气相

$b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'$ File

2020年2月10日机构名称:

b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'

b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'

查看详细

File

2019年6月25日机构名称:

气相色谱法证明土壤中微生物的立体特异性作用

许多微生物和酶都具有优先代谢、结合或化学改变外消旋底物的一个对映体，同时保持另一个对映体不变的能力。这种固有特性可以作为检测行星土壤中生物剂的实验基础。高灵敏度气相色谱技术 (1) 已被用于监测原型陆地实验中几种外消旋氨基酸底物的立体特定消耗。在典型的测定中，将土壤 (10 克)、外消旋氨基酸底物 (10 毫克) 和蒸馏水 (10 毫升) 在室温下摇动。不时取出等分试样 (约 1 毫升) 并用水 (10 毫升) 稀释。将土壤离心，并将上清液冻干。用亚硫酰氯-甲醇 (0.4 ml 在 5 ml 中) (2) 酯化并蒸发后，将残留物与 NV-三氟乙酰-L-脯氨酰氯 (0.2 mM) 在二氯甲烷 (2 ml) (1) 中在三乙胺 (0.06 ml) 存在下偶联。洗涤 (H,O) 和干燥 (Na.SO,) 后，将部分溶液 (~2 yl) 注入气相色谱仪。通过计算两种非对映异构体的峰面积，可以快速灵敏地记录未使用的 p/L 氨基酸浓度 (表 1，图 1)。我们的结果表明，底物的 t-对映体优先受到攻击，但不同氨基酸的使用速率不同。土壤热灭菌后立体特异性作用消失的观察结果证实了其中涉及生物过程。

查看详细

File

2019年5月11日机构名称:

金属涂层晶片上六方氮化硼的化学气相沉积及电阻开关器件的无转移制造

在电子设备结构中引入层状二维 (2D) 材料是提升电子设备性能和提供附加功能的一种有趣策略。例如，石墨烯（导电性）已用作电容器 [ 1 ] 和电池 [ 2 ] 中的电极，而过渡金属二硫属化物 (TMD)，例如 MoS 2 、 WS 2 和 WSe 2（半导体性），常用作场效应晶体管 (FET) 和光电探测器 [ 3 – 5 ] 中的沟道。六方氮化硼 (h-BN) 是由 B 和 N 原子排列成 sp 2 六方晶格的二维层状材料，其带隙为 5.9 eV [ 6 ]。因此，h-BN 是一种电绝缘体，并且在许多不同的应用中非常有用。到目前为止，h-BN 已被证明是一种非常可靠的 FET 栅极电介质，并且能够比高 k 电介质更好地抵抗电应力 [7,8]，因为

查看详细