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World File Search System残余应变
独立超薄膜的泊松比和残余应变
利用拉伸桥中的横向起皱现象来表征超薄膜 (<100 nm) 的泊松比和残余应变。该测试方法利用残余应力驱动结构和易于复制的洁净室制造和计量技术，可无缝整合到薄膜生产装配线上。独立式矩形超薄膜桥采用可产生可重复横向起皱图案的尺寸制造。基于非线性 Koiter 板壳能量公式进行数值建模，将泊松比和残余应变与测得的起皱变形关联起来。泊松比会影响峰值幅度，而不会显著改变皱纹的波长。相比之下，应变会同时影响波长和幅度。使用 65 nm 厚的铜膜演示了概念验证。测量结果显示泊松比为 0.34 ± 0.05，拉伸残余应变为 (6.8 ± 0.8)x 10 − 3。测量的残余应变与使用相同薄膜的交替残余应力驱动测试结构测得的残余应变 (7.1 ± 0.2)x 10 − 3 高度一致。
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计算结构系统的响应涉及分析各种物理现象：应力、变形、振动特性、反作用力和残余应变。为了得到准确的答案，模拟必须考虑产品各个部件之间的所有相互作用、其工作环境（如热条件）以及其他力（如电磁和流体动力学）的影响。捕获材料至关重要。所有这些复杂性都必须通过先进的求解器技术来有效处理，这些技术可以可靠地捕获所有细微差别，例如材料属性变化、接触状态和零件侵蚀。
支持信息外延驱动的相位选择性...
图S2：A，长INSB-SN部分的SEM图像。观察到NW远离SN沉积方向的小弯曲。这可以归因于材料的不同热膨胀系数，也可以归因于界面中的残余应变。6,7 B，鳗鱼elemental sn，sb和NWS的INSB/INAS部分。在INSB表面上可以理解连续的SN壳，而它作为INAS茎上的离散岛沉积。c，从（b）中标记为in，sn和sb边缘标记的（b）中标记的区域提取的鳗鱼光谱。d，INAS和INSB之间的交点区域的底部曲率。SN通常在该区域不存在。这可能是由于弯曲区域中的高表面能，或者当SN沉积时可能会被遮盖。比例尺为：（a）100 nm，（b）100 nm，（d）20 nm。
加上制造的Ti – 6al ...
1工程，应用材料，宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州大学广场15801。2机械与核工程，宾夕法尼亚州立大学，宾夕法尼亚州大学公园，16802，美国3应用研究实验室，宾夕法尼亚州大学公园，宾夕法尼亚州16802美国摘要：结构性 - 托管加工关系已在添加性生产的TI-6AL-4V合金中进行了研究。使用原位电子显微镜（EM）以中等电流密度为5x10 5 A/cm 2进行5分钟进行处理，并通过抑制大量散热器的焦油加热，以使温度升高<180°C，并且机械性能不及时化。结果表明，虽然晶粒尺寸增加了约15％，但纳米性质增加了16％。这归因于明显的脱位产生，再生和聚类以及缺陷愈合。最终，残余应变降低，内在强度显着增加，这是由电流加工样品的高泰勒因子所证明的。这种新颖的加工技术代表了可能对高温处理或常规方法敏感的零件进行主动控制微观结构和内部缺陷的替代途径。关键字：电流处理；纳米纳斯；电子反向散射衍射（EBSD）；透射电子显微镜（TEM）; Schmid因子；泰勒因子。1。简介