12]。
BGA焊点疲劳寿命预测研究综述
摘要：随着科技的发展，消费者对各类电子设备的要求呈现出功能多样化、机身轻薄化的趋势，这使得装载在电子产品中的集成电路及其封装对于满足上述要求显得至关重要。球栅阵列（BGA）封装以其丰富的I/O容量和优异的电气特性被广泛应用于微电子制造业领域。然而，在其生产和使用过程中由于振动、冲击等环境载荷的作用，BGA焊点缺陷不可避免地会出现，从而导致电子产品的失效。本文综述了BGA芯片疲劳失效的影响因素、分析方法和模型的研究现状，并在对研究进行严格讨论后，对BGA封装可靠性分析和评价标准的制定提供了一些理论建议。
新闻稿
快速流动、可返工的底部填充 SMT 88UL2（纽约州奥尔巴尼）2021 年 12 月 20 日 YINCAE 很高兴地宣布，我们已经开发并将 SMT 88UL 升级为 SMT 88UL2，这是一种完全兼容助焊剂残留物、室温快速流动且易于返工的底部填充材料。底部填充材料和助焊剂残留物的兼容性长期以来一直是电子行业的一个传统问题。这种兼容性问题通常会导致双回流工艺和汽车应用过程中的底部填充流动问题、底部填充空洞、底部填充分层和焊料挤出。通常，清洁 SMT 组装中的助焊剂残留物成本太高。SMT 88UL2 设计为与主要制造商的几乎所有焊膏的助焊剂残留物完全兼容。SMT 88UL2 可以在室温下快速流入任何间隙尺寸（小于 1 ），并在较低温度下快速固化，不会出现任何流动和空洞问题，无需清洁助焊剂残留物。我们的 SMT 88UL2 可承受多次 260 C 回流工艺，无需清洗助焊剂残留物，不会出现任何分层、焊料挤出和焊球问题。它表现出了出色的跌落和热循环性能。该材料可用作倒装芯片、芯片级封装、球栅阵列器件、封装上封装和接地栅阵列应用的底部填充材料。它还适用于各种先进封装（如存储卡、芯片载体、混合电路和多芯片模块）中的裸芯片保护。它专为高产量和以工艺速度和散热为关键考虑因素的环境而设计。有关 YINCAE 的 SMT 88UL2 底部填充材料的更多信息，或要了解有关 YINCAE 产品系列的更多信息，请发送电子邮件至：info@yincae.com。您也可以通过访问我们的网站获取更多信息：www.yincae.com
关键词列表 - EPE 2023
电容耦合 电容耦合 电容电压平衡 电容器 碳中和 级联 H 桥 共源共栅 CC-CV 充电 混沌抑制 EMI 充电补偿装置 充电调度 充电站 充电 电动汽车充电基础设施 电路 D 类放大器 闭式方程 组合 MMC-LLC 热电联产 公共接地 共模电流 电力电子通信 通勤 补偿 测量组件 压缩机 计算成本 状态监测 传导损耗 共识 基于共识的合作控制 接触电阻 非接触式能量传输 非接触式电源 控制相互作用 电气系统的控制方法 驱动控制 控制策略 控制器基准 控制器 转换比 转换器电路 转换器控制 转换器机器相互作用
通用桥式AC/DC变换器的研究与分析...
本文研究并分析了 SIMULIK 环境下基于绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 和脉冲宽度调制 (PWM) 技术的通用桥式转换器。为了实现三相 AC/DC 转换器的 PWM 控制器，研究并开发了空间矢量调制的基础。这种转换在许多有源条件下的有效进展取决于所应用的方法。所提出的程序方法的强大之处在于本文所检查的电流失真和开关频率。脉冲宽度第一周期部分的离线计算取决于并将这些数据保存在特定表中。对于所有周期寿命，由于存在四分之一波和半波可靠性的情况，因此残余脉冲是基于初始四分之一周期的值创建的。模拟设计的结果显示微控制器时间和内存增加显著节省，这将支持所有转换器任务。